3月25日，據(jù)韓國(guó)媒體Businesskorea報(bào)道，存儲(chǔ)芯片大廠三星電子和SK海力士正在對(duì)他們?cè)谥袊?guó)的工廠進(jìn)行大規(guī)模設(shè)施投資，以同時(shí)提升工藝技術(shù)和產(chǎn)能。
隨著全球人工智能（AI）投資熱潮加劇存儲(chǔ)半導(dǎo)體短缺，三星電子和SK海力士正全力調(diào)動(dòng)包括中國(guó)工廠在內(nèi)的所有產(chǎn)能來(lái)增加對(duì)客戶的供應(yīng)。三星和SK海力士去年合計(jì)對(duì)中國(guó)工廠投資了1.5萬(wàn)億韓元（約合69億人民幣、10億美元），希望通過(guò)升級(jí)當(dāng)?shù)毓S的NAND Flash和DRAM生產(chǎn)工藝和產(chǎn)能來(lái)擴(kuò)大芯片供應(yīng)并提高盈利能力。
據(jù)韓國(guó)金融監(jiān)督院3月24日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年在其位于中國(guó)西安的工廠投資了4654億韓元（約合3.44億美元），較上年的2778億韓元（約合1.85億美元）大幅增長(zhǎng)了67.5%。西安工廠是三星電子唯一的海外NAND Flash生產(chǎn)基地，產(chǎn)量約占其總產(chǎn)量的40%。
△三星西安工廠
報(bào)道稱，三星電子在 2019 年向西安工廠投資約 6984 億韓元后，從 2020 年到 2023 年沒(méi)有進(jìn)行任何重大投資。但是該公司已恢復(fù) 2024 年的投資，投資了 2778 億韓元，去年又將投資額增加到 4654 億韓元，用于升級(jí)西安工廠的生產(chǎn)線。
同樣，SK海力士去年在其位于中國(guó)無(wú)錫的DRAM生產(chǎn)工廠和位于大連的NAND Flash制造子公司進(jìn)行了超過(guò)1萬(wàn)億韓元（約合6.66億美元）的投資。其中，無(wú)錫DRAM工廠投資5810億韓元，較2024年的2873億韓元增長(zhǎng)102%；大連NAND Flash工廠投資4406億韓元，增長(zhǎng)52%。這是SK海力士自2022年收購(gòu)英特爾大連NAND Flash工廠以來(lái)，首次在中國(guó)工廠進(jìn)行萬(wàn)億韓元規(guī)模的投資。
△SK海力士無(wú)錫工廠
盡管在2022年10月以來(lái)，美國(guó)對(duì)中國(guó)實(shí)施了針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制，但三星電子和SK海力士這兩家全球存儲(chǔ)器“兩大巨頭”仍然積極投資中國(guó)生產(chǎn)設(shè)施，其背景是持續(xù)增長(zhǎng)的存儲(chǔ)芯片需求。
目前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供應(yīng)短缺，三星、SK海力士、美光等頭部大廠的DRAM 和 NAND Flash今年的全部產(chǎn)能已售罄。隨著AI服務(wù)從簡(jiǎn)單的搜索發(fā)展到需要更多推理和學(xué)習(xí)的“智能體”形式，對(duì)高性能DRAM 和NAND Flash的需求不斷增長(zhǎng)，AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM訂單也在激增。
事實(shí)上，瑞銀證券預(yù)測(cè)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將較去年增長(zhǎng)超過(guò)40%，達(dá)到1萬(wàn)億美元（約合1496萬(wàn)億韓元）。此外，由于AI基礎(chǔ)設(shè)施投資，中國(guó)國(guó)內(nèi)需求強(qiáng)勁。去年，中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約為4580億元人民幣（約合99萬(wàn)億韓元），預(yù)計(jì)今年將進(jìn)一步擴(kuò)大。
由于僅靠韓國(guó)國(guó)內(nèi)產(chǎn)能無(wú)法滿足全球需求，三星電子和SK海力士正通過(guò)升級(jí)其位于中國(guó)的工廠（其關(guān)鍵生產(chǎn)基地之一）來(lái)擴(kuò)大供應(yīng)。三星電子計(jì)劃通過(guò)大量追加投資，將其西安NAND工廠的主要生產(chǎn)工藝從128層（第六代）升級(jí)到236層（第八代）。
一位業(yè)內(nèi)人士解釋說(shuō)：“為了防止核心技術(shù)外泄，三星中國(guó)工廠和韓國(guó)工廠之間通常保持著大約兩代的工藝差距?！?他補(bǔ)充道：“由于三星計(jì)劃今年在韓國(guó)生產(chǎn)400層（第十代）NAND產(chǎn)品，中國(guó)工廠向第八代NAND的過(guò)渡可能會(huì)加快?！?/p>
據(jù)了解，SK海力士近期投資升級(jí)了其無(wú)錫工廠的DRAM生產(chǎn)工藝，從10納米級(jí)的第三代（1z）工藝升級(jí)到第四代（1a）工藝。此次升級(jí)后，無(wú)錫工廠將能夠量產(chǎn)高附加值產(chǎn)品，例如DDR5內(nèi)存，預(yù)計(jì)這將顯著提升其業(yè)績(jī)。
另一位業(yè)內(nèi)人士評(píng)論道：“無(wú)錫工廠占SK海力士DRAM總產(chǎn)量的30%以上，已經(jīng)轉(zhuǎn)型為高附加值產(chǎn)品生產(chǎn)基地?！彼€預(yù)測(cè)：“大連工廠也將通過(guò)加大投資，改善財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，提高生產(chǎn)效率。”
