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英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

奧地利微電子推出兩款應(yīng)用于移動設(shè)備單節(jié)鋰電池的降壓DC-DC開關(guān)式充電器芯片

全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計者及制造商奧地利微電子公司（SIX股票代碼：AMS）宣布推出兩款應(yīng)用于移動設(shè)備鋰電池充電器的全新IC。AS3610/11降壓DC-DC芯片可為移動設(shè)備鋰電池快速、高效充電，最高輸出電流達(dá)1.25A。兩款芯片擁有諸多安全及保護(hù)特性，包括內(nèi)部電流監(jiān)測、USB Host/OTG增壓模式運(yùn)作。AS3610 DC-DC IC提供I²C接口便于外部控制，而AS3611則可獨立運(yùn)行。

發(fā)表于：9/26/2011

單片機(jī)實現(xiàn)電力補(bǔ)償裝置控制系統(tǒng)

目前在電力補(bǔ)償系統(tǒng)中有多種補(bǔ)償方法，本文中的補(bǔ)償系統(tǒng)是根據(jù)尋優(yōu)負(fù)序電流最小進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?。系統(tǒng)計算需要對交流電一個周期20ms內(nèi)對單相電壓u、電流I進(jìn)行采樣，要求一個周期內(nèi)采樣次數(shù)至少在100次以上。針對這一特點，設(shè)計了基于80C196KC的控制系統(tǒng)。Intel公司的高性能16b單片機(jī)80C196KC，其運(yùn)算速度快，能夠滿足系統(tǒng)高速采樣的要求。

發(fā)表于：9/26/2011

抗干擾濾波器在電池兼容設(shè)計中的解決辦法

大多數(shù)電子產(chǎn)品設(shè)計師對干擾濾波器的認(rèn)識一般局限在：“電子產(chǎn)品要通過電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗和電源線抗擾度試驗，必須在電源線上使用干擾濾波器”。而對于干擾濾波器的其它作用了解很少，這就導(dǎo)致了產(chǎn)品設(shè)計完畢后，往往不能通過其它試驗項目，例如輻射發(fā)射、輻射抗擾度、信號線上的傳導(dǎo)敏感度等試驗。實際上，電磁干擾濾波器對于順利大部分電磁兼容試驗以及保證產(chǎn)品的功能都是十分重要一類器件。本文介紹由于濾波措施不完善導(dǎo)致的電磁干擾問題及相應(yīng)的解決辦法。

發(fā)表于：9/26/2011

交叉級聯(lián)正激式同步整流拓樸實現(xiàn)DC-DC變換器

1概述DC-DC變換器是開關(guān)電源的核心組成部份，常用的正激式和反激式電路拓樸。常規(guī)正激式變換器的功率處理電路只有一級，存在MOSFET功率開關(guān)電壓應(yīng)力大，特別是當(dāng)二次側(cè)采用自偏置同步整流方式，輸入電壓變化范

發(fā)表于：9/26/2011

基于UC3844的低壓大電流開關(guān)電源設(shè)計

1引言開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開關(guān)晶體管開通和關(guān)斷的時間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源。從上世紀(jì)90年代以來開關(guān)電源相繼進(jìn)入各種電子、電器設(shè)備領(lǐng)域，計算機(jī)、程控交換機(jī)、通訊、電子檢測設(shè)

發(fā)表于：9/26/2011

基于LM5025的有源箝位模塊電源設(shè)計

1引言當(dāng)今，由于模塊電源具有體積小、效率高、可靠性高、使用方便等優(yōu)點，已廣泛使用于航空航天、機(jī)車艦船、軍工兵器、郵電通信、和科研實驗等社會生產(chǎn)和生活的各個領(lǐng)域，尤其是在高可靠和高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著不可

發(fā)表于：9/26/2011

初學(xué)者設(shè)計反激電源式電源步驟

在初次設(shè)計電源之前，應(yīng)確保電源所采用的印刷電路板符合Power Integrations器件數(shù)據(jù)手冊中指定的布局指南。如果在實驗用面包板或原始樣板上搭建設(shè)計的電路，會引入很多寄生元件，這樣會影響電源的正常工作。而且，許多實驗用面包板都無法承載開關(guān)電源所產(chǎn)生的電流水平，并可能因而受損。此外，在這些電路板上非常難以控制爬電距離和電氣間隙。

發(fā)表于：9/26/2011

圖解使用數(shù)字萬用表測量場效應(yīng)管MOS管

場效應(yīng)管英文縮寫為FET?？煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。

發(fā)表于：9/26/2011

電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析

電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析電場,磁場,電磁場的屏蔽其實是不同的!磁場的屏蔽問題,是一個既具有...

發(fā)表于：9/26/2011

耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢

單端初級電感轉(zhuǎn)換器(SEPIC)能夠通過一個大于或者小于調(diào)節(jié)輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個降壓及升壓轉(zhuǎn)換器的作用以外，SEPIC還具有最少的有源組件、一個簡易控制器和鉗位開關(guān)波形，從而提供低噪聲運(yùn)行?？词欠袷褂脙蓚€磁繞組，是我們識別SEPIC的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，其與耦合雙繞組電感的情況一樣，或者它們也可以是兩個非耦合電感的單獨繞組。設(shè)計人員通常不確定哪一種方法最佳，以及兩種方法之間是否存在實際差異。本文對每種方法進(jìn)行研究，并討論每種方法對實際SEPIC設(shè)計產(chǎn)生的影響。

發(fā)表于：9/25/2011

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