| 延长CMOS寿命的关键因素 | |
| 所屬分類:技术论文 | |
| 上傳者:serena | |
| 文檔大小:326 K | |
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| 文檔介紹:对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压。了解这两大危害,用户便可以有效应对。 | |
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