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2011年DRAM均價(jià)將跌三成，眾廠商加大投入搏競(jìng)爭(zhēng)力

針對(duì) DRAM 廠明年獲利分析，集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 指出，明年 DRAM 均價(jià)較今年下跌約30%。然而隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)、成本下降， DRAM 廠營(yíng)業(yè)利益率(OP Margin)成本優(yōu)勢(shì)最佳者，今年?duì)I業(yè)利益率平均為36%，明年平均為26%；而成本優(yōu)勢(shì)落后者，今年下半年轉(zhuǎn)虧為營(yíng)，明年?duì)I業(yè)利益率約可維持在10%上下。

發(fā)表于：7/6/2010

LED晶粒年底可達(dá)供需平衡

LED供需爭(zhēng)議未止，昨公布的一項(xiàng)報(bào)告指出，電視用LED晶粒缺貨狀況將到年底，估計(jì)第四季就會(huì)達(dá)成平衡。

發(fā)表于：7/5/2010

磁性材料前景樂(lè)觀

磁性材料是電子工業(yè)的重要基礎(chǔ)功能材料，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、電子器件、通訊、汽車和航空航天等工業(yè)領(lǐng)域和家用電器、兒童玩具等日常生活用品，隨著世界經(jīng)濟(jì)和科學(xué)技術(shù)的迅猛發(fā)展，磁性材料的需求將空前廣闊。

發(fā)表于：7/2/2010

英飛凌推出650V CoolMOS? C6/E6高壓功率晶體管為開關(guān)應(yīng)用帶來(lái)最高效率和輕松控制

2010年7月2日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近日推出全新的650V CoolMOS? C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；谕瑯拥募夹g(shù)平臺(tái)，C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。

發(fā)表于：7/2/2010

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

發(fā)表于：7/2/2010

集成的 5A MOSFET 和 RSENSE提供高度集成的熱插拔解決方案

加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2010 年 7 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A 熱插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4219，用于保護(hù)負(fù)載電源電壓范圍為 2.9V 至 15V 的低功率電路板。LTC4219 通過(guò)在加電時(shí)限制流向負(fù)載電源的浪涌電流，允許電路板安全地在一個(gè)帶電的背板上插入和拔出。熱插拔控制器一般需要若干支持組件。然而，LTC4219 在其電源通路中集成了一個(gè)電源 MOSFET 和檢測(cè)電阻器，以限制浪涌電流，從而減少了所需的外部組件數(shù)量。該器件的內(nèi)部 dV/dt 電路意味著無(wú)需外部柵極電容器?？烧{(diào)電流限制允許用戶在不同的負(fù)載條件下改變電流限制門限，例如在磁盤驅(qū)動(dòng)器旋轉(zhuǎn)至正常工作狀態(tài)時(shí)。高集成度和纖巧 DFN 封裝使 LTC4219 在空間受限應(yīng)用中成為使用方便的熱插拔解決方案。

發(fā)表于：7/1/2010

基于Blackfin處理器的繼電保護(hù)完整解決方案

電網(wǎng)改造和堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)建設(shè)的一個(gè)重要方面是加強(qiáng)網(wǎng)絡(luò)的自我故障診斷、保護(hù)和自愈功能，電力公司需要電力線監(jiān)控和保護(hù)系統(tǒng)，以對(duì)能量的消耗情況、成本和質(zhì)量進(jìn)行監(jiān)視和控制，并對(duì)保護(hù)昂貴的設(shè)備進(jìn)行保護(hù)，從而使電源不至于被浪涌和惡劣的氣候所損毀。

發(fā)表于：6/30/2010

新一代視頻監(jiān)控系統(tǒng)應(yīng)用存儲(chǔ)解決方案

監(jiān)控技術(shù)從上個(gè)世紀(jì)80年代進(jìn)入我國(guó)以來(lái)，隨著安防需求的急劇增加一直在飛速發(fā)展，從技術(shù)層面上來(lái)看，已經(jīng)經(jīng)歷了多個(gè)不同的發(fā)展階段。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的發(fā)展和網(wǎng)絡(luò)的普及，目前，視頻監(jiān)控已經(jīng)發(fā)展到了網(wǎng)絡(luò)多媒體監(jiān)控系統(tǒng)。

發(fā)表于：6/30/2010

基于網(wǎng)絡(luò)的智能精密壓力傳感器原理與應(yīng)用

最近，美國(guó)霍尼威爾(Honeywell)公司先后推出了PPT系列、PPTR系列和PPTE系列可實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)化的智能精密壓力傳感器。這些傳感器將壓敏電阻傳感器、A/D轉(zhuǎn)換器、微處理器、存儲(chǔ)器(RAM、E 2PROM)和接口電路集于一身，不僅達(dá)到了高性能指標(biāo)，還極大地方便了用戶。這些產(chǎn)品可廣泛用于工業(yè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、自動(dòng)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。

發(fā)表于：6/30/2010

Gartner預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存降價(jià)趨勢(shì)將持續(xù)到年底

由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場(chǎng)，DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年 6月出現(xiàn)了一年以來(lái)的首次下降。

發(fā)表于：6/30/2010

基于Ptl00鉑熱電阻的溫度變送器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在溫度測(cè)量系統(tǒng)中，Ptl00鉑熱電阻被密封在金屬棒中，這樣使得本溫度測(cè)量系統(tǒng)不但可以測(cè)量室內(nèi)氣體溫度，還可以測(cè)量油缸內(nèi)油溫、土壤、液體、種子等內(nèi)的溫度，大大提高了溫度測(cè)量系統(tǒng)的適用范圍。采用Ptl00鉑熱電阻為溫度檢測(cè)元件，可有效降低開發(fā)成本，擴(kuò)大應(yīng)用。該變送器的電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單方便，實(shí)用性好，電路工作穩(wěn)定、可靠性高。該產(chǎn)品已實(shí)際應(yīng)用于空壓機(jī)專用變頻器溫度測(cè)量系統(tǒng)中，而且工作穩(wěn)定可靠。

發(fā)表于：6/25/2010

Vishay擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 6 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。

發(fā)表于：6/25/2010

電子元器件異常漲價(jià) 技術(shù)升級(jí)帶來(lái)超預(yù)期增長(zhǎng)

近期，電子元器件及終端類產(chǎn)品竟然出現(xiàn)了罕見的漲價(jià)現(xiàn)象。從以往經(jīng)驗(yàn)及行業(yè)規(guī)律看，這些產(chǎn)品的價(jià)格都是“高開低走”的，現(xiàn)在何以能逆勢(shì)漲價(jià)？

發(fā)表于：6/25/2010

歷劫歸來(lái)，被動(dòng)元件制造商如何擺脫夢(mèng)魘？

被動(dòng)元件市場(chǎng)硝煙不斷。事實(shí)上，在這個(gè)對(duì)價(jià)格高度敏感、競(jìng)爭(zhēng)激烈的被動(dòng)元件市場(chǎng)中的幸存者可能需要比其它任何高科技領(lǐng)域中的公司掌握更多的摸爬滾打經(jīng)驗(yàn)。

發(fā)表于：6/23/2010

電子鼻傳感器的應(yīng)用設(shè)計(jì)

電子鼻是利用氣體傳感器陣列的響應(yīng)圖案來(lái)識(shí)別氣味的電子系統(tǒng)，它可以在幾小時(shí)、幾天甚至數(shù)月的時(shí)間內(nèi)連續(xù)地、實(shí)時(shí)地監(jiān)測(cè)特定位置的氣味狀況。

發(fā)表于：6/23/2010