據iSuppli公司，由于高端服務器、筆記本電腦、手機和有線通訊領域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實際上還幾乎一片空白。

　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術，最近已從大學實驗階段進入商業(yè)化階段。該技術對于供應商來說是一個有吸引力的市場機會，它可以向它們的客戶提供目前半導體工藝材料可能無法企及的性能。

　　iSuppli公司認為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領域中大有前途的新星。

　　首先，硅在電源管理半導體中已經達到實際極限。另外，在硅上面生長GaN層已經取得突破。電源設計師也想開發(fā)更有效率的系統和升級高壓產品，以消耗更少的電力。

　　元件供應商已開始提供GaN器件。例如，國際整流器公司2月份推出了它的首款GaN負載點(POL)解決方案，Efficient Power Conversions Corp. (EPCC)正在全力開發(fā)GaN技術，本月推出了10款功率MOSFET器件。

　　可改善效率

　　GaN材料將使效率得到提高，使器件尺寸縮小，這些優(yōu)點將促進GaN器件得到更廣泛的接受。對于移動PC和智能手機等便攜電子產品來說，這些好處都是求之不得的。對于企業(yè)服務器和有線通訊基礎設備等耗電量較大的電子設備，GaN器件也具有許多好處。

　　但是，由于采用GaN材料涉及較高的成本，所以2010和2011年上述應用對GaN技術的接受速度將比較緩慢。隨著2012和2013年該技術的發(fā)展，以及制造GaN器件的成本下降，該技術將開始奪取傳統MOSFET、驅動IC和電壓調節(jié)IC的市場份額。

　　最先采用GaN器件的很可能是服務器，因為服務器總是需要高性能器件，而且經常是第一個接受可以改善性能的新技術的產品領域。在未來三年，GaN器件出貨量的主要推動者將是筆記本電腦，因其非常需要GaN來節(jié)省功率和縮小外形尺寸。