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全新一代北斗三號(hào)短報(bào)文通信SoC芯片發(fā)布

全新一代北斗三號(hào)短報(bào)文通信SoC芯片發(fā)布

9月24日- 25日，第四屆北斗規(guī)模應(yīng)用國(guó)際峰會(huì)在湖南株洲隆重開(kāi)幕。華大北斗重磅發(fā)布了全新一代北斗三號(hào)短報(bào)文通信SoC芯片HD6180，并攜多款芯片與模組產(chǎn)品及豐富的芯片級(jí)解決方案。

聯(lián)發(fā)科結(jié)盟騰訊系四維圖新共同發(fā)展車聯(lián)網(wǎng)

臺(tái)灣晶片設(shè)計(jì)龍頭聯(lián)發(fā)科昨天宣布，結(jié)盟中國(guó)最大的數(shù)位地圖服務(wù)商四維圖新，聯(lián)發(fā)科先以六億美元（約兩百億臺(tái)幣）出售旗下車用電子子公司杰發(fā)給四維圖新，雙方再以不超過(guò)一億美元的策略合作，發(fā)展車用電子和車聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，成為兩岸企業(yè)合作的創(chuàng)新模式。

發(fā)表于：5/16/2016

人工智能“插足”醫(yī)療領(lǐng)域是雞肋還是正能量

若論話題熱度，人工智能無(wú)疑是近段最熱話題之一，微軟、谷歌、Facebook、IBM等科技巨頭都競(jìng)相布局人工智能，除了表面上的營(yíng)銷噱頭外，更是將其作為其業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力及轉(zhuǎn)型之需，而對(duì)于人工智能在醫(yī)療領(lǐng)域的應(yīng)用價(jià)值，業(yè)界說(shuō)法不一，那么，究竟人工智能“插足”醫(yī)療領(lǐng)域是雞肋還是正能量？

發(fā)表于：5/16/2016

智能家居朝全宅智能發(fā)展標(biāo)準(zhǔn)由市場(chǎng)決定

由OFweek中國(guó)高科技行業(yè)門戶網(wǎng)主辦、OFweek智能家居網(wǎng)、OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)和智慧生活網(wǎng)共同承辦的“OFweek 2016中國(guó)智能硬件新品發(fā)布會(huì)暨渠道對(duì)接會(huì)”于上海國(guó)際會(huì)議博覽中心完美落下了帷幕！本次會(huì)議邀請(qǐng)到了智能硬件產(chǎn)業(yè)上中下游主流供應(yīng)廠商代表、行業(yè)科研機(jī)構(gòu)專家、資深分析師及來(lái)自全國(guó)各個(gè)地區(qū)的渠道商代表等，對(duì)智能硬件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行多角度、多維度解析，旨在為中國(guó)本土優(yōu)秀的智能硬件搭建宣傳平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)渠道對(duì)接，促進(jìn)智能硬件產(chǎn)業(yè)高速、高效發(fā)展。

發(fā)表于：5/16/2016

超快激光輔助研究人員研發(fā)可編程光學(xué)芯片

來(lái)自英國(guó)南安普頓大學(xué)和法國(guó)波爾多德Optique研究所的研究人員發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制光照來(lái)使得硅芯片實(shí)現(xiàn)可編程邏輯。硅光子學(xué)是下一代芯片技術(shù)和光通信技術(shù)的根基，定位于實(shí)現(xiàn)光學(xué)互連、微波光子電路以及集成光學(xué)傳感器等新興應(yīng)用。

發(fā)表于：5/16/2016

混合加密算法的改進(jìn)和設(shè)計(jì)方案

分析了對(duì)稱加密算法AES和非對(duì)稱加密算法ECC的加密過(guò)程和特點(diǎn)，并結(jié)合兩種算法的特點(diǎn)設(shè)計(jì)了一種混合的加密體制，在避免了對(duì)稱加密算法復(fù)雜的密鑰分配體制的同時(shí)保證了加密的效率和強(qiáng)度。同時(shí)引入了改進(jìn)的數(shù)字簽名算法，在對(duì)信息來(lái)源的真實(shí)性和完整性進(jìn)行驗(yàn)證的同時(shí)，避免了復(fù)雜的模逆運(yùn)算，提高了運(yùn)算效率。

發(fā)表于：5/15/2016

一種SVM多分類算法

為了使用支持向量機(jī)(SVM)算法進(jìn)行多類分類，在SVM二分類基礎(chǔ)上，提出使用排序算法中冒泡排序的思想進(jìn)行SVM多類別數(shù)據(jù)分類。使用該方法在選取的UCI數(shù)據(jù)集進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明，在保證較高正確率的情況下，相對(duì)傳統(tǒng)一對(duì)一的多分類方法，該方法較大幅地減少了分類時(shí)間，是一種應(yīng)用性較強(qiáng)的SVM多類分類方法。

發(fā)表于：5/15/2016

基于ZnO單晶聲表面波射頻標(biāo)簽的特性研究

針對(duì)基于聲表面波技術(shù)的射頻識(shí)別系統(tǒng)工作原理，提出利用COMSOL軟件進(jìn)行ZnO單晶材料射頻波標(biāo)簽特性研究，進(jìn)行多物理域耦合建模與仿真。提取出符合聲表面波特性的模態(tài)圖，得到正特征頻率和反特征頻率分別為268 MHz和275 MHz。通過(guò)對(duì)特征頻率的仿真分析，計(jì)算ZnO單晶的相速度達(dá)到2 715 m/s；通過(guò)頻率響應(yīng)分析，畫出標(biāo)簽位移與頻率之間的關(guān)系圖，獲得了標(biāo)簽的幅頻特性；最后討論脈沖幅度編碼對(duì)回波脈沖的影響。

發(fā)表于：5/15/2016

安森美半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)展IGBT系列

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設(shè)計(jì)旨在提升工作性能水平，以符合現(xiàn)代開(kāi)關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求。這些1200伏特(V)器件能實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開(kāi)關(guān)損耗(Ets)特點(diǎn)；顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場(chǎng)截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

發(fā)表于：5/13/2016

ROHM開(kāi)發(fā)出SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS3系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開(kāi)發(fā)出非常適用于服務(wù)器和高端計(jì)算機(jī)等的電源PFC電路※1的、第3代SiC（Silicon Carbide:碳化硅）肖特基勢(shì)壘二極管(以下稱“SiC-SBD”) “SCS3系列”。

發(fā)表于：5/13/2016

Vishay的650V快速體二極管MOSFET

2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴(kuò)大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。

發(fā)表于：5/13/2016

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