頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國(guó)慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國(guó)諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 改進(jìn)的單級(jí)功率因數(shù)校正AC/DC變換器的拓?fù)渚C述 本文主要對(duì)單級(jí)PFC的拓?fù)溥M(jìn)行了分析，指出了存在的問題，介紹了幾種改進(jìn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以解決這些問題。 發(fā)表于：12/28/2010 開關(guān)電源EMC設(shè)計(jì)中電容特性 許多電子設(shè)計(jì)者都知道濾波電容在電源中起的作用，但在開關(guān)電源輸出端用的濾波電容上，與工頻電路中選用的濾波電容并不一樣，在工頻電路中用作濾波的普通電解電容器，其上的脈動(dòng)電壓頻率僅有100赫茲，充放電時(shí)間是毫秒數(shù)量級(jí)。 發(fā)表于：12/28/2010 IPM在電力機(jī)車大功率開關(guān)電源中的應(yīng)用研究 智能功率模塊IPM在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。在此詳細(xì)描述了IPM的結(jié)構(gòu)和外型，著重闡明了IPM中的自我保護(hù)機(jī)制，以便于蝙程實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，給出了具體設(shè)計(jì)的電路圖和選型資料。通過實(shí)際現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試，現(xiàn)場(chǎng)保護(hù)靈敏度高，運(yùn)行穩(wěn)定可靠。 發(fā)表于：12/28/2010 轉(zhuǎn)差頻率矢量控制的電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計(jì)與研究 鑒于直接轉(zhuǎn)子磁場(chǎng)定向矢量控制系統(tǒng)較為復(fù)雜、磁鏈反饋信號(hào)不易獲取等缺點(diǎn)，而轉(zhuǎn)差頻率矢量控制方法是按轉(zhuǎn)子磁鏈定向的間接矢量控制系統(tǒng)，不需要進(jìn)行磁通檢測(cè)和坐標(biāo)變換，并具有控制簡(jiǎn)單、控制精度高、具有良好的動(dòng)、靜態(tài)性能等特點(diǎn)。在分析其控制原理的基礎(chǔ)上，應(yīng)用 Matlab／Simulink軟件構(gòu)建了轉(zhuǎn)差頻率矢量控制的異步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)仿真模型，并通過各模塊閩的參數(shù)配合調(diào)節(jié)與優(yōu)化，對(duì)其進(jìn)行了仿真分析。仿真結(jié)果驗(yàn)證了，采用轉(zhuǎn)差頻率矢量控制的調(diào)速系統(tǒng)具有良好的控制性能。 發(fā)表于：12/28/2010 μP控制的Si9731型電池充電器的原理及應(yīng)用 Si9731型電池充電器是一種單片IC，可在系統(tǒng)處理器控制下對(duì)3節(jié)NiCd/NiMH電池或1節(jié)鋰離子電池進(jìn)行脈沖充電。該IC內(nèi)部的低導(dǎo)通電阻（RSD（CON））的MOSFET可在系統(tǒng)處理器施加的脈沖信號(hào)下，通過變化的占空比實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通和關(guān)斷，因而在大電流脈沖充電時(shí)具有非常小的熱耗散。 發(fā)表于：12/28/2010 單級(jí)功率因數(shù)校正在AC-PDP開關(guān)電源小型化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用 本文根據(jù)單級(jí)功率因數(shù)校正的工作原理，提出了一種AC-PDP電極驅(qū)動(dòng)電源模塊改進(jìn)方案。 發(fā)表于：12/28/2010 NCP1601型功率因數(shù)校正控制器的原理及應(yīng)用 安森美半導(dǎo)體公司推出的NCP1601型功率因數(shù)校正（PFC）控制器能不連續(xù)傳導(dǎo)模式（DCM）和臨界傳導(dǎo)模式（CRM或BCM）下工作，它兼有二種工作模式的優(yōu)點(diǎn)。因固定頻率DCM可限制最高開關(guān)頻率，從而限制污染系統(tǒng)環(huán)境的傳導(dǎo)輻射和EMI噪聲。而不定頻率CRM則可限制升壓MOSFET、二極管和電感器的最大電流，以降低成本，提高電路的可靠性。NCP1601結(jié)合DCM與CRM的優(yōu)點(diǎn)及高安全性保護(hù)特征，適合于電子鎮(zhèn)流器，AC適配器、TV與臨視器等中低功率電源PFC預(yù)調(diào)節(jié)器應(yīng)用。 發(fā)表于：12/28/2010 單片開關(guān)電源高頻變壓器的設(shè)計(jì)要點(diǎn) 高頻變壓器是開關(guān)電源中進(jìn)行能量?jī)?chǔ)存與傳輸?shù)闹匾考瑔纹_關(guān)電源中高頻變壓器性能的優(yōu)劣，不僅對(duì)電源效率有較大的影響，而且直接關(guān)系到電源的其它技術(shù)指標(biāo)和電磁兼容性（EMC）。為此，一個(gè)高效率高頻變壓器應(yīng)具備直流損耗和交流損耗低、漏感小、繞組本身的分布電容及各繞組之間的耦合電容要小等條件。下面介紹其設(shè)計(jì)要點(diǎn)。 發(fā)表于：12/28/2010 集成全新650V IGBT和發(fā)射極控制二極管芯片技術(shù)的三電平IGBT功率模塊 通過將一個(gè)完整的三電平橋臂集成在一個(gè)模塊內(nèi)部，把器件耐壓提高到，然后配上較高集成度的驅(qū)動(dòng)解決方案，這種三電平NPC拓?fù)錇橹?、小功率逆變器如高效的UPS、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案。 發(fā)表于：12/27/2010 大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù) 本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 發(fā)表于：12/27/2010 ?…1524152515261527152815291530153115321533…?
