在臺積電第26屆技術(shù)研討會上，臺積電不僅確認5nm、6nm已在量產(chǎn)中，且5nm還將在明年推出N5P增強版外，更先進的3nm、4nm也一并公布。
3nm是5nm的自然迭代，4nm理論上說是5nm的終極改良。
技術(shù)指標方面，3nm（N3）將在明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年投入大規(guī)模量產(chǎn)。相較于5nm，3nm將可以帶來25~30%的功耗減少、10~15%的性能提升。
4nm（N4）同樣定于明年晚些時候風(fēng)險試產(chǎn)，2022年量產(chǎn)。對于臺積電N5客戶來說，將能非常平滑地過渡到N4，也就是流片成本大大降低、進度大大加快。
當然，臺積電不是唯一一家3nm廠商，三星的雄心更大，明年就想把3nm推向市場。而且在核心技術(shù)方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA，環(huán)繞柵極晶體管），臺積電則是堅守FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。
三星比較雞賊，3nm對比的是7nm，號稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。