頭條 全球首款主動安全AI電芯量產(chǎn) 7 月 27 日消息，7 月 23 日，德賽電池主動安全電芯?系統(tǒng)量產(chǎn)全球發(fā)布會在湖南長沙召開，此次發(fā)布會推出主動安全 AI 電芯和主動安全儲能系統(tǒng)解決方案。據(jù)悉，這也是全球首款主動安全 AI 電芯量產(chǎn)。 最新資訊 功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用 混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標及追加投入的每個硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費者將混合汽車與標準汽車進行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具有同樣的性能和可靠性。 發(fā)表于：2/10/2012 高性價比電機驅(qū)動器的能耗解決方案 計算應(yīng)用的發(fā)展引起了人們對電子產(chǎn)業(yè)如何減少能耗的廣泛關(guān)注和討論。根據(jù)電力研究協(xié)會（EPRI）的研究，機械傳動類應(yīng)用，包括電機驅(qū)動、消費類白色家電和工業(yè)用機器的能耗占全球電力消耗總量的50%以上，因此這一領(lǐng)域成為新的低能耗設(shè)計的首要目標。 發(fā)表于：2/10/2012 變頻器能耗制動方式的應(yīng)用分析 近年來，隨著變頻器本身功能的不斷完善，交流調(diào)速技術(shù)有了長足的進步。如何在不同應(yīng)用條件下充分開發(fā)變頻器自身功能、有效的降低設(shè)備的改造成本已成為一個重要問題。 發(fā)表于：2/10/2012 開關(guān)電源基于補償原理的無源共模干擾抑制技術(shù) 本文介紹了一種基于補償原理的無源共模干擾抑制技術(shù)，并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓撲中。理論和實驗結(jié)果都證明了，它能有效地減小電路中的高頻傳導共模干擾。這一方案的優(yōu)越性在于，它無需額外的控制電路和輔助電源，不依賴于電源變換器其他部分的運行情況，結(jié)構(gòu)簡單、緊湊。 發(fā)表于：2/10/2012 一種有源共模EMI濾波技術(shù)研究 實現(xiàn)了一種用于開關(guān)電源的有源EMI共模濾波器方案，并在一個半橋電路的基礎(chǔ)上應(yīng)用這種方案，對整機做了EMI傳導測試。分析與實驗結(jié)果也驗證了有源濾波器的使用對開關(guān)電源的共模傳導干擾抑制的有效性。 發(fā)表于：2/10/2012 智能儀器儀表的有效防雷途徑 雷電涌侵入導致計算機與通訊故障，當電涌超過計算機的承受能力時，將出現(xiàn)數(shù)據(jù)亂碼，芯片被擊壞，甚至損壞軟件系統(tǒng)，造成接收/輸送數(shù)據(jù)中斷。 發(fā)表于：2/10/2012 高壓變頻器在熱電廠引風機的成功應(yīng)用 本次設(shè)備改造選用了西門子羅賓康完美無諧波變頻器，型號為ph-6-6-1250，變頻器的電路圖如圖2所示。輸入隔離變壓器t1的每一個次級僅供給一個功率單元，每個功率單元通過光纖接收調(diào)制信息以產(chǎn)生負載所需要的輸出電源頻率，每個功率單元可分為整流部分、直流環(huán)節(jié)和逆變部分。 發(fā)表于：2/10/2012 安森美半導體推出降低待機能耗的突破性電源產(chǎn)品 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續(xù)開發(fā)創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。 發(fā)表于：2/10/2012 瑞薩電子宣布推出在單一封裝中集成電源轉(zhuǎn)換電路的低損耗碳化硅（SiC）功率器件系列 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。 發(fā)表于：2/10/2012 德州儀器柵極驅(qū)動器進一步壯大GaN FET 驅(qū)動器 IC 產(chǎn)品陣營 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。LM5114 可驅(qū)動同步整流器與功率因數(shù)轉(zhuǎn)換器等低側(cè)應(yīng)用中的 GaN FET 與 MOSFET。該系列加上 2011 年推出的業(yè)界首款 100 V 半橋 GaN FET 驅(qū)動器 LM5113，可為高性能電信、網(wǎng)絡(luò)以及數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中使用的大功率 GaN FET 與 MOSFET 提供完整的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換驅(qū)動器解決方案。 發(fā)表于：2/10/2012 ?…1074107510761077107810791080108110821083…?
