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30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護
盧家林,蘇彥民,白小青,石濤
摘要: 系統(tǒng)介紹30kVA逆變電源中IGBT的驅動與保護技術。提出IGBT對驅動電路的要求,介紹三菱的IGBT驅動電路M57962L和逆變電源中IGBT的過壓、柵極過壓、過流、過熱保護措施。
Abstract:
Key words :


 1引言

在我們研制的30kVA逆變電源中,最容易損壞的部件是組成逆變橋的IGBT,和其它電力電子器件相比,IGBT雖然具有電流容量大、驅動功率小、開關頻率高等優(yōu)點,但要用好IGBT,使其不受損壞并不容易。IGBT的驅動與保護問題是逆變電源能否可靠工作的基礎和關鍵。本文就30kVA逆變電源裝置中IGBT的驅動與保護技術進行敘述。

2IGBT的驅動

2.1IGBT對柵極驅動電路" title="驅動電路">驅動電路的要求

(1)柵極驅動電壓

驅動電路提供的正偏壓+UGE使IGBT導通。增大正偏壓對減小開通損耗和導通損耗有利,但也會使IGBT承受短路電流的時間變短,續(xù)流二極管反向恢復過電壓" title="過電壓">過電壓增大。因此正偏壓要適當,通常為+15V。為了保證IGBT在C-E間出現(xiàn)dv/dt噪聲時可靠關斷" title="關斷">關斷,關斷時必須在柵極施加負偏壓,采用負偏壓還可以減小關斷損耗,負偏壓?。?V左右為宜。

(2)柵極串聯(lián)電阻Rg

IGBT的開通和關斷是通過柵極電路的充放電來實現(xiàn)的,因此柵極電阻對IGBT的動態(tài)特性影響極大,減小Rg使開關時間和開關損耗減小,減小關斷時dv/dt噪聲帶來誤導通的可能性,提高IGBT的短路耐量,但會增加續(xù)流二極管反向恢復過電壓,使EMI也增大。對于1200V/400A的IGBT,Rg取2Ω比較合適。

(3)驅動電路的電源

驅動電路的電源應穩(wěn)定,能提供足夠高的正負柵壓,電源應有足夠的功率,以滿足柵極對驅動功率的要求。在大電流應用場合,每個柵極驅動電路最好都采用獨立的分立絕緣電源。驅動電路的電源和控制電路的電源應獨立,以減小相互間的干擾,推薦使用帶多路輸出的開關電源作為驅動電路電源。

2.2三菱驅動模塊M57962L簡介

在我們的逆變電源裝置中,使用了日本三菱公司的驅動模塊M57962L。M57962L是N溝道大功率IGBT模塊的驅動電路,能驅動600V/400A和1200V/400A的IGBT,M57962L的原理方框圖如圖1所示,它有以下幾個特點:

(1)采用光耦實現(xiàn)電氣隔離,光耦是快速型的,適合20kHz左右的高頻開關運行,光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻(約185Ω),可將5V的電壓直接加到輸入側;

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圖1M579621L的原理框圖

(2)如果采用雙電源驅動技術,使輸出負柵壓比較高。電源電壓的極限值為+18V/-15V,一般?。?5V/-10V;

(3)信號傳輸延遲時間短,低電平-高電平的傳輸延遲時間以及高電平-低電平的傳輸延遲時間都在1.5μs以下;

(4)具有過流" title="過流">過流保護功能。M57962L通過檢測IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流,一旦過流,M57962L將對IGBT實施軟關斷,并輸出過流故障信號。

  M57962L的典型應用實例如圖2所示。

3IGBT的保護

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圖2M579621L的典型應用實例

IGBT損壞的原因可以歸結為以下3個方面:

過熱損壞,它又分為由于集電極" title="集電極">集電極電流過大引起的瞬時過熱損壞和其它原因引起的持續(xù)過熱損壞;

集電極發(fā)射極間過壓損壞;

柵極過壓損壞。

因此IGBT的保護要從以下4個方面著手:

集電極發(fā)射極間過電壓保護;

柵極過電壓保護;

過流保護;

過熱保護。

3.1集電極、發(fā)射極間過電壓保護

IGBT的集電極發(fā)射極間產(chǎn)生過電壓的類型有兩類,即IGBT關斷過電壓和續(xù)流二極管反向恢復過電壓。安裝緩沖電路是抑制集電極、發(fā)射極間過電壓的有效措施。緩沖電路之所以能減小IGBT集電極發(fā)射極間的過電壓,是因為它給回路電感提供了泄能回路,降低了回路電感上電流的變化率。30kVA逆變電源中所采用的緩沖電路如圖3所示。

圖3所示電路中采用以下3種器件及電路:

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圖3緩沖電路

(1)金屬氧化物壓敏電阻(Rrl~Rr5)

金屬氧化物壓敏電阻是一種良好的電壓尖峰抑制器件,它的響應時間為ns級,能抑制寬度很窄的尖峰電壓,金屬氧化物壓敏電阻具有通流容量大(500A~5000A),平均漏電流?。◣?mu;A),使用電壓范圍廣(30V~1500V),體積小、可靠性高且價格便宜等特點。但它能抑制的尖峰電壓寬度不能過大,否則壓敏電阻將會因功耗過大而燒壞。

(2)并在直流母線上的無感電容。

(3)由R,C,VD組成的放電阻止型緩沖電路,在放電阻止型緩沖電路中,要選擇高頻特性好的無感電容器作為緩沖電容,要選擇過渡正向電壓低,反向恢復時間短,反向恢復特性軟的二極管作為緩沖二極管,緩沖二極管的反向耐壓及峰值正向電流要與IGBT的額定電壓及額定電流相當。

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圖4柵極過壓保護電路

3.2柵極過電壓保護

IGBT的柵極出現(xiàn)過電壓的原因有兩個:

(1)靜電聚積在柵極電容上引起過壓;

(2)密勒效應引起的柵極過壓,柵極過壓保護電路如圖4所示。

3.3過電流保護

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圖5集中過電流保護" title="過電流保護">過電流保護框圖

在逆變電源的負載過大或輸出短路的情況下,會造成IGBT因過流而損壞。在30kVA逆變電源中,采用集中過電流保護與分散過電流保護相結合的過流保護策略,所謂集中過電流保護,就是通過檢測逆變橋輸入直流母線上的電流,當該電流值超過設定的閾值時,封鎖所有橋臂IGBT的驅動信號;分散過電流保護是通過檢測逆變橋各個橋臂上的電流,當該電流超過設定的閾值時,封鎖該橋臂IGBT的驅動信號,采取雙重過電流保護使裝置的可靠性大大提高。

(1)集中過電流保護

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圖6分散過電流保護電路原理圖

圖5所示為集中過電流保護的原理圖

電流檢測點放在直流側,檢測元件采用日本HINODE公司的直測式霍爾效應電流傳感器HAP8-200/4,用以檢測直流側電壓的瞬時值。HAP8-200/4需要±15V的供電電源,額定電流為±200A,飽和電流在450A以上,額定輸出電壓為±4V,di/dt響應時間在10μs以下。在正常情況下,集中過電流保護電路的輸出OC為高電平,一旦直流母線電流超過設定的閾值,比較器LM311的輸出狀態(tài)將由高電平變?yōu)榈碗娖剑?jīng)過R2,C2的延遲,OC將由高電平變?yōu)榈碗娖?,這個低電平的信號將使封鎖電路動作,封鎖逆變橋所有IGBT的驅動信號。R2C2組成的延遲電路是為防止封鎖電路誤動作而采取的抗干擾措施。

(2)分散過電流保護

圖6所示為分散過電流保護的原理圖。我們知道,當柵極驅動電壓不變時,IGBT的飽和壓降UCE(sat),將隨著集電極電流Ic的增大而增大,通過查閱三菱1200VIGBT的產(chǎn)品手冊可知,UCE(sat)與Ic的關系可由如下經(jīng)驗公式表示出來:其中Iced為IGBT的額定電流。

因此通過監(jiān)測UCE(sat),就可以判斷IGBT是否過流。在圖6中,M57962L通過快恢復二級管VD1及穩(wěn)壓管VZ來監(jiān)測UCE(sat),當M57962L輸入側光耦導通后,并且當UAE=UCE(sat)+UVD1+UVZ超過閾值UAE*后,將開始軟關斷,M57962L的輸出電壓將從正柵壓逐漸下降到負柵壓。經(jīng)測試發(fā)現(xiàn),當VEE=10V,VCC=15V時,閾值UAE*=9.5V,并且當VEE不變時,VCC每增加1V,UAE*也將加1V??梢钥闯?,改變穩(wěn)壓管VZ的穩(wěn)壓值可以改變分散過流閾值。在實際裝置中,VCC=15V,VEE=10V,VD為ERA34-10,其管壓降為0.5V,UVZ=5V,這樣分散過流保護的電流閾值為3倍的額定電流。

3.4過熱保護

IGBT過熱的原因可能是驅動波形不好或電流過大或開關頻率太高,也可能由于散熱狀況不良??梢岳脺囟葌鞲衅鳈z測IGBT的散熱器溫度,當超過允許溫度時使主電路停止工作。

4結語

本文介紹IGBT的驅動電路M57962L和逆變電源中IGBT的過壓,柵極過壓,過流、過熱保護措施,所介紹的驅動與保護技術及其實現(xiàn)電路,已成功地應用于我們所研制的30kVA正弦波逆變電源裝置中,由于該電源具有良好的驅動和可靠的保護措施,即使在輸出直接短路的情況下,仍能保證IGBT不損壞,從而確保電源整機工作的可靠性。

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