《電子技術(shù)應(yīng)用》
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改變電源頻率降低EMI性能
摘要: 本文這種方法涉及了對電源開關(guān)頻率的調(diào)制,以引入邊帶能量,并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征,從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是,總體EMI性能并沒有降低,只是被重新分布了。
Abstract:
Key words :

本文這種方法涉及了對電源開關(guān)頻率的調(diào)制,以引入邊帶能量,并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征,從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是,總體 EMI 性能并沒有降低,只是被重新分布了。
  利用正弦調(diào)制,可控變量的兩個變量為調(diào)制頻率 (fm) 以及您改變電源開關(guān)頻率 (Δf) 的幅度。調(diào)制指數(shù) (Β) 為這兩個變量的比:
  Β=Δf/ fm
  圖 1 顯示了通過正弦波改變調(diào)制指數(shù)產(chǎn)生的影響。當(dāng) Β=0 時,沒有出現(xiàn)頻移,只有一條譜線。當(dāng) Β=1 時,頻率特征開始延伸,且中心頻率分量下降了 20%。當(dāng) Β=2 時,該特征將進(jìn)一步延伸,且最大頻率分量為初始狀態(tài)的 60%。頻率調(diào)制理論可以用于量化該頻譜中能量的大小。Carson 法則表明大部分能量都將被包含在 2 * (Δf + fm) 帶寬中。
  


  圖1:調(diào)制電源開關(guān)頻率延伸了 EMI 特征。
  圖 2 顯示了更大的調(diào)制指數(shù),并表明降低 12dB 以上的峰值 EMI 性能是有可能的。
  


  圖2:更大的調(diào)制指數(shù)可以進(jìn)一步降低峰值 EMI 性能。
  選取調(diào)制頻率和頻移是兩個很重要的方面。首先,調(diào)制頻率應(yīng)該高于 EMI 接收機(jī)帶寬,這樣接收機(jī)才不會同時對兩個邊帶進(jìn)行測量。但是,如果您選取的頻率太高,那么電源控制環(huán)路可能無法完全控制這種變化,從而帶來相同速率下的輸出電壓變化。另外,這種調(diào)制還會引起電源中出現(xiàn)可聞噪聲。因此,我們選取的調(diào)制頻率一般不能高出接收機(jī)帶寬太多,但要大于可聞噪聲范圍。很顯然,從圖 2 我們可以看出,較大地改變工作頻率更為可取。然而,這樣會影響到電源設(shè)計,意識到這一點非常重要。也就是說,為最低工作頻率選擇磁性元件。此外,輸出電容還需要處理更低頻率運行帶來的更大的紋波電流。
  
 

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