《電子技術(shù)應(yīng)用》
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不僅僅是臺積電 英特爾新工藝進(jìn)展緩慢

2015-01-22

    半導(dǎo)體工藝邁過20nm大關(guān)之后,各大巨頭似乎都被1Xnm工藝忙得焦頭爛額。前有16nm連續(xù)跳票、第三季度才能量產(chǎn),后有三星14nm FinFET工藝克服此前問題剛剛上道。而近日在半導(dǎo)體工藝遙遙領(lǐng)先的也有些力不從心,Intel CEO科再奇近日的談話暗示,10nm‘還在繼續(xù)研究,尚未確立時(shí)間表’。

  據(jù)悉,如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式,后續(xù)進(jìn)展順利的話,Intel應(yīng)該在2016年底推出10nm工藝新品,據(jù)說代號為 “Cannonlake”,取代這兩年的14nm Broadwell/Skylake,但情況極為不樂觀。而根據(jù)科柯再奇近日的公開談話暗示,意味著10nm新品2016年底面世的可能性不大。

  半導(dǎo)體工藝?yán)洗?span id="2m17k6k" class="contentlabel">英特爾進(jìn)展緩慢,緊隨的小弟更是如此。近來關(guān)于16nm Fin FET工藝進(jìn)展不順的風(fēng)言風(fēng)語很多,比如說設(shè)備安裝推遲到下半年,大規(guī)模量產(chǎn)可能得等明年了,迫使高通、蘋果兩大客戶紛紛投靠三星14nm Fin FET。

  

  英特爾先進(jìn)工藝進(jìn)展緩慢

  在近日的投資者大會上,董 事長張忠謀也承認(rèn),2015年的Fin FET技術(shù)市場上,臺積電將會輸給三星,但在2017-2018年,臺積電將會實(shí)現(xiàn)反超。他同時(shí)披露說,已經(jīng)有50多名客戶利用臺積電16nm Fin FET工藝完成了新品流片工作,大多數(shù)會在2015年第三季度投入量產(chǎn),新工藝也將在第四季度貢獻(xiàn)5-10%的收入。

  這基本就表明了,2015年中量產(chǎn)已經(jīng)不可能,而從收入比例上看,所謂的第三季度量產(chǎn)也僅僅是個(gè)開始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推測基本相符。

  看來不僅僅GPU制造工藝進(jìn)展緩慢,連英特爾的CPU工藝也開始逐漸放緩了。由于芯片制造工藝的拖延放緩,恐怕提高處理器性能的唯一手段就是從架構(gòu)上面改善了。畢竟工藝只是一個(gè)代工過程,架構(gòu)設(shè)計(jì)的好才是真材實(shí)料。

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