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意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
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Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON)达到业内先进水平
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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2
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Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET
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利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关实现系统电源循环
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Nexperia推出首款SiC MOSFET
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Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系
發(fā)表于：2023/11/14 下午4:52:00
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Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET
發(fā)表于：2023/9/6 下午2:35:46
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英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET
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采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
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Nexperia扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列
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e络盟开售来自意法半导体和伍尔特电子的1kW高效模拟无桥PFC
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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2023/6/14 下午9:41:00
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意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%
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东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
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英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS™ 7 40V MOSFET系列，改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
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Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为
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使用集成MOSFET限制电流的简单方法
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适用于运输领域的SiC：设计入门
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Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
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东芝的新款150V N沟道功率MOSFET
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
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计划扩张产能25倍，罗姆积极布局迎接SiC时代
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入门：功率模块和功率IC如何区分
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一文读懂全球碳化硅先驱GeneSiC: 更坚固、更快速、温控顶尖的“实力派”碳化硅功率器件
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Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
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