曾任爾必達(dá)存儲器公司社長的坂本幸雄。日前接受日本經(jīng)濟(jì)新聞采訪時談到了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)差距。

　　談到中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的實(shí)力時，坂本幸雄認(rèn)為，中國占世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的份額為15％。不過，其中美國英特爾等外資企業(yè)占6成，而中國企業(yè)的份額僅為4成。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在從零開始創(chuàng)造價值的研發(fā)方面缺乏經(jīng)驗(yàn)。

　　坂本幸雄認(rèn)為，在DRAM領(lǐng)域處于中國頂尖水平的長鑫存儲技術(shù)（CXMT）與三星相比落后4代左右。而在NAND閃存領(lǐng)域，據(jù)稱中國頂尖的長江存儲科技（YMTC）將啟動（存儲元件為）128層的量產(chǎn)，雖已啟動192層的試生產(chǎn)，但制造的數(shù)量過少，達(dá)不到討論競爭力的水平。

　　在談到中芯國際時， 坂本幸雄表示中芯國際是中國最頂尖的半導(dǎo)體制造商，但產(chǎn)品的最細(xì)電路線寬也只是14納米，這已是7、8年前的技術(shù)。世界頂尖的臺積電正在開發(fā)2納米的產(chǎn)品，差距并未縮小。中芯國際以工序管理的工程師為中心，或許難以推進(jìn)新技術(shù)的開發(fā)。由于美國的制裁，還難以引進(jìn)尖端的生產(chǎn)設(shè)備，無法涉足價值巨大的處理器（運(yùn)算處理裝置）的尖端領(lǐng)域。經(jīng)營資源完全被用于增加14納米以上的產(chǎn)能，如果缺乏在3～4年后追上臺積電等龍頭企業(yè)的決心，差距會不斷擴(kuò)大。