當?shù)貢r間11月10日消息，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）今宣布，它已與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術(shù)簽訂了技術(shù)許可協(xié)議。這一戰(zhàn)略舉措將加速格芯在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產(chǎn)品，并為全球客戶群提供美國的氮化鎵產(chǎn)能。

格羅方德表示，隨著傳統(tǒng)硅CMOS技術(shù)達到其性能極限，GaN正在成為下一代解決方案，以滿足電力系統(tǒng)對更高效率、功率密度和緊湊性日益增長的需求。格羅方德正在開發(fā)全面的氮化鎵產(chǎn)品組合，包括高性能的650V和80V技術(shù)，旨在支持電動汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)和快速充電電子產(chǎn)品。格羅方德的GaN解決方案專為惡劣環(huán)境而設計，采用涵蓋工藝開發(fā)、器件性能和應用集成的GaN可靠性整體方法。

格羅方德將在其位于佛蒙特州伯靈頓的制造工廠對獲得許可的氮化鎵技術(shù)進行認證，利用該工廠在高壓硅基氮化鎵技術(shù)方面的專業(yè)知識，為尋求下一代功率器件的客戶加速批量生產(chǎn)。開發(fā)計劃于 2026 年初進行，生產(chǎn)將于今年晚些時候開始。

格羅方德電源業(yè)務高級副總裁Téa Williams表示：“該協(xié)議加強了格羅方德對創(chuàng)新的承諾及其對差異化技術(shù)的戰(zhàn)略重點，這些技術(shù)解決了我們用于生活、工作和連接的基本功率設備。通過加入這種經(jīng)過驗證的 GaN 技術(shù)，我們將加速下一代 GaN 芯片的開發(fā)，并提供差異化的解決方案，以解決從數(shù)據(jù)中心到汽車和工廠車間的關(guān)鍵任務應用的關(guān)鍵功率差距?！?/p>