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一種用于時間交織型SAR ADC的電容校正技術[其他][其他]

時間交織型SAR ADC對包括電容失配在內的通道間失配較敏感，其中電容失配既包括通道內的失配也包括通道間的失配，是影響時間交織型SAR ADC性能的重要因素。為了提升時間交織型SAR ADC的性能，基于對SAR ADC中DAC電容失配對時間交織型SAR ADC影響的分析，結合單通道低速工作SAR ADC的電容校正方法，提出了一套適用于時間交織型SAR ADC的電容校正方法，實現(xiàn)了超過9 dB的SFDR和超過2.5 dB的SNDR性能提升。

發(fā)表于：7/5/2021

高頻驅動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn)[電源技術][其他]

為了滿足當前電源模塊高效大功率的要求，針對氮化鎵器件設計一款高頻驅動電路，并搭建形成高頻高效的電源模塊。電路通過調節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊，抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象，有助于提升電源模塊的效率；利用氮化鎵器件的高頻特性，使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升。電源系統(tǒng)測試結果表明，1 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為10 ns和5 ns；10 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實現(xiàn)10 W左右的大功率輸出。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達到的效率分別為93.7%和83.5%。

發(fā)表于：7/5/2021

Faster RCNN和LGDF結合的肝包蟲病CT圖像病灶分割[測試測量][醫(yī)療電子]

針對人工閱片工作量大、閱片質量不佳且容易出現(xiàn)漏檢、錯判等問題，將Faster RCNN目標檢測模型應用于肝包蟲病CT圖像的檢測，并對目標檢測模型進行改進：基于圖片分辨率低、病灶大小不同的特點，使用網絡深度更深的殘差網絡(ResNet101)代替原來的VGG16網絡，用以提取更豐富的圖像特征；根據目標檢測模型得出的病灶坐標信息引入LGDF模型進一步對病灶進行分割，從而輔助醫(yī)生更高效的診斷疾病。實驗結果表明，基于ResNet101特征提取網絡的目標檢測模型能夠有效提取目標的特征，檢測準確率相比原始檢測模型提高2.1%，具有較好的檢測精度。同時，將病灶坐標信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了對肝包蟲病病灶的分割，Dice系數提高了5%，尤其對多囊型肝包蟲病CT圖像的分割效果較好。

發(fā)表于：7/5/2021

基于強化學習的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自動地處理和生成那些判別性高的特征，而無需人為的操作。特征工程在機器學習中是不可避免的一環(huán)，也是至關重要的一環(huán)。提出一種基于強化學習(RL)的方法，將特征工程作為一個馬爾可夫決策過程(MDP)，在上限置信區(qū)間算法(UCT)的基礎上提出一個近似的方法求解二分類數值數據的特征工程問題，來自動獲得最佳的變換策略。在5個公開的數據集上驗證所提出方法的有效性，F(xiàn)Score平均提高了9.032%，同時與其他用有限元變換進行特征工程的方法進行比較。該方法確實可以得到判別性高的特征，提高模型的學習能力，得到更高的精度。

發(fā)表于：7/5/2021

從算法發(fā)展研究人工智能應用問題與對策[人工智能][其他]

基礎硬件的發(fā)展帶來了算力的提高，深度學習算法的出現(xiàn)和應用奠定了人工智能技術理論基礎，Google、百度等高科技公司將人工智能應用的作為重點領域而加大投入，從而加速了人工智能的落地。當前人工智能已成為引領信息產業(yè)革命的最重要的技術手段。與此同時，人工智能對人類的潛在威脅也在加劇。對人工智能算法進行分析，歸納算法發(fā)展過程及缺陷，并總結這些缺陷可能引發(fā)的技術問題和倫理問題。最后，對人工智能的應用，從算法和倫理角度給出一定的對策。

發(fā)表于：7/5/2021

2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片的設計[微波|射頻][其他]

基于GaAs pHEMT工藝設計了一款2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片。該接收前端芯片包含一個單刀雙擲(SPDT)收發(fā)開關及一個帶旁路功能的低噪聲放大器。一方面，采用帶源級電感負反饋的共源共柵結構實現(xiàn)了放大器模式，將SPDT開關作為放大器輸入匹配網絡的一部分，一體化優(yōu)化設計獲得最少元件及較高Q值的輸入匹配網絡，進而實現(xiàn)低噪聲、高增益和良好的輸入回波損耗匹配；另一方面，采用多組開關聯(lián)合實現(xiàn)了旁路功能用于衰減高輸入功率的射頻信號。測試結果表明，在2.3～2.7 GHz的寬頻帶范圍內，實現(xiàn)的接收前端芯片在LNA模式下的噪聲系數可達到1.53～1.64 dB的較低水平，且增益在18.1～19.2 dB之間，在2.5 GHz時輸入1 dB壓縮點為-1.5 dBm；在旁路模式下，插入損耗在工作頻段內維持在約6～7 dB的水平。

發(fā)表于：7/5/2021

Ka波段頻率源建模分析與設計[其他][其他]

利用鎖相環(huán)與多次倍頻的方式設計了一個Ka波段的用于小型化交會參數探測單元的頻率源。該頻率源輸出頻率為36 GHz，輸出功率大于15 dBm。在設計時使用數學建模的方法對鎖相環(huán)各個部分進行建模，然后得到系統(tǒng)的傳遞函數，通過對閉環(huán)系統(tǒng)的系統(tǒng)函數分析，得到能夠使系統(tǒng)穩(wěn)定工作的系統(tǒng)參數。最后使用裸芯片以微組裝的形式加工到RO4350和RO5880基板與腔體上，并完成測試。測試結果表明，使用數學建模的方式能夠得到穩(wěn)定工作頻率源。

發(fā)表于：7/5/2021

基于場路耦合的反激變換器板級輻射研究[電源技術][其他]

輻射干擾問題是制約電源產品高頻化、小型化的因素之一?；趫雎否詈系姆抡嫠悸?，建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網絡參數，對一款5 W輸出的反激變換器的板級輻射干擾進行聯(lián)合仿真，并對比了兩種高頻變壓器模型對遠場仿真結果的影響。實驗結果表明，在230 MHz以內的頻段3 m遠場仿真超標頻點與實測吻合，驗證了該仿真方法的正確性，且簡化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性；所得到的近場電磁場分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。

發(fā)表于：7/5/2021

采用平面分柵結構的高增益寬帶射頻VDMOS研制[微波|射頻][其他]

硅基射頻場效應晶體管具有線性度好、驅動電路簡單、開關速度快、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等優(yōu)點，在HF、VHF和UHF波段具有廣闊的應用前景。針對射頻場效應晶體管寬帶、高增益和高效率的應用需求，基于標準平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結構，通過優(yōu)化結構和工藝參數研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管(VDMOS)。該器件在30~90 MHz頻段范圍內，小信號增益大于19 dB，在60 MHz頻點下連續(xù)波輸出功率可以達到87 W，功率附加效率達72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能。

發(fā)表于：7/5/2021

【萊迪思技術白皮書】為智能工業(yè)自動化開發(fā)鍛造加速引擎[人工智能][工業(yè)自動化]

萊迪思(Lattice)半導體繼2018年推出面向低功耗網絡邊緣AI的sensAI，2020年公布面向低功耗嵌入式視覺和面向網絡保護恢復可信根的mVision 1.0與Sentry 1.0，及其后續(xù)升級版本mVision 2.0和Sentry 2.0后，日前，面向智能工業(yè)系統(tǒng)的Automate解決方案集合也正式面世。

發(fā)表于：6/29/2021

顯示技術：OLED浪潮及其它激動人心的發(fā)展趨勢 [顯示光電][消費電子]

自從平板電腦在20世紀90年代初期采用LCD技術后，現(xiàn)代顯示行業(yè)開始蓬勃發(fā)展。采用LCD技術的產品輕薄便攜，當時的CRT技術難以望其項背。在接下來的二十年里，LCD在筆記本電腦和其它小眾設備中一統(tǒng)天下，在電視機和顯示器中取代了CRT，并在智能手機等新型設備上得到了廣泛應用。而今，我們正處于又一次顯示技術更迭的初期，新興的OLED顯示技術正在消費終端領域逐步取代LCD的地位。其它一些值得深入研究的技術也紛紛涌現(xiàn)，包括迷你LED、微型LED和微型OLED。這幾個名稱很相似，也很容易混淆，但無論從它們的優(yōu)勢和有待解決的問題，還是應用范圍和所處發(fā)展階段來看，它們都是截然不同的幾種技術。

發(fā)表于：6/27/2021

醫(yī)療智能穿戴設備硬件方案[模擬設計][醫(yī)療電子]

隨著互聯(lián)健康概念的興起，醫(yī)療智能穿戴設備市場逐漸擴大，根據市場研究公司Counterpoint Research調查指出，疫情促使消費者健康意識提高，這更使得醫(yī)療智能穿戴設備受到市場青睞，增長幅度不斷攀高。本次我們通過技術型分銷商Exclpoint世健邀請了來自專業(yè)醫(yī)療智能穿戴設備領域企業(yè)的工程師馮工跟大家分享實戰(zhàn)案例。該公司是世健多年的客戶，主要從事醫(yī)學診斷產品研發(fā)、生產、銷售及服務。而馮工有著深厚的學術和實戰(zhàn)經驗。

發(fā)表于：6/24/2021

在電壓反饋(VFB)和電流反饋(CFB)運算放大器之間選擇[模擬設計][工業(yè)自動化]

電流反饋和電壓反饋具有不同的應用優(yōu)勢。在很多應用中，CFB和VFB的差異并不明顯。當今的許多高速CFB和VFB放大器在性能上不相上下，但各有其優(yōu)缺點。本指南將考察與這兩種拓撲結構相關的重要考慮因素。

發(fā)表于：6/20/2021

IoTConnect平臺：解鎖數據的潛能[模擬設計][物聯(lián)網]

據IHS分析師的預計，未來十年中，全球物聯(lián)網設備的數量將以每年12%的速度增長，到2030年預計總數將達到1250億臺。如此海量的聯(lián)網設備，其最核心的工作之一就是“生產”數據。

發(fā)表于：6/20/2021

漏電流 AN-113[其他][其他]

漏電流是流經保護接地導體到大地的電流。在沒有接地連接的情況下，如果存在導電路徑（例如人體），則電流可以從任何導電部件或非導電部件的表面通過人體流到地面。

發(fā)表于：6/18/2021