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曝中芯國際測試首款國產(chǎn)DUV光刻機(jī)

9月17日消息，據(jù)報道，中芯國際正在測試由上海初創(chuàng)公司宇量昇生產(chǎn)的深紫外線（DUV）光刻機(jī)，正測試的光刻機(jī)采用浸沒式技術(shù)，類似于ASML所采用的技術(shù)。

發(fā)表于：9/18/2025

Figure AI超390億美元估值沖刺人形機(jī)器人量產(chǎn)

9月18日，forbes報道稱，人形機(jī)器人公司Figure AI宣布完成C輪融資，籌得超過10億美元，投后估值達(dá)390億美元。這筆資金將用于擴(kuò)大機(jī)器人生產(chǎn)、建立英偉達(dá)（NVIDIA）GPU 基礎(chǔ)設(shè)施以加速訓(xùn)練和模擬，以及開展人類工作和生活的數(shù)據(jù)收集。公司首席執(zhí)行長布雷特·愛德考克（Brett Adcock）在 YouTube 影片中表示，F(xiàn)igure 的目標(biāo)是解決通用機(jī)器人的問題，并強(qiáng)調(diào)目前的技術(shù)使這一目標(biāo)成為可能。

發(fā)表于：9/18/2025

多通道大功率氮化鎵T/R組件模塊散熱技術(shù)研究

總結(jié)了多通道大功率T/R組件散熱設(shè)計中面臨的問題和挑戰(zhàn)，分析了各種散熱方案的散熱能力。微通道和歧管微通道散熱技術(shù)在高熱流密度散熱場景得到廣泛關(guān)注，成為大功率、高熱流密度集成電路一種有效散熱手段，同時多通道的流量分配是影響溫度均勻性的重要因素。應(yīng)用上述技術(shù)，提出一種應(yīng)用于多通道T/R組件模塊散熱方案的設(shè)計方法并應(yīng)用在具體散熱方案設(shè)計中，采用計算流體動力學(xué)方法對各種方案分析比較和評價，嵌入載臺的歧管微通道及并聯(lián)分流方案，可有效解決局部功率密度大于500 W/cm2的多通道T/R組件冷卻問題，熱阻和通道間溫度均勻度小于2℃。

發(fā)表于：9/17/2025

傳英偉達(dá)將成臺積電A16制程首家客戶

9月15日消息，據(jù)外媒Wccftech報道，有市場傳聞稱，英偉達(dá)（NVIDIA）將成為臺積電A16（1.6nm）制程的首位客戶，如果修消息屬實(shí)，這將是英偉達(dá)重大的策略改變，因?yàn)檫^去英偉達(dá)大都依賴臺積電的落乎最先進(jìn)制程兩三代的制程。

發(fā)表于：9/17/2025

億門級層次化物理設(shè)計時鐘樹的研究

傳統(tǒng)的展平式物理設(shè)計已不能滿足VLSI的設(shè)計需求，層次化物理設(shè)計已成為VLSI設(shè)計的主流方法。在VLSI層次化物理設(shè)計過程中，頂層寄存器和子模塊內(nèi)寄存器的時鐘樹偏差對整個芯片時序收斂有很大的影響。針對億門級層次化頂層物理設(shè)計時鐘樹無法讀取到子模塊中的時鐘樹延時，導(dǎo)致最終頂層寄存器和子模塊內(nèi)寄存器時鐘偏差過大的問題，提出了在頂層時鐘樹綜合階段設(shè)置子模塊實(shí)際時鐘延遲的方法，有效地減小頂層寄存器和子模塊內(nèi)寄存器的時鐘偏差，為后續(xù)的時序優(yōu)化提供了有效保障。

發(fā)表于：9/16/2025

Littelfuse推出600 W SZSMF6L系列瞬態(tài)抑制二極管

伊利諾伊州羅斯蒙特，2025 年 9 月 16 日 - Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力

發(fā)表于：9/16/2025

設(shè)計參數(shù)對射頻SOI開關(guān)功率承受能力影響研究

通過比較分析研究射頻開關(guān)管寬度與堆疊級數(shù)變化和柵極與體區(qū)偏置電阻對射頻開關(guān)性能的影響，主要包括前兩級射頻開關(guān)管寬度、不同級數(shù)射頻開關(guān)管寬度、逐步變化射頻開關(guān)管寬度和偏置電阻等設(shè)計參數(shù)，對射頻開關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響。研究結(jié)果為射頻開關(guān)電路設(shè)計提供參考。

發(fā)表于：9/16/2025

從棕地工廠到智能工廠

要打造一座具有自動化水平、能夠應(yīng)對多變市場環(huán)境的工廠，首要任務(wù)是制定規(guī)劃。依托完善的規(guī)劃，制造商能更輕松地將自動化功能融入生產(chǎn)線。為確保新舊系統(tǒng)協(xié)同運(yùn)轉(zhuǎn)，制造商需要借助全面數(shù)字孿生的仿真能力，不僅有助于實(shí)現(xiàn)無縫銜接，避免繁瑣操作，還支持多種節(jié)約資源的測試方法，為車間帶來靈活、具韌性的運(yùn)營模式。

發(fā)表于：9/16/2025

臺積電拿下38%的全球晶圓代工2.0市場

9月16日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)CounterpointResearch最新公布的數(shù)據(jù)顯示，受益于人工智能（AI）、高性能計算（HPC）芯片旺盛需求，2025年第二季全球半導(dǎo)體代工市場達(dá)到了417億美元。其中，臺積電的市占率高達(dá)70.2%，當(dāng)季營收突破302億美元，較上季增長18.5%。

發(fā)表于：9/16/2025

不懼實(shí)體清單復(fù)旦微發(fā)公開信硬剛美國

當(dāng)?shù)貢r間9月12日，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布公告，以存在“違背美國國家安全或外交政策利益”的行為為由，宣布將包括復(fù)旦微電子及其多家子公司在內(nèi)的23家中國實(shí)體列入了實(shí)體清單。 9月14日晚間，復(fù)旦微電子通過公眾號發(fā)布了一篇題為《堅定自主發(fā)展守護(hù)長期價值——致廣大投資者與合作伙伴》的公開信，疑似是回應(yīng)被列入“實(shí)體清單”一事。在該公開信當(dāng)中，復(fù)旦微電子還透露，公司已在FPAI異構(gòu)融合架構(gòu)芯片方向建立研發(fā)平臺，構(gòu)建從4TOPS至128TOPS的算力芯片全譜系研發(fā)布局，首顆32TOPS產(chǎn)品推廣進(jìn)展良好。

發(fā)表于：9/16/2025

前研發(fā)主管揭秘臺積電三大支柱

近日，臺積電前技術(shù)研發(fā)暨企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁獲選工研院院士，他表示，技術(shù)領(lǐng)先、卓越制造及客戶信任是臺積電三大支柱，是臺積電能夠提升戰(zhàn)力達(dá)到今天地位不可缺少的要素。

發(fā)表于：9/16/2025

銀湖資本完成對Altera的51%股權(quán)收購

北京時間9月15日晚間，全球 FPGA 創(chuàng)新技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者 Altera 宣布，全球技術(shù)投資巨頭銀湖資本（Silver Lake）已完成對 Altera 51% 股權(quán)的收購，該股權(quán)原由英特爾公司持有。同時，英特爾將保留 Altera 49% 的股權(quán)，此舉也彰顯了雙方對 Altera 未來良好發(fā)展充滿信心。

發(fā)表于：9/16/2025

AMD攜手武漢紡織大學(xué)共啟AI+紡織創(chuàng)新篇章

今年9月14日上午，AMD與武漢紡織大學(xué)人工智能學(xué)院共同建立的AI+紡織聯(lián)合創(chuàng)新中心正式揭牌成立。

發(fā)表于：9/15/2025

臺積電等廠商加速FOPLP技術(shù)布局

9 月 14 日消息，臺積電等半導(dǎo)體廠商正在加快推進(jìn)面板級扇出封裝（FOPLP）技術(shù)的研發(fā)，這一新型封裝技術(shù)正在快速獲得行業(yè)關(guān)注。據(jù)中國臺灣《工商時報》報道，供應(yīng)鏈消息顯示，目前 FOPLP 機(jī)臺已經(jīng)出貨，客戶導(dǎo)入測試良率達(dá)九成，但大尺寸應(yīng)用仍處于“驗(yàn)證及小規(guī)模試產(chǎn)”階段，量產(chǎn)尚需考慮風(fēng)險與成本。

發(fā)表于：9/15/2025

美國模擬芯片對華傾銷幅度高達(dá)300%

9 月 14 日消息，昨日晚間，商務(wù)部宣布對原產(chǎn)于美國的進(jìn)口相關(guān)模擬芯片發(fā)起反傾銷立案調(diào)查。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會提交的申請文件，相關(guān)美國生產(chǎn)商包括四家，分別是德州儀器、ADI、博通、安森美。江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會提交的初步證據(jù)顯示，申請調(diào)查期內(nèi)，原產(chǎn)于美國的申請調(diào)查產(chǎn)品的價格持續(xù)大幅下降，對華出口的傾銷幅度高達(dá) 300% 以上，申請調(diào)查產(chǎn)品占中國市場份額年均高達(dá) 41%。

發(fā)表于：9/15/2025