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適用于車載、工業(yè)設備的高可靠性DRAM系列(搭載輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能) 產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM

~同時降低輻射噪聲與系統(tǒng)成本~
2014-03-05

 ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor,作為高可靠性DRAM系列產(chǎn)品,新開發(fā)出搭載輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅動能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。另外,引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架,因此,還非常適用于車載設備等要求高可靠性的用途。本產(chǎn)品的樣品已經(jīng)在售,計劃從2014年3月份開始以月產(chǎn)100萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)銷售。

 

<背景>

在中小容量SDRAM的用途之一車載設備系統(tǒng)中,工作時發(fā)生的輻射噪聲會對高頻段等產(chǎn)生影響,因此,對于提升系統(tǒng)品質(zhì)來說,降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題,為降低SDRAM工作時產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,早在以往產(chǎn)品16M bit /64M bit SDRAM上就開始搭載按3級改變讀取數(shù)據(jù)輸出時的電流驅動能力的輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能。該功能在車載領域獲得極高好評,為擴大在需要更大容量SDRAM的用途中的應用范圍,LAPIS Semiconductor開發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。

另外,DRAM的主流產(chǎn)品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展,中小容量SDRAM的供應越來越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統(tǒng)DRAM1,作為唯一可長期供貨的日本國內(nèi)制造商,不僅面向車載用途市場,而且面向更廣闊的工業(yè)設備市場,正在不斷完善產(chǎn)品的產(chǎn)品陣容。

 

<新產(chǎn)品詳情>

1.搭載輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能

為降低SDRAM工作時產(chǎn)生的輻射噪聲,改善阻抗匹配的讀取數(shù)據(jù)輸出波形的特性,

搭載變更讀取數(shù)據(jù)輸出時的電流驅動能力的輸出驅動能力調(diào)節(jié)功能。通過擴展模式寄存器

配置可設定4級驅動能力。

本功能有助于實現(xiàn)適合用戶系統(tǒng)的電流驅動能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對策

零部件數(shù)量。另外,可按出貨時固定規(guī)格的驅動能力設定供貨,即使使用已有的SDRAM

控制器無需配置擴展模式寄存器,即可使用最佳的輸出驅動能力設定的產(chǎn)品。

 

2.采用銅引線框架

為滿足車載設備領域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求,本產(chǎn)品采用連接可靠

性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比,其與PCB板的熱膨脹系數(shù)更

相近,因此,提高了焊接連接可靠性,滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹

循環(huán)標準。另外,還同時抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

 

3.滿足車載品質(zhì)

為實現(xiàn)高品質(zhì),支持定制符合客戶要求品質(zhì)的測試工序。

 

4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證

從晶圓級保證與封裝產(chǎn)品同等的品質(zhì),通過與客戶的使用方法相匹配的測試工序,提供高

品質(zhì)的芯片產(chǎn)品。

 

LAPIS Semiconductor今后也會以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產(chǎn)品并長期穩(wěn)定供應為目標,進一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不斷擴充傳統(tǒng)DRAM1產(chǎn)品的陣容。

 

【銷售計劃】

?產(chǎn)品名              :MD56V72160C / MD56V82160A

?包裝形態(tài)    :托盤1080個

?樣品出售時間    :樣品出售中

?樣品價格(參考):MD56V72160C  360日元(不含稅) 

MD56V82160A  520日元(不含稅)

?量產(chǎn)出售計劃    :2014年3月開始

 

【產(chǎn)品概要/特點】

?規(guī)格      :滿足JEDEC標準規(guī)格

?存儲器結構       :4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)

4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

?地址大小    :4,096行× 512列(MD56V72160C)

  8,192行× 512列(MD56V82160A)

?工作頻率  :166MHz(max.)

?接口             :LVTTL兼容

?功能        :通用SDRAM指令接口

?電源電壓    :3.3V±0.3V

?工作溫度范圍    :0℃~+70℃/ -40℃~+85℃ 

?刷新             :自動刷新時 4,096次/64msec(MD56V72160C)

8,192次/64msec(MD56V82160A)

           自刷新 

?消耗電流(Typ.)   :工作時(166MHz)      100mA (MD56V72160C)

150mA (MD56V82160A)

待機時(動態(tài)待機時) 50mA (MD56V72160C)

                   65mA (MD56V82160A)

關機時            3mA

?封裝             :54Pin TSOP

銅引線框架、滿足RoHS指令、無鉛、無鹵

 

【術語解說】

注1 傳統(tǒng)DRAM

DRAM市場隨著電腦和手機的高性能化發(fā)展,主流產(chǎn)品逐漸轉變?yōu)榇笕萘俊⒏咚貲RAM,中小容量DRAM的供應廠家日益減少。然而,消費電子設備和車載設備等產(chǎn)品中,從噪聲設計角度等出發(fā),適用中小容量、中速DRAM的應用大量存在。另外,通信設備和工業(yè)設備等生命周期較長的產(chǎn)品中,從控制器變更等設計變更較難或想控制設計變更費用等角度出發(fā),存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為“傳統(tǒng)DRAM”,不斷開發(fā)滿足車載市場和工業(yè)設備市場需求的高可靠性新產(chǎn)品,以進一步擴充傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)品陣容,為客戶提供長期穩(wěn)定供應。

 

※ 本文所提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱均為各公司的商標或注冊商標。

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