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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進水平
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
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Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET
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利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關實現系統(tǒng)電源循環(huán)
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Nexperia推出首款SiC MOSFET
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
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Vishay推出具有業(yè)內先進性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
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英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET
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采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展
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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列
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e絡盟開售來自意法半導體和伍爾特電子的1kW高效模擬無橋PFC
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東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：6/14/2023 9:41:00 PM
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意法半導體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數提高 40%
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東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設備
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英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性
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Nexperia首創(chuàng)交互式數據手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為
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使用集成MOSFET限制電流的簡單方法
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適用于運輸領域的SiC：設計入門
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET
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東芝的新款150V N溝道功率MOSFET
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%
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碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎？
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計劃擴張產能25倍，羅姆積極布局迎接SiC時代
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一文讀懂全球碳化硅先驅GeneSiC: 更堅固、更快速、溫控頂尖的“實力派”碳化硅功率器件
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Vishay推出的新款對稱雙通道MOSFET可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡化設計
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