微波射頻相關(guān)文章 意法半導(dǎo)體(ST)推出世界最小的高集成度8通道超聲波脈沖發(fā)生器，有效簡化超聲波設(shè)備設(shè)計 中國，2014年8月25日——意法半導(dǎo)體推出的STHV800 8通道超聲波發(fā)生器將會降低超聲波影像機的成本和尺寸。意法半導(dǎo)體獨有的SOI-BCD6[1]制造工藝可在同一顆芯片上集成低壓CMOS邏輯電路、精確模擬電路和穩(wěn)健的功率級，實現(xiàn)前所未有的集成度。 發(fā)表于：8/26/2014 美高森美延續(xù)在FPGA安全啟動領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位 新增Cryptography Research的差分功率分析專利許可 致力于提供功耗、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布已從Rambus公司屬下Cryptography Research獲得其現(xiàn)有差分功率分析(Differential Power Analysis, DPA)專利許可的延期，這項專利許可延期可讓美高森美繼續(xù)使用Cryptography Research專利的突破性DPA對策產(chǎn)品組合，提供業(yè)界領(lǐng)先的第三方處理器和FPGA安全啟動解決方案。 發(fā)表于：8/26/2014 4µA IQ 熱插拔控制器保護電池 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流(IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從2.7V 至36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部N 溝道MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。 發(fā)表于：8/26/2014 Littelfuse公司宣布其瞬態(tài)抑制二極管陣列系列將ESD保護與共模EMI濾波相結(jié)合，以節(jié)省成本和空間 Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA®二極管）。這些高度集成的共模濾波器（CMF）可為使用高速差分串行接口的系統(tǒng)同時提供靜電放電（ESD）保護和共模濾波功能。它們可以保護和過濾兩個（SP5001和SP5003）或者三個（SP5002）差分線對。 發(fā)表于：8/26/2014 Molex 新一代帶 LED 的 RJ45 PoE+ 千兆位磁性插口登陸 Mouser 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應(yīng) Molex 推出的帶 LED 的增強型以太網(wǎng)供電 (PoE+) 千兆位磁性插口。該系列以太網(wǎng)插口能夠通過以太網(wǎng)供電為連接器件提供高達 30W 的功率。 發(fā)表于：8/19/2014 基于WSN的寬量程射頻功率檢測系統(tǒng)設(shè)計 介紹了一種基于無線傳感器網(wǎng)絡(luò)（WSN）的多點寬量程射頻功率檢測系統(tǒng)。傳感器節(jié)點由微控制器CC2430作為主控芯片，由真有效值功率檢波芯片AD8362及數(shù)字衰減器HMC274作為功率檢測探頭，以實現(xiàn)寬量程功率采集。通過ZigBee無線技術(shù)和GPRS通信技術(shù)實現(xiàn)對各節(jié)點射頻功率的定時測量、存儲和顯示。經(jīng)過對2.4 GHz射頻信號的實驗測試,結(jié)果表明傳感器節(jié)點測量范圍達到-50 dB~ +40 dB，誤差在0.5%以內(nèi)，系統(tǒng)工作穩(wěn)定，通信效果理想。 發(fā)表于：8/15/2014 e絡(luò)盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET e絡(luò)盟為亞太區(qū)新增英飛凌革命性的COOLMOS?系列功率MOSFET，英飛凌CoolMOS?系列功率MOSFET是計算機、服務(wù)器、電信及UPS等工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。 發(fā)表于：8/7/2014 Vishay推出用于導(dǎo)電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻 Vishay推出用于導(dǎo)電膠合的采用金端接的新款精密薄膜片式電阻，器件的外形尺寸為0402和0603，公差為±0.1%。 發(fā)表于：8/7/2014 S類功放的頻率可調(diào)帶通ΔΣ調(diào)制器研究與實現(xiàn) S類射頻功率放大器同時具有高效率和高線性特性，適合在全數(shù)字發(fā)信機中應(yīng)用。但需要將任意輸入的射頻信號轉(zhuǎn)換為兩電平脈沖調(diào)制信號，帶通增量求和（ΔΣ）調(diào)制才可以很好地實現(xiàn)上述功能。為實現(xiàn)S類功放的寬頻帶工作，帶通ΔΣ調(diào)制器的中心頻率必須實現(xiàn)與輸入信號頻率的實時跟隨。通過對ΔΣ調(diào)制算法的研究， 提出了一種頻率可調(diào)帶通ΔΣ調(diào)制器的設(shè)計方法，并利用Matlab軟件和FPGA對設(shè)計的調(diào)制器分別進行了仿真和實驗驗證。驗證結(jié)果證明了該設(shè)計方法的可行性和有效性。 發(fā)表于：8/7/2014 聚合電子制造產(chǎn)業(yè)鏈 2014 NEPCON華南電子展火爆招展中 華南地區(qū)最大、歷史最悠久的行業(yè)盛會之一的NEPCON South China 2014將在8月26日-28日閃耀深圳會展中心，今年也是NEPCON華南電子展20周年。 發(fā)表于：8/6/2014 Vishay推出基于氮化鋁基板的新款小尺寸表面貼裝精密薄膜片式電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高功率表面貼裝的精密薄膜片式電阻---PCAN系列器件。該系列器件采用氮化鋁基板，功率等級為2W～6W，分別采用1206和2512小外形尺寸。 發(fā)表于：8/1/2014 IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器U系列，供給電壓與SoC和FPGA相同 IDT 發(fā)布 1.5 伏特 PCI Express® 時鐘緩沖器系列，使用同樣的 1.5 伏特電壓軌，降低系統(tǒng)復(fù)雜性、尺寸和功耗 發(fā)表于：7/29/2014 Vishay新薄膜片式電阻陣列在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性 Vishay推出在惡劣環(huán)境下亦具有極高可靠性的新系列薄膜片式電阻陣列。器件采用金端接，具有±0.05%的相對公差和±5ppm/K的相對TCR，可用于導(dǎo)電膠合。 發(fā)表于：7/25/2014 IDT DDR4 寄存器發(fā)貨量達到百萬單位標(biāo)記線 IDT日前宣布，其DDR4 寄存器發(fā)貨量已超過1 百萬件，這是由于即將發(fā)布的Intel® Xeon? 處理器E5-2600 v3 平臺對下一代DRAM 模塊的需求增長而引致的必然結(jié)果。IDT 的DDR4 寄存器是芯片組的一部分，芯片組還包括數(shù)據(jù)緩沖器和帶串行存在檢測(SPD) 功能的熱敏元件。 同時，它們?nèi)w支持驅(qū)動下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器所需的全系列無緩沖雙內(nèi)聯(lián)內(nèi)存模塊(UDIMM)、寄存DIMM (RDIMM) 和負載降低DIMM (LRDIMM)。 發(fā)表于：7/24/2014 基于測向天線的ADS-B信息校驗技術(shù)研究 針對ADS-B技術(shù)存在的抗干擾能力低、容易受到干擾和欺騙的問題，在分析傳統(tǒng)的ADS-B信息校驗技術(shù)的基礎(chǔ)上，提出了一種利用無線電測向技術(shù)實現(xiàn)ADS-B信息校驗的新方法。該方法可以實現(xiàn)ADS-B虛假目標(biāo)的有效識別。 發(fā)表于：7/3/2014 ?…76777879808182838485…?
