“解決中國芯，支撐中國未來30年的發(fā)展。”在25日于江蘇鎮(zhèn)江舉行的“集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新（鎮(zhèn)江）高端對話會”上，中科院微電子所所長、02專項專家組組長葉甜春表示，在國家重大專項等的持續(xù)推動下，中國初步完成了集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的構建，一批企業(yè)開始脫穎而出。接下來，國家的持續(xù)投入對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關重要，技術上則要走向重視原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新的新路徑。中芯國際技術研究發(fā)展顧問吳漢明等則詳細闡述了產(chǎn)業(yè)面臨的機遇和挑戰(zhàn)，揭示中國在成熟制程領域的后發(fā)優(yōu)勢和先進制程領域彎道超車的機會。

　　產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)投入

　　在葉甜春看來，必須解決“中國芯”問題，才能支撐中國未來30年的發(fā)展。集成電路技術是國家實力的戰(zhàn)略制高點，這個融合了40多種科學技術及工程領域多種交叉學科和尖端制造技術的領域，對制造裝備、精密機械、精密儀器、自動化、精細化工和新材料業(yè)有直接的帶動。

　　值得關注的是，據(jù)葉甜春介紹，武漢新芯與中科院微電子所聯(lián)合完成了39層3D-NAND工藝流程搭建和原型結構開發(fā)，各項結構參數(shù)達到要求，開始產(chǎn)品試制。近期紫光集團收購武漢新芯多數(shù)股權后，成立長江存儲科技有限責任公司，由趙偉國出任董事長。紫光旗下紫光國芯（37.630， -0.46， -1.21%）為其存儲器整合平臺，作為國內(nèi)存儲器設計第一梯隊公司，紫光國芯除定增募資800億元籌建存儲廠外，近期還斥資1億元成立全資子公司紫光國芯微電子，進一步拓展IC設計業(yè)務領域。對此，美光半導體公司相關人士表示，武漢新芯在3D-NAND領域取得的進展令人震驚和欣喜，這顯示其跟國內(nèi)其他廠相比，已經(jīng)成為具有國際化人才和技術的公司。資料顯示，目前，在3D-NAND領域，三星量產(chǎn)了48層產(chǎn)品，64層和90層正在研發(fā)中。

　　在國家的大力支持和國家重大專項等引領下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)整個產(chǎn)業(yè)鏈布局已基本完善，一批企業(yè)脫穎而出。葉甜春介紹說，封裝技術從低端走向高端，技術達到國際先進水平；關鍵裝備和材料實現(xiàn)從無到有，部分產(chǎn)品進入14nm研發(fā)，制造工藝更是取得長足發(fā)展，28nm進入量產(chǎn)，14nm研發(fā)獲得突破；系統(tǒng)級芯片設計能力與國際先進水平的差距大幅縮小。其中，中微半導體、北方微電子（已被七星電子（41.000， 1.85， 4.73%）并購）、七星華創(chuàng)、睿勵科學儀器、上海盛美、沈陽拓荊等一批公司嶄露頭角。

　　葉甜春進一步強調(diào)，國家和企業(yè)的持續(xù)投入對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關重要。歷史上，由于沒有連續(xù)性投入導致我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展間歇性停滯，其結果是與國際先進的差距愈來愈大。為此，國家應在重大專項和重點科技計劃上進一步加大力度，投資特別是技術研發(fā)資金的投入必須有持續(xù)性，才能跟得上國際步伐。

　　技術進入原始創(chuàng)新

　　葉甜春認為，中國集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入一個由追趕到原創(chuàng)的新階段，新形勢下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)應更注重創(chuàng)新，特別是原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新。

　　以往，中國的集成電路走的是“引進消化吸收再創(chuàng)新”的路子，產(chǎn)業(yè)和企業(yè)的發(fā)展都處于“追趕模式”。但隨著制程的演進和中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，一方面自身加快研發(fā)，一方面實施并購整合，中國集成電路產(chǎn)業(yè)和技術都達到了一個新的高度。緊跟領先者的情況下，不再有那么多的他人經(jīng)驗可借鑒，與國外一樣，中國集成電路產(chǎn)業(yè)開始進入“摸著石頭過河”的探索階段。

　　葉甜春表示，中國集成電路要保持后勁，就必須對創(chuàng)新更加重視，加強基礎研究、培育原始創(chuàng)新和集成創(chuàng)新刻不容緩。創(chuàng)新的重點：一是面向產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和社會服務智能化，開展全局性、系統(tǒng)性、集成性創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新；二是從跟隨戰(zhàn)略轉向創(chuàng)新跨越，在全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈中形成自己的特色，這就要立足中國市場實現(xiàn)世界創(chuàng)新，在若干核心技術領域形成具有特色的創(chuàng)新技術和創(chuàng)新產(chǎn)品，通過產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，從技術創(chuàng)新轉入商業(yè)模式創(chuàng)新。

　　后發(fā)優(yōu)勢與機遇

　　值得關注的是，在本次高端對話會上，基于后摩爾時代來臨，吳漢明等詳細闡述了產(chǎn)業(yè)面臨的機遇和挑戰(zhàn)，揭示了中國在成熟制程領域的后發(fā)優(yōu)勢和先進制程領域彎道超車的機會。

　　在摩爾制程內(nèi)，面對國際半導體巨頭半個世紀的積累和持續(xù)高額的科研投入，中國的產(chǎn)業(yè)基礎和科研投入都決定了很難與其爭鋒，只能縮小與世界先進的差距。不過，在摩爾制程突破越來越難、半導體應用技術出現(xiàn)巨大轉機的情況下，中國有望在“后摩爾時代”出奇制勝，在成熟制程領域凸顯后發(fā)優(yōu)勢，在先進制程領域彎道超車。

　　在后摩爾時代，中國集成電路產(chǎn)業(yè)具有彎道超車的機會。吳漢明認為，在后摩爾時代，碎片化的市場將帶來混亂和大量的摧毀性創(chuàng)意，大量基礎創(chuàng)新涌現(xiàn)，基礎研究的機遇空前；市場則呈現(xiàn)出多樣化的發(fā)展，如物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、射頻（RF）、MEMS和傳感器等，集成電路設計公司大有可為；產(chǎn)業(yè)鏈整體創(chuàng)新機遇凸顯，尤其是在設計環(huán)節(jié)，包括設計IP的公共平臺建設。

　　在泛林半導體中國區(qū)總經(jīng)理劉二壯看來，物聯(lián)網(wǎng)將給集成電路產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展動力，極大延長成熟制程技術和工廠的壽命。物聯(lián)網(wǎng)對低成本、低功耗、高效率的要求，給集成電路材料、封裝和制造提出新的要求和發(fā)展動力，帶動了寬禁帶半導體材料、SIP封裝等技術發(fā)展，使得中國集成電路產(chǎn)業(yè)有機會與國際巨頭在同一起跑線上競爭。此外，鑒于物聯(lián)網(wǎng)中半導體器件將有80%是采用28nm以下成熟工藝，這將大大延長那些8英寸廠甚至6英寸廠的生命，給了中國集成電路成熟制程領域更多的發(fā)展機遇，使得中國在成熟制程領域凸顯出后發(fā)優(yōu)勢。