EDA與制造相關文章 2026年日本半導體設備銷售額將突破5萬億日元 7月3日，日本半導體制造裝置協(xié)會（SEAJ）公布的最新的報告顯示，將2025年度（2025年4月-2026年3月）日本制造的半導體設備銷售額上修至48,634億日元，將創(chuàng)下歷史新高記錄，并預估2026年度銷售額將沖破5萬億日元大關、改寫歷史新高。 發(fā)表于：7/4/2025 三星承認尖端制程競爭力不足 7月4日消息，據(jù)韓國媒體《朝鮮日報》報導，雖然三星晶圓代工部門的2nm和3nm良率已經超過了40%，達到了商業(yè)化標準，但與對手臺積電相比，三星的性能和良率未達預期。 報道稱，三星已與英偉達（NVIDIA）和高通（Qualcomm）評估其2nm制程，但是市場消息顯示，三星與英偉達GPU測試時發(fā)現(xiàn)其性能較臺積電低，暫未考慮采用；高通評估后雖然有下單，但訂單量不夠改善三星營收。 發(fā)表于：7/4/2025 英飛凌四季度向客戶提供首批12英寸氮化鎵樣品 隨著氮化鎵（GaN）半導體需求的持續(xù)增長，英飛凌科技股份公司正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合制造商（IDM）的地位。 發(fā)表于：7/4/2025 美國通知通用電氣重啟向中國商飛供應噴氣發(fā)動機 7月4日消息，據(jù)國外媒體報道稱，美國政府通知通用電氣航空航天，稱其可以重啟向中國商飛供應噴氣發(fā)動機。 發(fā)表于：7/4/2025 三星美國泰勒晶圓廠因缺單開業(yè)時間推遲至明年 7月3日消息，據(jù)“日經亞洲”報道，三星在美國德克薩斯州泰勒市的尖端制程晶圓廠盡管已接近完工，但由于缺乏客戶，現(xiàn)在已推遲到了2026 年開業(yè)。 發(fā)表于：7/4/2025 蘇州PCB龍頭東山精密59.35億元收購臺灣索爾思光電 中國印刷電路板（PCB）龍頭大廠東山精密宣布59.35億元收購位于中國臺灣新竹科學園的光通信廠商索爾思光電之后，中國臺灣“經濟部門”近日表示，尚未收到索爾思光電的投資計劃變更申請，將在收到申請案后，會同關等單位嚴格審查。 發(fā)表于：7/3/2025 英特爾計劃叫停玻璃基板開發(fā) 7月3日消息，據(jù)媒體報道，隨著新任首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）啟動一系列改革措施，英特爾正在對旗下業(yè)務及開發(fā)工作進行調整。 發(fā)表于：7/3/2025 美國解除對中國芯片設計軟件EDA的出口限制 7月3日，據(jù)彭博社報道，電子設計自動化(EDA)巨頭西門子表示，根據(jù)公司收到的美國政府通知，美國已解除對華芯片設計軟件的出口限制。 特朗普政府已解除了至少部分對華芯片設計軟件出口許可要求。根據(jù)西門子的聲明，美國商務部已通知公司，其在中國開展業(yè)務已無需再申請政府許可。 西門子在聲明中稱，已恢復了中國客戶對其軟件和技術的全面訪問權限。 發(fā)表于：7/3/2025 High-NA EUV遇冷 晶圓廠紛紛推遲導入時間 7月2日消息，據(jù)媒體報道，2023年末ASML向英特爾交付了首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界普遍認為，High-NA EUV光刻技術將在先進芯片開發(fā)和下一代處理器的生產中發(fā)揮關鍵作用。 發(fā)表于：7/3/2025 三星電子計劃明年3月啟動第十代4xx層V-NAND量產線建設 7 月 2 日消息，韓媒 ETNews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星計劃明年三月啟動其下一代 3D NAND 閃存 —— 第十代 V-NAND 的首條量產線建設，有望當年 10 月進入全面量產階段。 發(fā)表于：7/3/2025 臺積電計劃兩年后停止氮化鎵晶圓生產 7 月 3 日消息，根據(jù)納微半導體 Navitas 向美國證券交易委員 SEC 遞交的 FORM 8-K 文件和發(fā)布于 7 月 1 日的新聞稿，該公司當前唯一氮化鎵 (GaN) 晶圓供應商臺積電計劃于兩年后的 2027 年 7 月終止相關產品生產。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱數(shù)百中國工程師撤離印度iPhone工廠 7 月 2 日消息，據(jù)彭博社報道，知情人士透露，富士康科技集團已要求數(shù)百名中國工程師和技術人員從其位于印度的 iPhone 工廠返回中國，這對蘋果公司在南亞國家的生產擴張計劃造成了打擊。 發(fā)表于：7/3/2025 消息稱英特爾考慮放棄向新外部客戶推銷Intel 18A (-P) 工藝 7 月 2 日消息，路透社當?shù)貢r間 1 日援引消息人士報道稱，英特爾 CEO 陳立武責成公司擬定一系列將在董事會上討論的方案，其中包含是否停止向新客戶推銷英特爾代工的 Intel 18A (-P) 先進制程工藝。 發(fā)表于：7/2/2025 三星代工低價搶到2nm版高通驍龍8 Elite 2 7月2日消息，博主數(shù)碼閑聊站爆料，三星代工生產了部分驍龍8 Elite 2芯片，工藝升級為三星SF2（2nm制程），套片報價比臺積電3nm版本更低，明年可能會上線。 他還爆料，目前沒有廠商采購三星2nm版驍龍8 Elite 2，高通主要供貨的是臺積電3nm版。 2nm版高通驍龍8 Elite 2首曝：三星代工 根據(jù)此前曝光的消息，今年9月登場的驍龍8 Elite 2基于臺積電N3P工藝（臺積電第三代3nm）制造，并采用第二代自研Oryon CPU架構，GPU獨立緩存提升至16MB。 發(fā)表于：7/2/2025 消息稱三星代工調整戰(zhàn)略 1.4nm量產計劃將推遲 7月1日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet Korea 報導，三星電子旗下Exynos 移動處理器的開發(fā)策略預計在未來2至3年內將迎來重大轉變，其中的一項關鍵調整在于，暫緩原定于2027年量產1.4nm制程節(jié)點的計劃。 發(fā)表于：7/2/2025 ?12345678910…?
