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英飛凌OptiMOS? 6產(chǎn)品組合新增TOLL、TOLG和TOLT封裝的150V MOSFET,助推汽車電氣化進程

2025-09-04
來源:英飛凌

【2025年9月4日, 德國慕尼黑訊】隨著全球汽車行業(yè)電氣化進程的加速,市場對高效、緊湊且可靠的功率系統(tǒng)的需求持續(xù)增長——不僅乘用車領域如此,電動兩輪車領域亦是如此。這些車輛需要特殊的系統(tǒng)支持,例如xEV上的高壓-低壓DC/DC轉換器和電動兩輪車上的牽引逆變器。此類系統(tǒng)必須在滿足高質量標準的同時,能夠應對技術、商業(yè)和制造方面的多重挑戰(zhàn)。為滿足上述需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其OptiMOS? 6產(chǎn)品組合,推出新型車規(guī)級150V MOSFET產(chǎn)品系列。新產(chǎn)品專為滿足現(xiàn)代電動汽車的嚴苛要求量身打造,并提供三種先進封裝選項:TOLL、TOLG和TOLT。

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這款新型車規(guī)級MOSFET系列是基于英飛凌第六代OptiMOS?技術開發(fā)而成。所有型號均提供兩種漏源電阻級別,額定電壓等級均為150V,并在同級別中實現(xiàn)最低的RDS(on),最低可達2.5 mΩ。這一特性能有效降低導通損耗,并顯著提升整體效率。在多個MOSFET并聯(lián)配置時,柵極閾值電壓(VGS(th))的緊密分布特性可實現(xiàn)理想的同步性能,這對高功率汽車系統(tǒng)尤為重要。新產(chǎn)品的另一個特點是在高頻應用中呈現(xiàn)極低的開關損耗,可在諸如現(xiàn)代DC/DC轉換器等高速開關應用中高效運行。在熱性能方面,該產(chǎn)品各型號的熱阻值可低至0.4 K/W,大幅提升了散熱能力。這種優(yōu)勢不僅減少了系統(tǒng)級散熱設計的復雜性與需求,還顯著降低了相關成本,為系統(tǒng)設計帶來更加經(jīng)濟高效的解決方案。 

三種封裝各具優(yōu)勢:10x12 mm2 TO無引線(TOLL)封裝可實現(xiàn)緊湊設計;10x12 mm2 TOLG封裝與TOLL的布局兼容并采用鷗翼引腳設計,具有優(yōu)異的熱機械應力抗性;10x15 mm2 TOLT封裝采用頂部散熱設計,可實現(xiàn)系統(tǒng)層面的高效熱量傳導,非常適用于空間受限環(huán)境中的高熱負荷應用。此外,英飛凌OptiMOS? 6 150 V MOSFET已通過英飛凌汽車質量的最高標準認證,其性能超越AEC-Q101標準要求。同時,這些器件還支持生產(chǎn)零件批準程序(PPAP),可輕松滿足最高等級的汽車生產(chǎn)要求。綜合這些特性,工程師能夠在有限的預算內(nèi)針對特定性能需求優(yōu)化系統(tǒng)設計。

 

供貨情況

OptiMOS? 6 車規(guī)級150V MOSFET系列的TOLL、TOLG和TOLT封裝版本現(xiàn)已上市。

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