開發(fā)出了高品質(zhì)單晶硅的低成本制造技術(shù)?；静恍枰M行新投資即可生產(chǎn)品質(zhì)高于以往的單晶硅，實現(xiàn)以低成本生產(chǎn)高效率太陽能電池。

　　在單晶硅制造方法中，人們比較熟悉的是“CZ法”，利用石英玻璃制成的圓形坩堝將原料硅熔化，通過向上提拉硅熔體，使其變成晶體。但硅熔體的溫度約為1400度，坩堝中會發(fā)生熱對流，導(dǎo)致石英坩堝壁熔解，因此生產(chǎn)出來的硅晶體中含有氧及重金屬等雜質(zhì)。

　　在高品質(zhì)單晶硅制造方法中，最為有名的是“MCZ法”，這種方法著眼于硅熔體為液體金屬這一點，從坩堝外部施加磁場來抑制對流。但是，MCZ法需要使用超導(dǎo)磁鐵設(shè)備，不適合用于亟需降低成本的太陽能電池用途。

　　此次開發(fā)的“LCZ法”使用對內(nèi)壁表層（潑液層，Liquinert層）進行特殊處理使其排斥熔體的坩堝。不使用磁場，采用普通的CZ法即可抑制坩堝的熔化，因此能以更低的成本制造高品質(zhì)單晶硅。此次采用LCZ法成功制造出了實用尺寸的200mm直徑單晶硅。

　　單晶硅的品質(zhì)可通過使用期（LifeTime）這一物理量來進行定量性的測量。此次的使用期測量結(jié)果顯示，用LCZ法生產(chǎn)的單晶硅擁有與MCZ晶體同等或者更高的品質(zhì)。而且，還利用LCZ硅制作硅基板，并試制出了標(biāo)準(zhǔn)型太陽能電池，結(jié)果發(fā)現(xiàn)與使用傳統(tǒng)結(jié)晶硅（用CZ法生產(chǎn)的單晶硅）的太陽能電池相比，轉(zhuǎn)換效率最多可提高1.03倍。

　　今后將根據(jù)需求擴充擴潑液坩堝制造設(shè)備，以降低坩堝成本。而且，還將致力于制造技術(shù)的開發(fā)，改進潑液坩堝及晶體生長技術(shù)，以滿足更高品質(zhì)結(jié)晶硅的量產(chǎn)化需求，為2020年達到14日元/kWh的發(fā)電成本目標(biāo)作出貢獻。