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羅姆所倡導(dǎo)的SiC技術(shù)有何妙處

2019-07-01
關(guān)鍵詞: 羅姆 SiC

  近年來(lái),隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,全球?qū)﹄娏Φ男枨笾鹉暝黾?。但同時(shí),這也造成了化石燃料的逐漸枯竭,并帶來(lái)了環(huán)境惡化,氣候變暖等問(wèn)題。如何有效的利用電力成為亟待解決的難題。

  作為全球知名的半導(dǎo)體廠商,羅姆向市場(chǎng)推出了一系列有助于節(jié)能、減排的產(chǎn)品,如以低功耗、高效轉(zhuǎn)換率IC為首的高集成電路、無(wú)源器件等等,其中SiC 功率元器件作為新一代“環(huán)保元器件”受到了業(yè)界的矚目。

  致力于探索SiC功率半導(dǎo)體

  SiC功率半導(dǎo)體誕生于四十六億年的隕石中,數(shù)量極為稀少,作為半導(dǎo)體,它具有極其優(yōu)秀的性能。有報(bào)告稱(chēng),2016 至 2022 年間,有望實(shí)現(xiàn) 6% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率。而且,新應(yīng)用的出現(xiàn)也將推動(dòng)碳化硅電力電子器件市場(chǎng)的發(fā)展。也就是說(shuō),2022 年,碳化硅器件市場(chǎng)總值將超過(guò) 10 億美元。事實(shí)上,2020 年之后,市場(chǎng)發(fā)展的腳步將進(jìn)一步加快,2020 至 2022 年間,有望實(shí)現(xiàn) 40% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率。

  雖然SiC 可以通過(guò)人工制成,但加工過(guò)程卻極其困難,因此sic功率元器件如何量產(chǎn)一直是業(yè)界的難題。羅姆在這方面已經(jīng)擁有近30年經(jīng)驗(yàn),2012年3月就開(kāi)始了“全SiC ”功率模塊的量產(chǎn)。

  在2019年MWC上,羅姆向記者展示了面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的電源解決方案,同時(shí)還展示了羅姆最新的碳化硅技術(shù)。

  

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  在場(chǎng)的工作人員首先向記者展示了目前在場(chǎng)的所有SiC 陣容,同時(shí)介紹道,羅姆的SiC 產(chǎn)品分成三類(lèi),二極管,mos管以及功率模塊。羅姆除了具體的產(chǎn)品以外,生產(chǎn)體制也非常有特色,遵循IDM(整合組件制造商)生產(chǎn)體制,從SiC 的晶圓開(kāi)始到封裝,都自行完成,可以給客戶(hù)提供長(zhǎng)期穩(wěn)定,高品質(zhì)的供貨。

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  SiC產(chǎn)品陣容

  先進(jìn)的電源解決方案

  汽車(chē)領(lǐng)域內(nèi),電動(dòng)汽車(chē)是羅姆的增長(zhǎng)點(diǎn),這是由于汽車(chē)電氣化而增加了對(duì)電子元件的需求。羅姆為車(chē)載設(shè)備提供了內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器,搭載SiC Trench的SkW絕緣雙向DCDC轉(zhuǎn)換器,搭載ROHM SiC6合1封裝的車(chē)載模塊驅(qū)動(dòng)以及SiC MOSFET。

  作為參加“FIA電動(dòng)方程式錦標(biāo)賽”的Venturi電動(dòng)方程式車(chē)隊(duì)的官方技術(shù)合作伙伴,為其賽車(chē)核心驅(qū)動(dòng)部件逆變器提供技術(shù)支持,為其提供全球先進(jìn)的SiC功率器件。第3賽季提供了二極管(SiC-SBD),而從第4賽季開(kāi)始,則提供集成了晶體管與二極管的“全SiC”功率模塊。與未搭載SiC的第2賽季的逆變器相比,第4賽季的逆變器在重量上共減少了6kg,體積上減少了43%。羅姆還為賽車(chē)的小型化、輕型化和高效化提供了技術(shù)支持。而在第四賽季(2017/2018)中,羅姆提供的功率模塊采用了ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)與優(yōu)化了散熱設(shè)計(jì)的全新封裝,成功提高了額定電流,另因開(kāi)關(guān)損耗的降低,有助于節(jié)能化和冷卻系統(tǒng)的小型化。

  同時(shí)在工業(yè)設(shè)備方面,羅姆也帶來(lái)了功能強(qiáng)大的諸多產(chǎn)品。比如主要應(yīng)用于輔助電源的1700V高耐壓SiC MOSFET,在大功率(高電壓×大電流)逆變器和伺服等工業(yè)設(shè)備中日益廣泛應(yīng)用的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)用準(zhǔn)諧振AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC,以及溝槽式SiC MOSFET,與上一代相比同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%,這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。同時(shí)會(huì)上還展示了運(yùn)動(dòng)控制用FA逆變器/AC伺服方框圖等等。

  工作人員著重介紹了羅姆的最新款SiC產(chǎn)品-1700250A高耐壓“全SiC”功率模塊,由田村配套驅(qū)動(dòng)板,擁有高可靠性以及低開(kāi)關(guān)損耗的特性,與同類(lèi)型產(chǎn)品相比,擁有低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn)。用于高電壓脈沖電源,直流電網(wǎng)等。

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  1700250A高耐壓“全SiC”功率模塊

  本次展會(huì)上,羅姆還展出了最先進(jìn)的6英寸SiC 晶圓,據(jù)介紹,羅姆于2009年收購(gòu)了世界級(jí)的碳化硅晶片制造商——德國(guó)SiCrystal晶圓制造公司以后,就成為了全球第一家量產(chǎn)碳化硅功率器件的廠家。這款晶圓在目前世界上都屬于十分先進(jìn)的產(chǎn)品。

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  6英寸SiC 晶圓

  近年來(lái),羅姆在工業(yè)市場(chǎng)上憑借高品質(zhì)、高可靠性的IC、分立元器件以及長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng),支持著工業(yè)設(shè)備的進(jìn)一步技術(shù)革新。

  對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)高速發(fā)展的工業(yè)、汽車(chē)領(lǐng)域所產(chǎn)生的技術(shù)需求,羅姆已經(jīng)做好了充足的準(zhǔn)備,通過(guò)自身積累的世界先進(jìn)SiC核心功率元器件技術(shù)以及相關(guān)的解決方案,在未來(lái)的市場(chǎng)環(huán)境中占得先機(jī)。

  雖然SiC因價(jià)格等問(wèn)題目前并未被廣泛使用,但據(jù)預(yù)計(jì),SiC在EV市場(chǎng)的采用趨勢(shì)會(huì)加大SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模。羅姆將加速投資,提升SiC功率器件和SiC晶圓的產(chǎn)能。它預(yù)期汽車(chē)及工業(yè)領(lǐng)域?qū)μ蓟璧男枨髮⒋蠓黾印?/p>

  以引領(lǐng)世界的SiC元器件為核心,羅姆致力于提供完整的大功率電源解決方案。

  

 


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