近日，上海發(fā)布2019年度“科技創(chuàng)新行動計劃”集成電路領域項目指南。

　　方向包括研制具有國際競爭力的重大集成電路裝備及關鍵零部件產品，突破和掌握集成電路制造高端裝備系統(tǒng)設計、集成和應用關鍵技術，持續(xù)提升集成電路高端裝備的零部件配套能力；與汽車等優(yōu)勢產業(yè)和應用需求緊密結合，持續(xù)推動核心產品的產業(yè)鏈上下協(xié)同創(chuàng)新，突破芯片、模塊自主設計、制造和應用關鍵技術等。

　　專題一、關鍵核心產品技術攻關

　　方向1.集成電路制造裝備、材料及零部件

　　研究目標：研制具有國際競爭力的重大集成電路裝備及關鍵零部件產品，突破和掌握集成電路制造高端裝備系統(tǒng)設計、集成和應用關鍵技術，持續(xù)提升集成電路高端裝備的零部件配套能力。

　　研究內容：（1）集成電路高端裝備用關鍵零部件研發(fā)、驗證與應用。（2）面向集成電路領域激光隱性切割技術研究與工藝驗證。（3）硅片晶圓標識技術研究與驗證（4）高能離子注入機關鍵技術研究與樣機驗證。（5）10nm銅化學機械拋光液及14nm大馬士革工藝光刻膠去除劑研發(fā)。

　　方向2.集成電路制造關鍵技術

　　研究目標：突破集成電路制造工藝模塊開發(fā)和工藝整合關鍵瓶頸，掌握具有自主知識產權的工藝技術，支撐先進工藝生產線建設和量產能力提升。

　　研究內容：大面陣、高動態(tài)CMOS圖像傳感器工藝研發(fā)提升。

　　方向3.核心芯片器件、模塊及其應用

　　研究目標：與汽車等優(yōu)勢產業(yè)和應用需求緊密結合，持續(xù)推動核心產品的產業(yè)鏈上下協(xié)同創(chuàng)新，突破芯片、模塊自主設計、制造和應用關鍵技術。

　　研究內容：（1）750V/250A以上功率等級IGBT芯片、模塊開發(fā)及新能源汽車示范應用。（2）高能氫注入溝槽場中止IGBT工藝開發(fā)。（3）碳化硅功率器件、光導開關器件研發(fā)和應用。（4）車規(guī)級集成電路芯片及相應傳感器、控制器研發(fā)并小批量試裝驗證。（5）面向第四代PCIe通訊的超高速時序整合芯片研發(fā)與產業(yè)化。（6）汽車級EEPROM研發(fā)與應用。

　　專題二、前瞻和共性技術研究

　　方向1.集成電路前沿理論與技術

　　研究目標：面向高性能非易失存儲與低功耗計算的基礎問題，探索新材料、新結構和新原理，實現(xiàn)超高速低功耗非易失存儲與計算，完成原型器件驗證。

　　研究內容：研究非易失存儲中的載流子微觀輸運機制，探索其在存算一體化和神經形態(tài)計算等方面的應用。

　　方向2.集成電路新器件、新工藝、新方法研究

　　研究目標：面向未來電子學對更多功能集成智能微系統(tǒng)芯片的重大需求，突破材料級、器件級、系統(tǒng)級一體化微納集成芯片技術，為下一代智能集成微系統(tǒng)芯片提供支撐。

　　研究內容：三維異質集成設計與制造關鍵技術研究及芯片驗證。