隨著氮化鎵（GaN）市場(chǎng)的增長(zhǎng)，該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)也在加劇，專利戰(zhàn)正成為一項(xiàng)重要的競(jìng)爭(zhēng)手段。

氮化鎵市場(chǎng)快速增長(zhǎng)，英諾賽科與英偉達(dá)達(dá)成合作

根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Group 的報(bào)告《功率氮化鎵（2024 年版）》預(yù)計(jì)，得益于氮化鎵在汽車(chē)和服務(wù)器等高端應(yīng)用場(chǎng)景中的應(yīng)用，預(yù)計(jì)到 2029 年功率GaN市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)22億美元，2023年至2029年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）預(yù)計(jì)達(dá)43%。

8月1日，國(guó)產(chǎn)氮化鎵（GaN）大廠在英諾賽科在成功進(jìn)入英偉達(dá)800V直流電源架構(gòu)合作商名錄之后，推動(dòng)其當(dāng)日股價(jià)一度暴漲近64%，收盤(pán)漲幅仍高達(dá)30.91%，之后的一個(gè)交易日又再度上漲30.47%，兩個(gè)交易日累計(jì)上漲超61%。

英諾賽科隨后也發(fā)布公告稱，公司已于近日與全球AI技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者英偉達(dá)達(dá)成合作，聯(lián)合推動(dòng)800VDC（800伏直流）電源構(gòu)架在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)模化落地。公司的第三代GaN器件具備出色的高頻、高效率與高功率密度等特性，為英偉達(dá)800VDC構(gòu)架提供從800V輸入到GPU終端，覆蓋15V到1200V的全鏈路氮化鎵電源解決方案。

英飛凌在與英諾賽科專利訴訟中獲一審勝訴

然而，同樣在8月1日，歐洲芯片大廠英飛凌宣布，德國(guó)慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2025年8月1日就英飛凌與英諾賽科（Innoscience）公司之間關(guān)于氮化鎵（GaN）技術(shù)的一審專利侵權(quán)案，裁定英飛凌公司勝訴。

慕尼黑地方法院裁定，英諾賽科在德國(guó)銷(xiāo)售的GaN產(chǎn)品侵犯了英飛凌的專利。該裁決特別禁止英諾賽科在德國(guó)制造、銷(xiāo)售或營(yíng)銷(xiāo)侵權(quán)產(chǎn)品。此外，該裁決還要求英諾賽科向英飛凌支付損害賠償金。

英飛凌表示，其憑借業(yè)界最廣泛的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合（包含約450個(gè)GaN專利族），正不斷鞏固其在GaN市場(chǎng)領(lǐng)先的集成器件制造商（IDM）地位。“該裁決證明了英飛凌知識(shí)產(chǎn)權(quán)的實(shí)力，并證實(shí)了英飛凌致力于大力捍衛(wèi)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)免受侵權(quán)的承諾。”

對(duì)此，英諾賽科尚未正面回應(yīng)。不過(guò)，在今年1月16日，英諾賽科曾發(fā)布公告稱，本公司及本公司之全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（后者簡(jiǎn)稱“英諾蘇州”，二者統(tǒng)稱“原告”）已向中國(guó)江蘇省蘇州市中級(jí)人民法院起訴英飛凌科技（中國(guó)）有限公司（以下稱“被告一”）、英飛凌科技（無(wú)錫）有限公司（以下稱“被告二”）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（以下稱“被告三”），就202311774650.7號(hào)專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1430號(hào)》，及就202211387983.X號(hào)專利提交起訴狀《（2024）蘇05民初1431號(hào)》。

隨后，英飛凌科技（中國(guó)）有限公司針對(duì)英諾賽科的專利訴訟提起了管轄權(quán)異議上述，不過(guò)在2025年5月9日，法院裁定駁回英飛凌科技（中國(guó)）有限公司的管轄權(quán)異議上訴，確認(rèn)江蘇省蘇州市中級(jí)人民法院對(duì)兩起專利侵權(quán)案的管轄權(quán)。

與EPC專利訴訟

除了與英飛凌的專利訴訟之外，英諾賽科還面臨另一位競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的專利訴訟。

2023年5月，EPC在ITC對(duì)英諾賽科提起專利侵權(quán)訴訟調(diào)查，宣稱英諾賽科侵犯了EPC的US’508號(hào)專利和US’294號(hào)專利。2024年11 月8日，EPC宣布美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）全體委員會(huì)維持此前的初步裁定，確認(rèn)英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化鎵技術(shù)專利。

對(duì)此，英諾賽科在同日回應(yīng)稱，美國(guó)ITC于2024年11月7日發(fā)布的337調(diào)查終裁決定證實(shí)，英諾賽科沒(méi)有侵犯EPC的US'508號(hào)專利的權(quán)利要求1（該專利中唯一被EPC用來(lái)主張權(quán)利的權(quán)利要求），英諾賽科的客戶將其產(chǎn)品進(jìn)口到美國(guó)的合法性不受英諾賽科和宜普之間正在進(jìn)行的專利糾紛的影響。

中國(guó)廠商加速GaN專利格局

為了應(yīng)對(duì)專利訴訟問(wèn)題，英諾賽科等中國(guó)廠商近年來(lái)也在加速相關(guān)GaN專利的布局。

根據(jù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)與技術(shù)創(chuàng)新分析機(jī)構(gòu)KnowMade最新公布的2025年二季度GaN專利監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，該季度出現(xiàn)了645 項(xiàng)新的GaN專利家族申請(qǐng)，其中中國(guó)的西安電子科技大學(xué)占比9%，相比一季度幾乎增長(zhǎng)了一倍，位居第一。緊隨其后的英飛凌占比3%，意法半導(dǎo)體、京東方、中國(guó)電子、Wolfspeed均占比2%，英諾賽科占比1%。

但如果看被新授予的GaN專利，二季度有超過(guò) 320 項(xiàng)新專利家族被授予，英諾賽科在總的被新授予的GaN專利家族中的占比為3%，與西安電子科技大學(xué)（3%）并列第一。緊隨其后的是Toyota（2%）、聯(lián)電（2%）、Hatchip（2%）、中國(guó)電子（2%）、Wolfspeed（2%）。

KnowMade指出，英諾賽科被授予的GaN專利數(shù)量的增長(zhǎng)，反映了其在功率 GaN 領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)地位得到加強(qiáng)。相比之下，二季度有220 多項(xiàng)專利到期或放棄，這對(duì)于 Wolfspeed 和英飛凌等公司產(chǎn)生了重大影響。

KnowMade解釋稱，第二季度，有90多項(xiàng)GaN專利被轉(zhuǎn)讓，其中大部分為射頻GaN專利，這重塑了射頻GaN市場(chǎng)格局。值得一提的是，Wolfspeed 在之前的業(yè)務(wù)出售后，繼續(xù)將其射頻氮化鎵 IP 資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓給 Macom；SpaceX 在 Akoustis Technologies 破產(chǎn)后收購(gòu)了其所有知識(shí)產(chǎn)權(quán)資產(chǎn)；Axiro Semiconductor 于2024年10月則通過(guò)收購(gòu)瑞薩電子射頻元件業(yè)務(wù)提升了其地位。

根據(jù)英諾賽科公布的數(shù)據(jù)顯示，截至2023年12月31日，英諾賽科在全球有約319項(xiàng)專利及430項(xiàng)專利申請(qǐng)，涵蓋芯片設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)、晶圓制造、封裝及可靠性測(cè)試等關(guān)鍵領(lǐng)域。截至2024年底，英諾賽科累計(jì)的專利授權(quán)量達(dá)到了422項(xiàng)，核心技術(shù)已經(jīng)覆蓋了全電壓譜系（15V-1,200V）。

值得一提的是，今年4月1日，英諾賽科還發(fā)布公告稱，與功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體簽署了一項(xiàng)基于GaN功率技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造的聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，擬在未來(lái)幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。