奧地利維也納技術(shù)大學已經(jīng)改進其雙功能6.8μm量子級聯(lián)激光器和探測器（QCLD）技術(shù)[作者Benedikt Schwarz等。發(fā)表于應用物理快報，2015年107卷第071104頁]。將量子級聯(lián)激光器（QCL）和量子級聯(lián)探測器（QCDS）單片集成可以制備緊湊型光譜系統(tǒng)，用于環(huán)境監(jiān)測和醫(yī)療應用，比如痕量氣體檢測、血清分析等。

　　在同一外延材料上集成高效率激光器和探測器是一個挑戰(zhàn)，因為一種模式優(yōu)化設(shè)計并不適用另一種模式。此外，由于峰值波長依賴偏置電壓，難以在激光輻射和探測器光響應之間維持光譜重疊。

　　維亞納大學研究人員評論說：“以前的設(shè)計表明激光器和探測器能在室溫工作，由于大閾值電流密度和低墻插效率，僅限于低占空比操作?！眻F隊已經(jīng)精細設(shè)計以提高激光性能，并聲稱“雙功能設(shè)計可以達到與傳統(tǒng)量子級聯(lián)激光器相比較的脈沖性能”。

　　利用分子束外延（MBE）在磷化銦（InP）上生長量子級聯(lián)激光器和探測器。設(shè)計包括35個周期的有源區(qū)域和兩個低摻雜砷化鎵銦（InGaAs）約束層。激光器和探測器制備在10μ米寬的氮化硅絕緣脊和退火的鈦/金觸點上。設(shè)備安裝在銦鍵合銅表面上。

　　研究人員報告說，新的激光裝置改進了脈沖模式（100ns在 10kHz）的所有特征參數(shù)。采用3mm長的法布里-珀羅脊，室溫閾值電流為3kA／cm2，以前的QCLD 器件技術(shù)閾值為6kA / cm2。同時，光輸出是470mW（以前為200MW）?？偟谋诓逍蕿?.5%，這是具有波導結(jié)構(gòu)傳統(tǒng)QCL壁插效率的二分之一或三分之一。一些小組已經(jīng)實現(xiàn)了高達50%的壁插效率。

　　對于探測器部分，0.5mm長脊在零偏壓時峰值響應為40mA/W。在峰值波長微分電阻1.6KΩ時Johnson /熱噪聲等效功率（NEP）達到80 pW /√Hz。研究人員指出，受制于劈裂工藝脊長限制在0.5mm。光刻和干法蝕刻可以減少脊長度。團隊評論說：“15μm脊長會優(yōu)化約翰遜噪聲限制等效功率，50μm脊長器件具有較高響應率。

　　芯片結(jié)構(gòu)配置上激光器和探測器之間有一個小氣隙，峰值絕對不飽和光電流為9mA。