繼傳臺(tái)積電將收購(gòu)以揮軍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)以來(lái)，富士康也宣布鎖定這一市場(chǎng)，一時(shí)間，存儲(chǔ)器市場(chǎng)風(fēng)云再起，將為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些巨變？

　　出路

　　存儲(chǔ)器的重要性無(wú)須多言，Gartner統(tǒng)計(jì)顯示，2017年其市場(chǎng)規(guī)模就高達(dá)1300億美元。而在經(jīng)過(guò)幾十年的洗禮之后，強(qiáng)周期因子的存儲(chǔ)器業(yè)版圖也已劃定，DRAM玩家從80年代的40~50家，已巨變成為三星、SK海力士和美光三強(qiáng)。而在另一大主力閃存中的NAND閃存陣列中，也已是三星、西部數(shù)據(jù)、美光和SK海力士的天下。

　　然而走到今天，現(xiàn)有的存儲(chǔ)技術(shù)暴露出一些“硬傷”，如SRAM、DRAM的問(wèn)題在于其易失性，而FLASH、EEPROM的寫入速度慢，且寫入算法比較復(fù)雜，無(wú)法滿足實(shí)時(shí)處理系統(tǒng)中高速、高可靠性寫入的要求，且功耗較高。因而，尋求替代性的解決方案成為業(yè)界重要議題，各種眼花繚亂的3D XPoint、鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)、相變存儲(chǔ)器(PRAM)、磁存儲(chǔ)器(MRAM)、阻變存儲(chǔ)器(RRAM) 等層出不窮，而且各有擁躉。

　　而存儲(chǔ)器的三大衡量標(biāo)準(zhǔn)包括成本、效能、可微縮性與密度等，雖然下一代技術(shù)各自擁有一些令人印象深刻的“特長(zhǎng)”，但它們要么被推遲，要么未能實(shí)現(xiàn)承諾，投入大規(guī)模生產(chǎn)也一直是一大難題。因而要開辟出目前存儲(chǔ)器無(wú)法滿足的利基，甚至搶占DRAM和閃存的部分市場(chǎng)，局勢(shì)仍不明朗。

　　如果不找到某些特定應(yīng)用，或者是嵌入式存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，那么這些下一代存儲(chǔ)器很可能是明日黃花。但隨著云計(jì)算、AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等的發(fā)展，面向特定應(yīng)用的通用型市場(chǎng)需求開始呈現(xiàn)，而能夠匹配高速運(yùn)算、同時(shí)滿足低功耗與耐用性需求的嵌入式存儲(chǔ)器需求也扶搖直上，成為解救下一代新型存儲(chǔ)器的新藥方。

　　進(jìn)展

　　經(jīng)過(guò)多年的沉浮，下一代存儲(chǔ)器進(jìn)展也各有千秋。

　　在MRAM方面，英特爾、美光和東芝與SK海力士都在投入，同時(shí)如Everspin、Avalanche、Crocus、STT都正在開發(fā)。此外，在嵌入式MRAM即eMRAN領(lǐng)域，全球主要代工廠都在全力以赴，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。

　　至于RRAM，則被業(yè)界認(rèn)為最有機(jī)會(huì)成為下一代主流存儲(chǔ)器的技術(shù)，也是目前投入研發(fā)廠商最多的，包含Adesto、Crossbar、三星、美光、SK海力士和英特爾等。在中國(guó)臺(tái)灣，工研院也成功研發(fā)出RRAM的生產(chǎn)技術(shù)，并已在8英寸晶圓試產(chǎn)，未來(lái)將會(huì)與臺(tái)灣的存儲(chǔ)器業(yè)者合作，導(dǎo)入12英寸晶圓的制程尋求量產(chǎn)的機(jī)會(huì)。

　　而去年臺(tái)積電技術(shù)論壇也首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM和eRRAM分別將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22納米制程。

　　3D XPoint技術(shù)的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)，并采用柵狀電線電阻來(lái)表示0和1，原理類似RRAM。FRAM方面主要有富士通和賽普拉斯，主要面向汽車電子應(yīng)用。

　　而從市場(chǎng)來(lái)看，與DRAM和NAND相比，新型存儲(chǔ)器仍顯得很“蒼白”。MKW預(yù)計(jì)，3D XPoint的銷售額到2018年將達(dá)到7.5億美元，2020年預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。相比之下，根據(jù)Coughlin Associates和Objective Analysis的報(bào)告，MRAM在2017年的營(yíng)業(yè)額為3600萬(wàn)美元。

　　在大量押注之后，到底哪些新型存儲(chǔ)器能重寫DRAM和NAND的輝煌呢？重要的是參與者的角力。

　　算盤

　　而最近臺(tái)積電有意并購(gòu)、進(jìn)軍存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的傳聞甚囂塵上，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音也發(fā)言透露對(duì)存儲(chǔ)器的關(guān)注。其實(shí)臺(tái)積電布局存儲(chǔ)器由來(lái)已久，在2017年已宣布具備eMRAM和eRRAM嵌入式技術(shù)，其研發(fā)目標(biāo)就是要達(dá)成更高效能、更低電耗與更小體積，以滿足未來(lái)需求。

　　可以說(shuō)，臺(tái)積電是有備而來(lái)，即意在加速IC與存儲(chǔ)器整合的嵌入式方案，以達(dá)成最佳傳輸性能的同時(shí)縮小芯片體積，打造真正的3D IC，應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求對(duì)功耗、體積和速度的不斷挑戰(zhàn)。

　　而并購(gòu)會(huì)改變臺(tái)積電的策略嗎？雖然其早在2017年?yáng)|芝業(yè)務(wù)并購(gòu)案中，就曾考慮參與競(jìng)購(gòu)，從而進(jìn)入NAND領(lǐng)域，但后來(lái)因多方考量而放棄。“臺(tái)積電做存儲(chǔ)器肯定不會(huì)做通用型，與三星、美光競(jìng)爭(zhēng)，因?yàn)橥ㄓ眯兔?，?jìng)爭(zhēng)激烈，而嵌入式存儲(chǔ)器是有需求的，5G和物聯(lián)網(wǎng)起來(lái)之后，很多是側(cè)重在嵌入式的使用，還有諸多新型存儲(chǔ)器的未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)很可能是在嵌入式領(lǐng)域，通用型還難以看到?！蹦硺I(yè)內(nèi)人士表示。

　　業(yè)內(nèi)知名專家莫大康也表示，臺(tái)積電做通用存儲(chǔ)器的風(fēng)險(xiǎn)大，還不如代工，前后道是它的強(qiáng)項(xiàng)。值得注意的是，新成立的珠海興芯存儲(chǔ)科技有限公司就由臺(tái)積電離職員工創(chuàng)辦。

　　而與此相呼應(yīng)的是另一巨頭富士康也殺入其中。此前曾有消息稱，富士康曾向出售存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的東芝開出了3萬(wàn)億日元（約合270億美元）的報(bào)價(jià)，在競(jìng)購(gòu)者的出價(jià)中排名第一。但富士康在這樁競(jìng)購(gòu)中卻被日本方面不認(rèn)可，但由此可見富士康的野心。

　　眾所周知，富士康是全球最大的手機(jī)代工廠，但近年來(lái)富士康也正在努力擺脫“代工廠”這個(gè)標(biāo)簽。為了實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，富士康大力布局工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)，以其旗下子公司為主體登陸A股。此外，富士康近年來(lái)還一直在布局半導(dǎo)體領(lǐng)域。富士康投資了數(shù)家半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，并已正式成立半導(dǎo)體事業(yè)集團(tuán)，涵蓋制造、設(shè)計(jì)、軟件及存儲(chǔ)器等，并正在考慮建造兩座12英寸晶圓廠。

　　據(jù)悉，富士康認(rèn)為存儲(chǔ)器持續(xù)往3D堆疊發(fā)展并有新技術(shù)崛起，可能會(huì)進(jìn)入到新一代存儲(chǔ)，如類似MRAM等，以應(yīng)對(duì)因AI等領(lǐng)域不斷發(fā)展而出現(xiàn)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)中心需求。并且，富士康還在與SK集團(tuán)、臺(tái)灣的存儲(chǔ)大廠旺宏在技術(shù)層面合作。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，做新型存儲(chǔ)關(guān)鍵是要把生態(tài)鏈做起來(lái)，持續(xù)的投錢，不怕虧損，把各類供應(yīng)商都培養(yǎng)起來(lái)，系統(tǒng)商都習(xí)慣用了，就好辦了。

　　而國(guó)內(nèi)三大廠商在市場(chǎng)的內(nèi)外夾擊之下，在價(jià)格的振蕩起伏之下，在新型技術(shù)山雨欲來(lái)之際，仍需加快修煉。