頭條 英特爾牽手英偉達(dá) 臺(tái)積電AMD和Arm悲喜不同 當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四（9月18日），英偉達(dá)宣布將向英特爾投資50億美元，并與其聯(lián)合開(kāi)發(fā)PC與數(shù)據(jù)中心芯片。未來(lái)，英特爾將在即將推出的PC芯片中采用英偉達(dá)的圖形技術(shù)，并為基于英偉達(dá)硬件的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品提供處理器。兩家公司未透露首批產(chǎn)品的上市時(shí)間，并強(qiáng)調(diào)現(xiàn)有的產(chǎn)品規(guī)劃不受影響。英特爾牽手英偉達(dá) 臺(tái)積電AMD和Arm悲喜不同 最新資訊 國(guó)產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光 國(guó)產(chǎn)256核RISC-V處理器曝光，計(jì)劃擴(kuò)展到1600核！ 隨著每一代新一代芯片增加晶體管密度變得越來(lái)越困難，因此芯片制造商正在尋找其他方法來(lái)提高處理器的性能，其中包括架構(gòu)創(chuàng)新、更大的芯片尺寸、多芯片設(shè)計(jì)，甚至晶圓級(jí)芯片，比如 Cerebras 的 WSE 系列 AI 芯片。 近日，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的科學(xué)家們也推出了一款先進(jìn)基于 RISC-V 架構(gòu)的 256 核多芯片，并計(jì)劃將該設(shè)計(jì)擴(kuò)展到 1,600 核，以創(chuàng)造整個(gè)晶圓大小的芯片，以作為一個(gè)計(jì)算設(shè)備。 據(jù) The Next Platform 報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所的科學(xué)家在《基礎(chǔ)研究》雜志最近發(fā)表的一篇文章中介紹了一種先進(jìn)的 256 核多芯片計(jì)算復(fù)合體，名為 " 浙江大芯片 "。 發(fā)表于：1/5/2024 世界上第一個(gè)石墨烯半導(dǎo)體問(wèn)世！比硅快10倍 世界上第一個(gè)石墨烯半導(dǎo)體問(wèn)世！比硅快10倍 發(fā)表于：1/5/2024 博世將信息娛樂(lè)和駕駛輔助功能集成在單個(gè)芯片上 博世將信息娛樂(lè)和駕駛輔助功能集成在單個(gè)芯片上 發(fā)表于：1/5/2024 有機(jī)半導(dǎo)體大突破！無(wú)需顯著改變結(jié)構(gòu)，新分子性能更優(yōu) 有機(jī)半導(dǎo)體大突破！無(wú)需顯著改變結(jié)構(gòu) 新分子性能更優(yōu) 發(fā)表于：1/5/2024 ?鴻蒙的關(guān)鍵一年，華為先立后破的機(jī)緣 ?鴻蒙的關(guān)鍵一年，華為先立后破的機(jī)緣 鴻蒙的戰(zhàn)略?xún)r(jià)值一直是被業(yè)界低估的。作為外行人，《智物》過(guò)去兩年當(dāng)中一直提到和強(qiáng)調(diào)的一個(gè)觀點(diǎn)：因?yàn)橛行馒櫭傻募軜?gòu)存在，才可以使得華為的國(guó)產(chǎn)芯片生態(tài)，可以短暫脫離傳統(tǒng)芯片制程的競(jìng)爭(zhēng)，讓余承東用比iPhone、三星、OV、小米低兩三個(gè)世代的芯片制程，同臺(tái)競(jìng)技。 發(fā)表于：1/5/2024 特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品 特斯拉 FleetAPI 新增支持 Powerwall 能源系統(tǒng)等產(chǎn)品，便于開(kāi)發(fā)者創(chuàng)建第三方應(yīng)用 發(fā)表于：1/5/2024 2024年，最有趣的11個(gè)電子工程新創(chuàng)意 對(duì)電子工程師來(lái)說(shuō)，不僅要關(guān)注芯片以及半導(dǎo)體本身，更要關(guān)注下游電子應(yīng)用，畢竟芯片是為電子應(yīng)用而服務(wù)。 IEEE Spectrum日前發(fā)布“2024年值得關(guān)注的11個(gè)工程里程碑“，列舉了未來(lái)一年值得關(guān)注的科技技術(shù)。那么有哪些電子應(yīng)用將在明年發(fā)光發(fā)熱，其中又有哪些潛在的芯片應(yīng)用將會(huì)爆發(fā)？ 發(fā)表于：1/4/2024 我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛 我國(guó)自研 AG60E 電動(dòng)飛機(jī)首飛：最大平飛速度218km/h，航程1100km 發(fā)表于：1/4/2024 采用6nm工藝，紫光展銳推出全新5G芯片 采用6nm工藝，紫光展銳推出全新5G芯片 發(fā)表于：1/4/2024 英特爾和臺(tái)積電的工藝競(jìng)賽：18A與N2 在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英特爾和臺(tái)積電正展開(kāi)一場(chǎng)激動(dòng)人心的工藝之爭(zhēng)，吸引了業(yè)界的廣泛關(guān)注。兩家企業(yè)最新的 18A 工藝和 N2 工藝帶來(lái)了一場(chǎng)技術(shù)與創(chuàng)新的角逐。 ● 英特爾首席執(zhí)行官 Pat Gelsinger 相信將在未來(lái)幾年擊敗臺(tái)積電。在接受采訪時(shí)，強(qiáng)調(diào)了 18A 工藝（1.8 納米）與臺(tái)積電的 N2（2 納米）節(jié)點(diǎn)。18A 和 N2 都將利用 GAA 晶體管 ( RibbonFET ) ， 1.8 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)將采用 BSPND，一種可優(yōu)化功率和時(shí)鐘的背面功率傳輸技術(shù)。 ● 當(dāng)然臺(tái)積電相信其 N3P（3 納米級(jí)）技術(shù)將在功耗、性能和面積（PPA）等方面與英特爾的 18A 相媲美，而其 N2（2 納米級(jí)）將在所有方面超越之。 發(fā)表于：1/4/2024 ?…235236237238239240241242243244…?
