MEMS封裝新趨勢概覽

在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中，MEMS封裝發(fā)展迅速，晶圓級和3D集成越來越重要。這篇文章中，我們分析了MEMS集成和封裝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢。在整個(gè)MEMS生態(tài)系統(tǒng)中，MEMS封裝發(fā)展迅速，晶圓級和3D集成越來越重要。這篇文章中，我們分析了MEMS集成和封裝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展趨勢。主要的趨勢是為低溫晶圓鍵合等單芯片集成開發(fā)出與CMOS兼容的MEMS制造工藝。另一個(gè)新趨勢是裸片疊層應(yīng)用于低成本無鉛半導(dǎo)體封裝，這種技術(shù)可為量產(chǎn)帶來更低的成本和更小的引腳封裝。此外，3D集成使LCR passives成為可能。LCR passives嵌入封裝中使外部passives最小化并且為小引腳應(yīng)用、晶圓鍵合、垂直內(nèi)封裝連接層和中介層提供便利。但是，MEMS 器件的CMOS和3D集成給建模、測試和可靠性帶來挑戰(zhàn)。 硅中介層和封裝集成 在一個(gè)疊層裸片或2.5D/3D封裝中硅中介層用來垂直連接兩個(gè)模。在微控制器和FPGA中，通常采用高引腳數(shù)量和高密度連接。這項(xiàng)技術(shù)以垂直硅通孔（TSVs）形式類似地被MEMS采用。 金屬基硅中介層通過DRIE刻蝕幾十到幾百微米的垂直溝槽，然后金屬化以制造垂直金屬導(dǎo)體。金屬和硅的熱膨脹系數(shù)錯(cuò)

發(fā)表于：8/2/2013 3:15:37 PM