《電子技術(shù)應(yīng)用》
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英飞凌以300mm薄晶圆产出首款功率半导体晶片

2011-10-14
作者:Csia
來(lái)源:Csia
關(guān)鍵詞: 工艺技术

  英飛凌科技(InfineonTechnologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)出首款300mm(12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(firstsilicon),成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之晶片的功能特性,與以200mm晶圓制造之功率半導(dǎo)體相同,已成功通過(guò)在高壓應(yīng)用產(chǎn)品中使用金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)的應(yīng)用測(cè)試證明。
  
  2010年10月,英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設(shè)立300mm晶圓及薄晶圓技術(shù)的功率半導(dǎo)體前導(dǎo)生產(chǎn)線。目前該團(tuán)隊(duì)擁有50名工程師和物理學(xué)家,來(lái)自研究、開發(fā)、制造技術(shù)及市場(chǎng)行銷等各個(gè)領(lǐng)域。首顆300mm下線晶片,是英飛凌持續(xù)成功制造節(jié)能產(chǎn)品專用之功率半導(dǎo)體的推手。根據(jù)IMSResearch于今年8月提出的研究報(bào)告,英飛凌在2010年仍位居全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭,并已連續(xù)第8年獲此殊榮。
  
  在電晶體發(fā)明55年之后,英飛凌以革命性CoolMOS電晶體技術(shù),榮獲2002年德國(guó)工業(yè)創(chuàng)新大獎(jiǎng)(GermanIndustry’sInnovationAward)。高壓電晶體,已在眾多應(yīng)用領(lǐng)域提升能源效率,如PC電源供應(yīng)器、伺服器、太陽(yáng)能電源轉(zhuǎn)換器、照明與電信系統(tǒng)。這些節(jié)能晶片目前也是消費(fèi)性電子裝置的必要元件,如平面電視和游樂(lè)器。使用能源、節(jié)約能源且不失效率,已成為所有用電產(chǎn)業(yè)與家庭應(yīng)用的首要需求。英飛凌的節(jié)能半導(dǎo)體解決方案,可節(jié)省高達(dá)25%的全球電力消耗。
  
  英飛凌今年7月底宣布,將德勒斯登(Dresden)設(shè)立為Power300技術(shù)的高量產(chǎn)據(jù)點(diǎn),作為其投資計(jì)劃之一。從計(jì)劃開始執(zhí)行到2014年,英飛凌科技德勒斯登公司(InfineonTechnologiesDresdenGmbH)將投資約2.5億歐元,并為德勒斯登創(chuàng)造近250個(gè)工作機(jī)會(huì)。
  
  

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