EDA與制造相關(guān)文章 2026年日本半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額將突破5萬(wàn)億日元 7月3日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布的最新的報(bào)告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額上修至48,634億日元，將創(chuàng)下歷史新高記錄，并預(yù)估2026年度銷(xiāo)售額將沖破5萬(wàn)億日元大關(guān)、改寫(xiě)歷史新高。 發(fā)表于：7/4/2025 三星承認(rèn)尖端制程競(jìng)爭(zhēng)力不足 7月4日消息，據(jù)韓國(guó)媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，雖然三星晶圓代工部門(mén)的2nm和3nm良率已經(jīng)超過(guò)了40%，達(dá)到了商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)，但與對(duì)手臺(tái)積電相比，三星的性能和良率未達(dá)預(yù)期。 報(bào)道稱(chēng)，三星已與英偉達(dá)（NVIDIA）和高通（Qualcomm）評(píng)估其2nm制程，但是市場(chǎng)消息顯示，三星與英偉達(dá)GPU測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)其性能較臺(tái)積電低，暫未考慮采用；高通評(píng)估后雖然有下單，但訂單量不夠改善三星營(yíng)收。 發(fā)表于：7/4/2025 英飛凌四季度向客戶(hù)提供首批12英寸氮化鎵樣品 隨著氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體需求的持續(xù)增長(zhǎng)，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢(shì)，鞏固其作為GaN市場(chǎng)領(lǐng)先垂直整合制造商（IDM）的地位。 發(fā)表于：7/4/2025 美國(guó)通知通用電氣重啟向中國(guó)商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī) 7月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)政府通知通用電氣航空航天，稱(chēng)其可以重啟向中國(guó)商飛供應(yīng)噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)。 發(fā)表于：7/4/2025 三星美國(guó)泰勒晶圓廠因缺單開(kāi)業(yè)時(shí)間推遲至明年 7月3日消息，據(jù)“日經(jīng)亞洲”報(bào)道，三星在美國(guó)德克薩斯州泰勒市的尖端制程晶圓廠盡管已接近完工，但由于缺乏客戶(hù)，現(xiàn)在已推遲到了2026 年開(kāi)業(yè)。 發(fā)表于：7/4/2025 蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購(gòu)臺(tái)灣索爾思光電 中國(guó)印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購(gòu)位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園的光通信廠商索爾思光電之后，中國(guó)臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部門(mén)”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計(jì)劃變更申請(qǐng)，將在收到申請(qǐng)案后，會(huì)同關(guān)等單位嚴(yán)格審查。 發(fā)表于：7/3/2025 英特爾計(jì)劃叫停玻璃基板開(kāi)發(fā) 7月3日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動(dòng)一系列改革措施，英特爾正在對(duì)旗下業(yè)務(wù)及開(kāi)發(fā)工作進(jìn)行調(diào)整。 發(fā)表于：7/3/2025 美國(guó)解除對(duì)中國(guó)芯片設(shè)計(jì)軟件EDA的出口限制 7月3日，據(jù)彭博社報(bào)道，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)巨頭西門(mén)子表示，根據(jù)公司收到的美國(guó)政府通知，美國(guó)已解除對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件的出口限制。 特朗普政府已解除了至少部分對(duì)華芯片設(shè)計(jì)軟件出口許可要求。根據(jù)西門(mén)子的聲明，美國(guó)商務(wù)部已通知公司，其在中國(guó)開(kāi)展業(yè)務(wù)已無(wú)需再申請(qǐng)政府許可。 西門(mén)子在聲明中稱(chēng)，已恢復(fù)了中國(guó)客戶(hù)對(duì)其軟件和技術(shù)的全面訪問(wèn)權(quán)限。 發(fā)表于：7/3/2025 High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導(dǎo)入時(shí)間 7月2日消息，據(jù)媒體報(bào)道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，業(yè)界普遍認(rèn)為，High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開(kāi)發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用。 發(fā)表于：7/3/2025 三星電子計(jì)劃明年3月啟動(dòng)第十代4xx層V-NAND量產(chǎn)線建設(shè) 7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星計(jì)劃明年三月啟動(dòng)其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產(chǎn)線建設(shè)，有望當(dāng)年 10 月進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。 發(fā)表于：7/3/2025 臺(tái)積電計(jì)劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產(chǎn) 7 月 3 日消息，根據(jù)納微半導(dǎo)體 Navitas 向美國(guó)證券交易委員 SEC 遞交的 FORM 8-K 文件和發(fā)布于 7 月 1 日的新聞稿，該公司當(dāng)前唯一氮化鎵 (GaN) 晶圓供應(yīng)商臺(tái)積電計(jì)劃于兩年后的 2027 年 7 月終止相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱(chēng)數(shù)百中國(guó)工程師撤離印度iPhone工廠 7 月 2 日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士透露，富士康科技集團(tuán)已要求數(shù)百名中國(guó)工程師和技術(shù)人員從其位于印度的 iPhone 工廠返回中國(guó)，這對(duì)蘋(píng)果公司在南亞國(guó)家的生產(chǎn)擴(kuò)張計(jì)劃造成了打擊。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱(chēng)英特爾考慮放棄向新外部客戶(hù)推銷(xiāo)Intel 18A (-P) 工藝 7 月 2 日消息，路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間 1 日援引消息人士報(bào)道稱(chēng)，英特爾 CEO 陳立武責(zé)成公司擬定一系列將在董事會(huì)上討論的方案，其中包含是否停止向新客戶(hù)推銷(xiāo)英特爾代工的 Intel 18A (-P) 先進(jìn)制程工藝。 發(fā)表于：7/2/2025 三星代工低價(jià)搶到2nm版高通驍龍8 Elite 2 7月2日消息，博主數(shù)碼閑聊站爆料，三星代工生產(chǎn)了部分驍龍8 Elite 2芯片，工藝升級(jí)為三星SF2（2nm制程），套片報(bào)價(jià)比臺(tái)積電3nm版本更低，明年可能會(huì)上線。 他還爆料，目前沒(méi)有廠商采購(gòu)三星2nm版驍龍8 Elite 2，高通主要供貨的是臺(tái)積電3nm版。 2nm版高通驍龍8 Elite 2首曝：三星代工 根據(jù)此前曝光的消息，今年9月登場(chǎng)的驍龍8 Elite 2基于臺(tái)積電N3P工藝（臺(tái)積電第三代3nm）制造，并采用第二代自研Oryon CPU架構(gòu)，GPU獨(dú)立緩存提升至16MB。 發(fā)表于：7/2/2025 消息稱(chēng)三星代工調(diào)整戰(zhàn)略 1.4nm量產(chǎn)計(jì)劃將推遲 7月1日消息，據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 報(bào)導(dǎo)，三星電子旗下Exynos 移動(dòng)處理器的開(kāi)發(fā)策略預(yù)計(jì)在未來(lái)2至3年內(nèi)將迎來(lái)重大轉(zhuǎn)變，其中的一項(xiàng)關(guān)鍵調(diào)整在于，暫緩原定于2027年量產(chǎn)1.4nm制程節(jié)點(diǎn)的計(jì)劃。 發(fā)表于：7/2/2025 ?12345678910…?
