橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出業(yè)界首款采用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高壓脈沖環(huán)境中，650V額定電壓能夠為目標(biāo)應(yīng)用帶來更高的安全系數(shù)，有助于提高汽車電源和控制模塊的可靠性。這兩款器件導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) 極低，分別為0.032Ω 和0.049Ω，結(jié)合緊湊的TO-247封裝，可提高系統(tǒng)能效和功率密度。

新產(chǎn)品的市場領(lǐng)先的性能歸功于意法半導(dǎo)體的MDmesh™ V 超結(jié)(super-junction)技術(shù)。此項技術(shù)可生產(chǎn)單位硅面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 極低的高壓器件，使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷(Qg)和輸入電容也極低，因此，Qg x RDS(ON)品質(zhì)因數(shù)(FOM，figure of meric)極其出色，開關(guān)性能和能效異常優(yōu)異。此外，優(yōu)異的抗雪崩（avalanche）性能可確保器件在持續(xù)高壓運行環(huán)境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半導(dǎo)體專有的垂直式工藝和經(jīng)過市場檢驗的PowerMESH™水平式架構(gòu)，導(dǎo)通電阻較同級別的MDmesh™ II器件降低大約50%。

意法半導(dǎo)體的采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現(xiàn)已量產(chǎn)。