日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開(kāi)始SiC－MOS模塊（額定1200V/180A）的量產(chǎn)。

該模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC－MOSFET構(gòu)成，尚屬業(yè)界首次^※。額定電流提高到180A，應(yīng)用范圍更廣，非常有助于各種設(shè)備的低功耗化、小型化。

另外，生產(chǎn)基地在羅姆總部工廠（日本京都），已經(jīng)開(kāi)始銷售樣品，預(yù)計(jì)12月份開(kāi)始量產(chǎn)并出貨。

羅姆于2012年3月世界首家實(shí)現(xiàn)內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅構(gòu)成的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）的量產(chǎn)。該產(chǎn)品在工業(yè)設(shè)備等中的應(yīng)用與研究不斷取得進(jìn)展；而另一方面，在保持小型模塊尺寸的同時(shí)希望支持更大電流的需求高漲，此類產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)備受市場(chǎng)期待。

通常，為了實(shí)現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長(zhǎng)期以來(lái)很難保持小型尺寸。

此次，羅姆采用消除了體二極管通電劣化問(wèn)題的第2代SiC-MOSFET，成功開(kāi)發(fā)出無(wú)需整流元件—二極管的SiC功率模塊（SiC-MOS模塊），使SiC-MOSFET的搭載面積増加，在保持小型模塊尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了大電流化。

內(nèi)置的SiC-MOSFET通過(guò)改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的各種課題。

由此，與逆變器中使用的一般Si-IGBT相比，損耗降低50％以上，在實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，有利于外圍元件的小型化。

＜特點(diǎn)＞

1）  MOS單體即可保持開(kāi)關(guān)特性不變。無(wú)尾電流，開(kāi)關(guān)損耗更低

即使去掉SBD亦可實(shí)現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開(kāi)關(guān)特性。由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見(jiàn)的尾電流，損耗可降低50％以上，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無(wú)法達(dá)到的50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率，因此，還可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。

2）  可逆向?qū)?，?shí)現(xiàn)高效同步整流電路

一般Si-IGBT元件無(wú)法逆向?qū)?，而SiC-MOSFET可通過(guò)體二極管實(shí)現(xiàn)常時(shí)逆向?qū)āＡ硗?，通過(guò)輸入柵極信號(hào)，還可實(shí)現(xiàn)MOSFET的逆向?qū)?，與二極管相比，可實(shí)現(xiàn)更低電阻。通過(guò)這些逆向?qū)ㄌ匦?，與二極管整流方式相比，可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。

 3）  成功解決體二極管的通電劣化，通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上且無(wú)特性劣化

羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴(kuò)大機(jī)理，通過(guò)工藝、元件結(jié)構(gòu)成功控制了產(chǎn)生劣化的因素。一般產(chǎn)品通電時(shí)間超過(guò)20小時(shí)導(dǎo)通電阻就會(huì)大幅增加，但本產(chǎn)品通電時(shí)間達(dá)1000小時(shí)以上導(dǎo)通電阻也不會(huì)增大。

＜用語(yǔ)說(shuō)明＞

?體二極管(Body diode)

MOSFET 的結(jié)構(gòu)中，寄生于內(nèi)部而形成的二極管。逆變器工作時(shí)，電流經(jīng)過(guò)此二極管，因此要求具備低VF值和

高速恢復(fù)特性。

?尾電流(Tail current)

IGBT 中的關(guān)斷時(shí)流過(guò)的瞬態(tài)電流。因空穴注入的積累時(shí)間而產(chǎn)生。此期間內(nèi)需要較高的漏極電壓，因此產(chǎn)生較

大的開(kāi)關(guān)損耗。

?IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)

不僅電子，不同的空穴，電流流經(jīng)而實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的功率晶體管。因空穴注入的積累時(shí)間無(wú)法高速動(dòng)作，具有

開(kāi)關(guān)損耗較大的問(wèn)題。

?正向電壓(VF ：Forward Voltage)

 正向電流流經(jīng)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數(shù)值越小耗電量越小。

?導(dǎo)通電阻

  功率元件工作時(shí)的電阻值。這是影響功率MOSFET 性能的最重要的參數(shù)，數(shù)值越小性能越高。