3月31日消息，據(jù)TheElec最新報道，SK海力士近期訂購了一套價值約200億韓元（約合9020萬元人民幣）的混合鍵合設(shè)備。這套設(shè)備由應用材料（Applied Materials）的化學機械拋光（CMP）和等離子體刻蝕設(shè)備，以及維西公司（Vesi）的混合鍵合機組成。

據(jù)悉，此次為SK海力士首次采購量產(chǎn)型混合鍵合設(shè)備，預計將從下一代HBM產(chǎn)品開始大規(guī)模應用混合鍵合工藝。上述設(shè)備即將投入產(chǎn)線使用，同時用于未來研發(fā)的準備工作。與此同時，公司還計劃在其工廠引進韓華半導體開發(fā)的混合鍵合設(shè)備，與上述設(shè)備一同使用，并開始進行質(zhì)量測試。

資料顯示，混合鍵合（Hybrid Bonding）工藝屬于半導體先進封裝技術(shù)，本質(zhì)在于將芯片直接放置在已加工的晶圓上，并通過鍵合使銅（Cu）直接接觸。由于銅與銅直接連接，因此可以提高集成密度，縮短布線長度，從而有望提升器件性能并降低功耗。在封裝領(lǐng)域，該技術(shù)與 TSV、EMIB等工藝共同形成競爭或互補關(guān)系。

東興證券指出，混合鍵合技術(shù)正從先進選項轉(zhuǎn)變?yōu)锳I時代的核心基礎(chǔ)設(shè)施。在存儲領(lǐng)域，HBM5為實現(xiàn)20hi超高堆疊采用此項“無凸塊”技術(shù)以突破物理極限。行業(yè)已進入高速落地期：臺積電等大廠提前擴產(chǎn)，HBM4/5與高端AI芯片將率先規(guī)模應用，相關(guān)設(shè)備需求預計在2030年前實現(xiàn)數(shù)倍增長，標志著該技術(shù)已成為驅(qū)動下一代算力的確定方向。

同為今日消息，三星電子也開始引入混合鍵合設(shè)備，目前正與多家擁有超聲波和X射線無損檢測技術(shù)的公司（如美國Ontu Innovation公司）洽談引進相關(guān)設(shè)備或開展聯(lián)合研發(fā)。其主要目標是識別現(xiàn)有光學設(shè)備難以檢測的微小缺陷，例如混合鍵合表面上的空隙。此舉有助于最大限度減少昂貴晶圓或HBM在檢測過程中的成本損耗。

截至目前，部分企業(yè)已經(jīng)收到三星電子提供的鍵合晶圓樣品并完成了性能測試，測試結(jié)果令人滿意。

在存儲巨頭相繼引進先進封裝設(shè)備的背后，是存儲技術(shù)的持續(xù)進步。在本月舉行的GTC大會上，三星電子發(fā)布了一段關(guān)于其HBM混合鍵合技術(shù)的視頻，此前該公司展示了使用晶圓間（W2W）混合鍵合技術(shù)制造4F2 DRAM的過程。該方法涉及將外圍電路（外圍）晶圓和單元陣列晶圓精確地垂直堆疊，因此需要能夠觀察混合鍵合界面的設(shè)備。

從半導體設(shè)備行業(yè)層面來看，各廠商同樣正陸續(xù)推出更為前沿的先進封裝設(shè)備。在剛剛舉辦的SEMICON China大會上，北方華創(chuàng)推出了12英寸D2W混合鍵合設(shè)備Qomola HPD30；拓荊科技發(fā)布涵蓋熔融鍵合、激光剝離等多款新產(chǎn)品的3D IC系列新品；晶盛機電針對先進封裝領(lǐng)域的痛點需求，推出了專為半導體3D集成設(shè)計的12寸W2W高精密鍵合設(shè)備。

招商證券認為，隨著制程逼近物理極限，遭遇量子隧穿與柵極控制難題，GAA架構(gòu)邊際效益遞減；一座2nm晶圓廠建設(shè)成本超250億美元，逼近7nm時代的3倍，先進封裝的戰(zhàn)略位置凸顯，“先進制程+先進封裝”的雙輪驅(qū)動，從系統(tǒng)層面推動產(chǎn)業(yè)升級。

產(chǎn)能布局方面，SEMI數(shù)據(jù)顯示，全球半導體產(chǎn)能將從2020年的2510萬片增至2030年的4450萬片，國內(nèi)晶圓產(chǎn)能將從490萬片增至1410萬片，翻近三倍，全球市場份額從20%升至32%。設(shè)備投資方面，國內(nèi)自2020年起已連續(xù)六年保持全球第一設(shè)備市場規(guī)模，2027年市場份額有望接近30%。

投資方面，東方證券表示，部分投資者低估了國產(chǎn)設(shè)備廠商在晶圓制造設(shè)備上的技術(shù)創(chuàng)新能力以及產(chǎn)品競爭力，國內(nèi)企業(yè)正持續(xù)強化創(chuàng)新布局，先進封裝設(shè)備重要性提升，晶圓制造設(shè)備持續(xù)升級。建議關(guān)注：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華海清科、百傲化學、芯源微、精測電子等。