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基于小波分析的水電站饋線故障快速檢測算法研究

針對水電站饋線微機繼電保護裝置常用采樣算法時間偏長的現(xiàn)狀，以及現(xiàn)代化繼保裝置對于切斷故障的時效性要求越趨嚴格，提出了一種基于Symlets5小波的饋線微機保護算法。通過研究分析Symlets5小波分解重構后的故障信號高頻分量波形模極大值，發(fā)現(xiàn)Symlets5小波算法最快能夠在故障發(fā)生后在2/n~5/n周期內(nèi)判定短路故障的發(fā)生，并計算出故障后信號幅值。Symlets5小波算法可作為保護算法啟動的判據(jù)或者與其他算法配合使用，可大大提高饋線保護裝置切斷故障線路的時效性，保護水電站饋線運行安全。

發(fā)表于：2025/1/20

數(shù)字示波器模擬輸入帶寬測試方法研究

分析了數(shù)字示波器帶寬的概念，研究分析兩種示波器帶寬測試方法。搭建示波器帶寬測試專用硬件平臺，并實現(xiàn)了自動化測試。測試了指定示波器產(chǎn)品的帶寬，使用提出的方法得到對應的波特圖，驗證了方法的可行性。該硬件平臺和自動化測試方法不僅適用于示波器帶寬測試，而且適用于各類數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品的模擬輸入帶寬測試。

發(fā)表于：2025/1/20

適用于超聲電機驅(qū)動器的雙H橋電路設計

超聲電機作為新型電機，其電機驅(qū)動器的設計至關重要?；?.18 μm高壓CMOS工藝設計了一款適用于超聲電機驅(qū)動器的雙H橋集成電路，本集成電路包含兩個相同的獨立裸芯，搭配簡單的外圍電路能夠?qū)崿F(xiàn)兩路不同相位電壓的輸出。同時，內(nèi)部集成了邏輯控制模塊可兼容TTL、CMOS兩種輸入電平，集成自適應死區(qū)控制可避免同一橋臂直通。最后，通過驗證板實測可滿足100 kHz的兩路不同相位電壓的輸出，可完成對超聲電機的有效驅(qū)動。

發(fā)表于：2025/1/20

一種基于AHB總線DMA控制器驗證方法

針對傳統(tǒng)芯片驗證平臺驗證用例復用性差、驗證時間長的問題，提出了一種基于AHB總線DMA控制器驗證方法。通過該方法修改優(yōu)化的驗證平臺可移植性高，具有模擬聯(lián)動IP產(chǎn)生請求、回復與中斷信號的功能，支持在傳輸中對AHB總線隨機注入錯誤的能力。為證明方法的有效性，對DMA控制器UVM驗證平臺架構進行修改優(yōu)化，并復用該平臺構建Image2D控制器UVM驗證平臺，分別收集兩個驗證平臺代碼覆蓋率。實驗結果表明，該方法能夠提高驗證平臺調(diào)試排錯速度，提升驗證平臺兼容性，節(jié)約15%以上的驗證開發(fā)時間，并保證驗證平臺代碼覆蓋率為100%。

發(fā)表于：2025/1/20

SerDes鏈路協(xié)同仿真與無源鏈路優(yōu)化設計

隨著SerDes鏈路信號傳輸速率的提升，信道鏈路經(jīng)過芯片封裝和印刷電路板過孔、AC電容和連接器等，會導致信號完整性（Signal Integrity， SI）挑戰(zhàn)進一步增大。提出基于SerDes 32 Gbps-NRZ信道傳輸系統(tǒng)，優(yōu)化無源信道中的BGA過孔、AC耦合電容焊盤、FMC連接器（FPGA Mezzanine Card Connector）處Pin腳設計，提升了通道阻抗的一致性，建立了更為準確的無源鏈路通道模型，并結合芯片有源IBIS-AMI模型，對比分析優(yōu)化前后鏈路信道對眼圖的影響，保證了32 Gbps-NRZ高速信號的穩(wěn)定傳輸。

發(fā)表于：2025/1/20

基于ERNIE-CAB-CNN的稀土專利文本分類模型

針對稀土專利文本專業(yè)性強的特點以及現(xiàn)有的文本分類方法存在的不足，鑒于類別注意力在計算機視覺領域的廣泛應用和取得的良好效果，提出了一種用于文本分類的類別注意力模塊（Category Attention Module，CAB），并結合預訓練模型ERNIE和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡（Convolutional Neural Networks，CNN）構建了一個用于稀土專利文本分類的創(chuàng)新模型ERNIE-CAB-CNN。模型使用ERNIE對專利文本進行向量化，得到語義信息更加豐富的向量表示后，通過CAB為文本中各個類別的重要特征賦予較高權值，使模型可以更準確地區(qū)分不同類別的特征。最后用CNN進一步提取文本中其他關鍵局部特征，得到的最終文本向量表示用于分類。通過Patsnap專利數(shù)據(jù)庫官方網(wǎng)站檢索下載稀土專利數(shù)據(jù)構建數(shù)據(jù)集進行實驗，實驗結果表明，稀土專利文本分類模型ERNIE-CAB-CNN在測試集上分類的準確率、精確率、F1分數(shù)分別為82.68％、83.2％、82.06％，取得了良好的分類效果。

發(fā)表于：2025/1/20

基于動態(tài)自適應計算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡加速器設計

現(xiàn)有面向高效輕量化MobileNetV3網(wǎng)絡的加速方法通常采用高度定制的計算引擎進行模型計算，從而限制了加速器的可擴展性使其僅適用于小型網(wǎng)絡或資源豐富的硬件平臺。針對此問題，提出了基于動態(tài)自適應計算引擎的MobileNetV3網(wǎng)絡加速器。首先，設計了局部感知區(qū)域卷積的流水線推理架構實現(xiàn)特征、權重的高度并行處理和緩沖調(diào)度。其次，提出全局自適應的點卷積方法優(yōu)化點卷積，并結合空間探索獲得最優(yōu)的參數(shù)配置以實現(xiàn)最大計算并行性。此外，加速器可以根據(jù)模型參數(shù)變化動態(tài)配置以適應不同場景。實驗結果顯示加速器推理速度為8 F/s，是現(xiàn)有方法速度的2.7倍。

發(fā)表于：2025/1/20

我國專家成功當選國際電工委員會核儀器儀表技術委員會主席

1 月 20 日消息，據(jù)央視新聞今日援引國家標準委消息，經(jīng)國際電工委員會（IEC）相關技術委員會及 IEC 標準化管理局兩輪投票選舉，近日，來自我國中核集團的專家肖晨當選國際電工委員會核儀器儀表技術委員會（IEC / TC 45）主席。

發(fā)表于：2025/1/20

力積電將攜手臺積電開發(fā)六層晶圓堆疊技術

1月20日消息，業(yè)內(nèi)傳聞顯示，晶圓代工廠商力積電在AI制程關鍵中介層技術方面獲得了臺積電認證，將協(xié)同臺積電打入英偉達、AMD等AI巨頭供應鏈，并攜手臺積電完成開發(fā)四層晶圓堆疊（WoW）技術，現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊，技術比三星更強，有望抓住AI商機，推動業(yè)績增長。

發(fā)表于：2025/1/20

傳臺積電將再建兩座CoWoS先進封裝廠

1月20日消息，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道稱，為應對旺盛的CoWoS先進封裝產(chǎn)能需求，傳聞臺積電計劃在南科三期再蓋兩座CoWoS新廠，投資金額估逾新臺幣2,000億元。如果再加上臺積電正在嘉科園區(qū)建設的CoWoS新廠，業(yè)界預期，臺積電短期內(nèi)總計將擴充八座CoWoS廠，其中，南科至少有六座，以實際擴產(chǎn)行動回應此前的CoWoS砍單傳聞。

發(fā)表于：2025/1/20

美國商務部宣布投資14億美元支持四個先進封裝項目

當?shù)貢r間1月17日消息，美國商務部宣布，“芯片法案”國家先進封裝制造計劃（NAPMP）已敲定 14 億美元的獎勵資金，以加強美國在先進封裝領域的領導地位，并使新技術得到驗證并大規(guī)模過渡到美國制造。這些獎項將有助于建立一個自給自足、大批量的國內(nèi)先進封裝行業(yè)，其中先進節(jié)點芯片在美國制造和封裝。

發(fā)表于：2025/1/20

SK海力士有望2月啟動業(yè)界最先進1c nm制程DRAM量產(chǎn)

1 月 17 日消息，韓媒 MT（注：全稱 MoneyToday）當?shù)貢r間今日報道稱，SK 海力士近日已成功完成內(nèi)存業(yè)界最先進 1c 納米制程 DRAM 的批量產(chǎn)品認證，連續(xù)多個以 25 塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達到要求。 SK 海力士有望在完成量產(chǎn)交接手續(xù)后于 2 月初正式啟動 1c 納米 DRAM 量產(chǎn)。

發(fā)表于：2025/1/20

臺積電確認已在美國大規(guī)模生產(chǎn)4nm芯片

1 月 18 日消息，據(jù)外媒 Tom's Hardware 報道，臺積電確認其美國亞利桑那州的 Fab 21 晶圓廠在 2024 年第四季度已開始進入大批量生產(chǎn) 4nm 工藝（N4P）工藝芯片。

發(fā)表于：2025/1/20

全國首條AMOLED用第8.6代金屬掩膜版生產(chǎn)線開建

1 月 19 日消息，據(jù)“湖北工信”消息，1 月 13 日，第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線項目在黃石經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)開工?，F(xiàn)場，中國科學院院士歐陽鐘燦介紹，作為全球首批、全國首條第 8.6 代金屬掩膜版生產(chǎn)線，項目將填補國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈空白。

發(fā)表于：2025/1/20

美國商務部宣布向ADI等提供2.464億美元補貼

美國商務部宣布向ADI/Coherent/IntelliEPI/Sumika提供2.464億美元補貼

發(fā)表于：2025/1/20