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Vishay的新款MOS勢壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS®Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機和平板電腦的充電器。

發(fā)表于：9/5/2013

意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布擁有頂級性能的MEMS加速度計，提升豐富的用戶體驗

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界最大的MEMS產(chǎn)品制造商、世界最大的消費電子及便攜設(shè)備MEMS傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）日前發(fā)布了最新的高性能3軸MEMS加速度計LIS344AHH。新產(chǎn)品擁有達±18g的滿量程、高帶寬、低噪聲、高機械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，可提升游戲、用戶界面和增強實境的用戶體驗，以及工業(yè)控制和碰撞監(jiān)視的性能。

發(fā)表于：9/3/2013

Molex擴展Stac64產(chǎn)品系列推出14回路混合連接系統(tǒng)

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司擴展其Stac64?產(chǎn)品系列，推出14回路混合連接系統(tǒng)，Stac64混合連接系統(tǒng)由一個14回路混合插座連接器和14回路垂直和直角接頭構(gòu)成，以期滿足日益增長的擴展汽車和商業(yè)車輛中車載功能的端接需求。典型應(yīng)用包括車載娛樂系統(tǒng)、內(nèi)部照明和導(dǎo)航、電動座椅和車門區(qū)域模塊，以及儀表板群組。

發(fā)表于：9/2/2013

美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固態(tài)驅(qū)動器應(yīng)對數(shù)據(jù)存儲安全威脅

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)發(fā)布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態(tài)驅(qū)動器(solid state drive, SSD)產(chǎn)品，用于移動視頻監(jiān)控運作、存儲域網(wǎng)絡(luò)(SAN)和其它需要出色的實時數(shù)據(jù)保護的大容量存儲應(yīng)用。堅固耐用的TRRUST-Stor? Series 200 2.5” SATA SSD在持續(xù)的200 MB/s速率下運作，并且提供低于10s的業(yè)界最快速完全硬件基礎(chǔ)擦除時間，這款自加密0.5TB SSD現(xiàn)在可以供貨，目前付運至數(shù)家客戶，用于支持需要大容量安全存儲能力的應(yīng)用。

發(fā)表于：8/29/2013

意法半導(dǎo)體(ST)進一步擴大市場領(lǐng)先的MEMS產(chǎn)品組合，推出世界最小的電子羅盤模塊，實現(xiàn)更順暢且更智能的功能

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），利用其先進MEMS技術(shù)在一個封裝內(nèi)整合3軸加速度計和3軸磁力計，成功開發(fā)出世界上最小的電子羅盤模塊。

發(fā)表于：8/1/2013

一種基于閃存固態(tài)盤的內(nèi)存交換區(qū)空間分配方案

針對閃存固態(tài)盤語義缺失特性，提出了一種帶有語義感知的交換區(qū)空間分配方案，減少了交換系統(tǒng)中Trim命令的使用次數(shù)，進而減少內(nèi)存交換系統(tǒng)中的時間開銷，提高程序運行的性能。

發(fā)表于：7/30/2013

Molex MX150 非密封連接器系統(tǒng)以經(jīng)過現(xiàn)場驗證的MX150 端子系統(tǒng)為基礎(chǔ)，采用成本設(shè)計方法構(gòu)建

全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司推出用于汽車工業(yè)直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應(yīng)用的MX150?非密封連接器系統(tǒng)，用于內(nèi)部照明、控制臺、梳妝鏡、座椅和門鎖等空間受限場合。新型非密封連接系統(tǒng)使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經(jīng)過現(xiàn)場驗證的Molex MX150端子設(shè)計，較傳統(tǒng)USCAR 1.50mm接口顯著節(jié)省空間。

發(fā)表于：7/15/2013

Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現(xiàn)雙倍功率密度

Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管，為智能手機及平板電腦的設(shè)計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現(xiàn)雙倍功率密度。

發(fā)表于：7/4/2013

中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領(lǐng)域全面開花

近五年之內(nèi)，一些新型的非易失性存儲器技術(shù)如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現(xiàn)，但達到出色市場量產(chǎn)業(yè)績的只有FRAM。那么現(xiàn)如今FRAM在中國的應(yīng)用進展如何？在哪些更多的應(yīng)用領(lǐng)域正在取代傳統(tǒng)的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢？

發(fā)表于：7/3/2013

意法半導(dǎo)體（ST）過壓保護二極管創(chuàng)小型化記錄，為移動應(yīng)用釋放更多電路板空間

意法半導(dǎo)體推出全球最小的瞬態(tài)電壓抑制二極管，為消費電子產(chǎn)品和手持產(chǎn)品內(nèi)的敏感電子元器件提供過壓保護功能。

發(fā)表于：4/10/2013

英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的新一代DrMOS器件DrBlade

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應(yīng)用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術(shù)的集成式器件，它集成了DC/DC 驅(qū)動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅(qū)動器技術(shù)及OptiMOS? MOSFET器件。該MOSFET 技術(shù)擁有最低的單位面積導(dǎo)通阻抗及針對應(yīng)用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應(yīng)用，包括刀片服務(wù)器和機架服務(wù)器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。

發(fā)表于：3/27/2013

恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管

智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

發(fā)表于：3/25/2013

德州儀器推出支持業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管

日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款采用標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝封裝并支持15A 電流處理功能與業(yè)界最低功耗的智能旁路二極管。與采用3 個傳統(tǒng)肖特基二極管的類似接線盒相比，在典型應(yīng)用中每個SM74611 不但可將功耗銳降80%，而且還可將接線盒內(nèi)的工作溫度降低50 攝氏度。

發(fā)表于：3/18/2013

Everspin推出帶Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件

Everspin科技公司今天宣布推出一款帶有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4個串行I/O通路，從一個串行I/O通路的SPI發(fā)展而來。MRAM和Quad SPI的結(jié)合讓用戶可以充分運用超高的寫速度，徹底摒棄了Flash或EEPROM器件必須經(jīng)歷的寫延時。MR10Q010擁有一個52MBps讀/寫帶寬的104MHz時鐘速度，Everspin期待它用在需要高頻率、高速寫入重要數(shù)據(jù)的應(yīng)用中。MR10Q010體現(xiàn)了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有優(yōu)點 —— 最快的非易失性隨機訪問存儲器，具有超強的可靠性。

發(fā)表于：3/5/2013

德州儀器柵極驅(qū)動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計需求

日前，德州儀器(TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅(qū)動器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅(qū)動器可為隔離式電源設(shè)計提供最高效率的輸出驅(qū)動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應(yīng)以及電動汽車充電等應(yīng)用需求。

發(fā)表于：3/4/2013