一种高线性调整率无电容型LDO的设计
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上傳者：aet
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文檔介紹：提出了一种1.8 V、70 mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器，通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性；带隙基准源（BGR）采用了线性化VBE技术进行高阶补偿，可以获得温度稳定性更好的BGR，降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC 0.13μm CMOS工艺（其中VTHN≈0.78 V、VTHP≈-0.9 V），整个芯片面积为0.33 mm×0.34 mm。测试结果显示：在2.5 V~5.5 V电源供电下，LDO输出的线性调整率小于2.14 mV/V，负载调整率小于1.56 mV/mA；在正常工作模式下，整个LDO消耗56μA静态电流（其中测试用的放大器消耗电流约18 μA）。
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