EDA與制造相關(guān)文章 長江存儲對美國國防部和商務(wù)部提起訴訟 當(dāng)?shù)貢r間12月8日，路透社報道稱，中國NAND閃存制造商長江存儲（YMTC）已向華盛頓特區(qū)聯(lián)邦法院對美國國防部提起訴訟。該訴訟要求法院暫停并撤銷將長江存儲列入“與中國軍方有關(guān)聯(lián)的實體”名單的認(rèn)定。美國國防部于2024年1月將長江存儲納入該名單，今年早些時候重申了這一認(rèn)定，長江存儲因此被禁止進(jìn)口含有美國技術(shù)的先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備。 發(fā)表于：12/10/2025 聞泰科技邀請荷蘭安世股權(quán)托管人會談 據(jù)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報道，聞泰科技12月9日已正式向荷蘭方面指定的安世半導(dǎo)體（Nexperia）股權(quán)托管人迪里克（Guido Dirick）等人發(fā)出函件，提議就安世半導(dǎo)體相關(guān)爭議開展建設(shè)性會談，以期通過對話彌合分歧、尋求符合各方利益的長期解決方案。 發(fā)表于：12/10/2025 國創(chuàng)基礎(chǔ)資源庫成為2025年零部件3D模型首選平臺 在眾多的選擇中,由廣州泊滄數(shù)據(jù)技術(shù)有限公司運營的國創(chuàng)基礎(chǔ)資源庫憑借其“國家隊”背景、海量數(shù)據(jù)儲備及智能化服務(wù)體驗,成為了2025年值得重點推薦的零部件3D模型平臺。 發(fā)表于：12/10/2025 SK海力士加速推進(jìn)超300層V10 NAND閃存 12月9日消息，據(jù)Trendforce報道，SK海力士確認(rèn)將于2027年初量產(chǎn)第十代V10 NAND閃存，核心突破在于首次采用300+層堆疊架構(gòu)并集成混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding）。 發(fā)表于：12/10/2025 聞泰科技重大資產(chǎn)出售接近完成 12月9日傍晚，聞泰科技發(fā)布了《關(guān)于重大資產(chǎn)出售的進(jìn)展公告》，宣布印度聞泰相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)包已完成了向收購方立訊的轉(zhuǎn)移，目前僅印度土地尚需交易對方配合進(jìn)行資產(chǎn)權(quán)屬變更手續(xù)，除此之外，本次交易的其余標(biāo)的資產(chǎn)均已完成所涉權(quán)屬變更登記手續(xù)。 發(fā)表于：12/10/2025 EDA領(lǐng)域的“替代”路徑為何不香了 在ICCAD2025會議期間，國內(nèi)幾位EDA企業(yè)負(fù)責(zé)人的觀點揭示了一個令人深思的轉(zhuǎn)變：在被譽為“芯片產(chǎn)業(yè)皇冠”的EDA（電子設(shè)計自動化）領(lǐng)域，“國*替代”的光環(huán)正在褪色。 發(fā)表于：12/10/2025 英特爾代工研究解決為不斷縮小的晶體管供電的關(guān)鍵技術(shù)難題 12月9日消息，在近日舉行的2025 年IEEE 國際電子會議（IEDM）上，英特爾及英特爾代工部門的研究人員介紹了他們在用于片上去耦電容的金屬-絕緣體-金屬（MIM）材料方面取得了突破性進(jìn)展。該進(jìn)展有望解決先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)，即在晶體管不斷縮小的同時，保持穩(wěn)定的供電。 發(fā)表于：12/10/2025 聯(lián)電獲imec 300mm硅光子學(xué)平臺授權(quán) 12 月 9 日消息，聯(lián)華電子（UMC、聯(lián)電）昨日宣布其獲得了 imec 的 300mm（12 英寸）硅光子學(xué)平臺 ISiPP300 的技術(shù)授權(quán)。這一工藝支持 CPO（共封裝光學(xué)）應(yīng)用，將加速聯(lián)電硅光子技術(shù)的發(fā)展。 發(fā)表于：12/9/2025 日本DNP開發(fā)出1.4nm級NIL納米壓印圖案化模板 12 月 9 日消息，日本 DNP（大日本印刷）當(dāng)?shù)貢r間今日宣布成功開發(fā)出線寬僅 10nm 的 NIL 納米壓印圖案化模板，支持 1.4nm 級邏輯半導(dǎo)體以及 NAND 閃存的制造。 發(fā)表于：12/9/2025 荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣就安世半導(dǎo)體接受質(zhì)詢承認(rèn)明搶 據(jù)新華社此前報道，11月19日，荷蘭經(jīng)濟(jì)大臣卡雷曼斯發(fā)表聲明，宣布暫停針對安世半導(dǎo)體的行政令。而這一暫停舉措并未平息外界對其前期處置行為的爭議，時隔半月，卡雷曼斯便因該事件在議會接受質(zhì)詢。 發(fā)表于：12/9/2025 imec在HBM與GPU進(jìn)行3D堆疊散熱方面獲得突破 12月9日消息，在近日舉行的2025 年IEEE 國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發(fā)布了首篇針對3D 高帶寬內(nèi)存（HBM）與圖形處理器（GPU）堆疊元件（HBM-on-GPU）的系統(tǒng)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（STCO）熱學(xué)研究。通過完整熱模擬研究，識別了散熱瓶頸，并提出策略來提升該架構(gòu)散熱可行性。 發(fā)表于：12/9/2025 英特爾布局印度半導(dǎo)體制造與封裝市場 12月9日消息，據(jù)《印度經(jīng)濟(jì)時報》報導(dǎo)，印度塔塔電子（Tata Electronics）與英特爾（Intel）近日簽署了一項合作備忘錄，雙方同意深化在印度半導(dǎo)體和系統(tǒng)制造領(lǐng)域的合作。這項合作鞏固了英特爾做為塔塔電子新成立的半導(dǎo)體制造（fab）和組裝測試（OSAT）設(shè)施的首批潛在客戶的地位，塔塔電子的半導(dǎo)體制造和組裝測試設(shè)施預(yù)計設(shè)置在印度的古吉拉特邦和阿薩姆邦等地。 發(fā)表于：12/9/2025 傳北方華創(chuàng)90:1深孔刻蝕設(shè)備取得突破 12月8日消息，據(jù)最新曝光的一份瑞銀報告稱，中國半導(dǎo)體設(shè)備大廠北方華創(chuàng)（NAURA）90:1高縱橫比蝕刻方面可能取得了重大進(jìn)展，這類刻蝕設(shè)備將可助力300層以上的NAND Flash閃存的生產(chǎn)。 發(fā)表于：12/9/2025 Gartner預(yù)測2026年全球在用電動汽車數(shù)量將達(dá)到1.16億輛 商業(yè)與技術(shù)洞察公司Gartner預(yù)測，2026年全球在用電動汽車（含轎車、客車、廂式貨車及重型卡車）數(shù)量將達(dá)1.16億輛。Gartner高級研究總監(jiān)Jonathan Davenport表示：“盡管美國政府對進(jìn)口車輛征收關(guān)稅且多國政府取消了電動汽車購置補貼，2026年全球在用電動汽車數(shù)量預(yù)估仍將增長30%。預(yù)計到2026年，中國將占全球電動汽車保有量的61%。隨著消費者愈加看重隨時可用的備用汽油發(fā)動機所帶來的安心感，插電式混合動力汽車（PHEV）的全球保有量預(yù)計將同比增長32%?！?/a> 發(fā)表于：12/9/2025 SMT硬核科普：熱風(fēng)焊與氮氣焊，到底有何不同？| SMT加工 在電子組裝（PCBA）過程中，回流焊是確保元器件與PCB之間牢固焊接的關(guān)鍵步驟 。對于追求高品質(zhì)的電子工程師而言，理解回流焊的工作原理、掌握四大溫區(qū)的作用，并選擇合適的SMT加工服務(wù)，是提升產(chǎn)品良率的核心。 發(fā)表于：12/9/2025 ?…45678910111213…?
