意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-GateBipolarTransistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應用的能效和耐用性。

意法半導體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20kHz開關(guān)頻率下更高效地工作。

此外，新款1200V IGBT提供集成高速恢復反并聯(lián)二極管的選項，以助力開發(fā)人員優(yōu)化硬開關(guān)電路的性能，使用續(xù)流二極管大幅降低開關(guān)電路的能源損耗。

新款I(lǐng)GBT的耐用性極強，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5µs(在150°C 初始結(jié)溫時)。最大工作結(jié)溫擴大到175°C，有助于延長產(chǎn)品的使用壽命，簡單化系統(tǒng)散熱設計。寬安全工作區(qū)(SOA，Safe Operating Area)提升大功率應用的工作可靠性。

優(yōu)異的防電磁干擾（EMI，electromagnetic interference）是新產(chǎn)品的另一大優(yōu)點，這歸功于新系列產(chǎn)品在開關(guān)過程中取得近乎理想的波形，令競爭產(chǎn)品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數(shù)，結(jié)合器件之間參數(shù)分布緊密，使其在大功率應用中實現(xiàn)更安全的并行工作。

意法半導體的H系列IGBT現(xiàn)已量產(chǎn)，采用TO-247封裝，有15A、25A和40A三個型號。

詳情請瀏覽:www.st.com/igbt