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全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶量產(chǎn)化制備

據(jù)“科創(chuàng)江北”消息，2025年10月23日，江北新區(qū)企業(yè)南京極鉬芯科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“極鉬芯科技”）與南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在《Science》期刊共同發(fā)表重要研究成果。極鉬芯科技深度參與工藝開發(fā)與設(shè)備研制，為研究團(tuán)隊(duì)提供了自主研制的二維半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶系列的量產(chǎn)化制備。該設(shè)備的全面國(guó)產(chǎn)化與自主可控性，標(biāo)志著我國(guó)在下一代集成電路關(guān)鍵材料與裝備領(lǐng)域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導(dǎo)體單晶晶圓與單晶襯底產(chǎn)品，為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供高質(zhì)量材料解決方案。

發(fā)表于：10/29/2025

傳臺(tái)積電先進(jìn)制程功臣將退休加盟英特爾

10月28日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，有傳聞稱，今年7月底才退休的臺(tái)積電前技術(shù)研發(fā)暨企業(yè)策略發(fā)展資深副總經(jīng)理羅唯仁可能將會(huì)加盟英特爾研發(fā)部門。

發(fā)表于：10/29/2025

一圖看懂存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期有多離譜

9月，美光科技發(fā)布“調(diào)價(jià)令”，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)漲價(jià)加速。目前部分Dram和Flash產(chǎn)品已停止報(bào)價(jià)，價(jià)格“一天一個(gè)價(jià)”。近兩周有DDR產(chǎn)品報(bào)價(jià)漲幅達(dá)60%。

發(fā)表于：10/29/2025

消息稱蘋果缺席臺(tái)積電A16工藝首單

10 月 29 日消息，韓國(guó)媒體 EBN News 昨日（10 月 28 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)已成為臺(tái)積電下一代 A16工藝的目前唯一客戶，雙方正就此展開聯(lián)合測(cè)試，該工藝預(yù)估 2027 年部署。與此同時(shí)，消息還指出，作為臺(tái)積電長(zhǎng)期大客戶的蘋果公司，尚未就其移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）采用 A16 工藝一事展開洽談。 IT之家援引博文介紹，根據(jù)英偉達(dá)公布的 GPU 路線圖，其產(chǎn)品演進(jìn)順序?yàn)?Hopper、Blackwell、Rubin，最終到達(dá) Feynman。其中，計(jì)劃于 2028 年推出的 Feynman 架構(gòu) GPU，預(yù)計(jì)將全面采用臺(tái)積電的 A16 工藝制造。

發(fā)表于：10/29/2025

佳能半導(dǎo)體設(shè)備銷量受挫光刻機(jī)直砍14臺(tái)

發(fā)表于：10/28/2025

SK海力士持續(xù)加強(qiáng)HBM產(chǎn)能建設(shè)

10月28日消息，據(jù)韓國(guó)媒體TheElec報(bào)道，韓國(guó)存儲(chǔ)芯片大廠SK海力士已經(jīng)在新晶圓廠M15X中安裝首批設(shè)備，比原定計(jì)劃提前了兩個(gè)月。

發(fā)表于：10/28/2025

臺(tái)積電：供應(yīng)商目前有足夠的稀土庫(kù)存！

據(jù)臺(tái)媒DigiTimes近日?qǐng)?bào)道，隨著中國(guó)大陸持續(xù)加碼的稀土出口管制政策，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電可能將會(huì)是稀土供應(yīng)鏈中斷的最大“受影響者”之一，但該公司似乎對(duì)其供應(yīng)商現(xiàn)有庫(kù)存充滿信心。

發(fā)表于：10/28/2025

聯(lián)電掀起成熟制程價(jià)格戰(zhàn)

10月27日消息，據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，隨著中國(guó)大陸與東南亞的成熟制程晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)臺(tái)灣兩大成熟制程代工廠聯(lián)電與世界先進(jìn)在2026年報(bào)價(jià)談判中面臨較大的降價(jià)壓力。對(duì)此，聯(lián)電已正式要求上游供應(yīng)鏈自2026年起至少提出15%的降價(jià)方案，借此提前應(yīng)對(duì)成本上升與對(duì)客戶降價(jià)的的雙重風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)表于：10/28/2025

我國(guó)人造太陽(yáng)關(guān)鍵核心材料實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)工業(yè)化制備

10月28日消息，今日，中國(guó)科學(xué)院金屬研究所發(fā)文稱，第二代高溫超導(dǎo)帶材用金屬基帶國(guó)產(chǎn)化取得突破。據(jù)了解，該研究所戎利建研究員團(tuán)隊(duì)利用自主研發(fā)的純凈化制備技術(shù)，突破了可控核聚變用第二代高溫超導(dǎo)帶材用金屬基帶技術(shù)瓶頸，成功實(shí)現(xiàn)了高純凈噸級(jí)哈氏合金（C276）金屬基帶的工業(yè)化制備。

發(fā)表于：10/28/2025

高通第四代驍龍6s處理器將采用三星4nm代工

10月27日消息，據(jù)韓國(guó)媒體《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道，處理器大廠高通（Qualcomm）公司面向中端市場(chǎng)推出的新款處理器——第四代驍龍6s（Snapdragon 6s Gen 4）將首次采用三星4nm（4LPX）制程。這對(duì)于三星的先進(jìn)制程晶圓代工業(yè)務(wù)來說是一個(gè)好消息。

發(fā)表于：10/28/2025

智能手機(jī)市場(chǎng)回暖臺(tái)積電3nm需求旺盛

10月27日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，近期智能手機(jī)市場(chǎng)庫(kù)存恢復(fù)健康，不僅iPhone 17系列追單消息不斷，其他品牌的高階機(jī)型出貨也有增長(zhǎng)，助力聯(lián)發(fā)科、高通等手機(jī)處理器廠商旗艦芯片出貨回穩(wěn)，這也使得臺(tái)積電3nm制程需求旺上加旺。

發(fā)表于：10/27/2025

我國(guó)首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)擬立項(xiàng)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委網(wǎng)站顯示，我國(guó)首個(gè)EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)——《極紫外（EUV）光刻膠測(cè)試方法》作為擬立項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)，10月23日開始公示，截止時(shí)間為11月22日。標(biāo)準(zhǔn)的起草單位包括上海大學(xué)、張江國(guó)家實(shí)驗(yàn)室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司。

發(fā)表于：10/27/2025

北大團(tuán)隊(duì)成功改進(jìn)光刻膠缺點(diǎn) 提升7nm及以下先進(jìn)制程良率

10月26日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱，我國(guó)芯片領(lǐng)域取得新突破，具體來說是在光刻膠領(lǐng)域。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導(dǎo)開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關(guān)論文近日刊發(fā)于《自然通訊》。

發(fā)表于：10/27/2025

Intel 14A工藝沖擊代工客戶初步反饋令人鼓舞

10月26日消息，Intel原本計(jì)劃在18A工藝節(jié)點(diǎn)大力發(fā)展外部代工，但進(jìn)展非常不樂觀，不得不改為內(nèi)部使用，轉(zhuǎn)而發(fā)展14A代工。

發(fā)表于：10/27/2025

臺(tái)積電再向海外轉(zhuǎn)移先進(jìn)工藝

臺(tái)積電確認(rèn)將在日本熊本縣建設(shè)第二座晶圓廠，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)，建筑面積6.9萬(wàn)平方英尺，可新增1700余崗位，與一廠合計(jì)雇約3400人。新廠直接導(dǎo)入6nm工藝，用于自動(dòng)駕駛、AI等高端應(yīng)用，把日本本土芯片制造水平從28nm提升兩三代，投資額139億美元；兩廠總計(jì)225億美元，日本經(jīng)產(chǎn)省補(bǔ)貼1.2萬(wàn)億日元。

發(fā)表于：10/27/2025