CMOS門(mén)壓控振蕩器

2017-06-12 13:45

4011-1

如圖所示電路中A1、A2兩個(gè)非門(mén)組成自激多諧振蕩器,隨著外加控制電壓Vcc的大小不同,電路振蕩頻率亦隨之變化。Vcc值在門(mén)電路閾值附近時(shí)對(duì)RC充放電影響最小,故電路振蕩頻率最低,Vcc偏離門(mén)電路閾值越大,電容充放電越快,故電路振蕩頻率越耐。