3月15日消息，AI時代HBM內(nèi)存崛起，也成為DDR內(nèi)存缺貨的元兇，皆因AI需求大，產(chǎn)能要求高。

此前SK海力士在HBM內(nèi)存市場超越了三星，成為NVIDIA的AI GPU主力供應(yīng)商，不過三星在HBM4內(nèi)存上終于追回來，號稱全球首發(fā)量產(chǎn)HBM4內(nèi)存。

再往后，三星還計劃進一步鞏固自己的優(yōu)勢，在下一代的HBM4E內(nèi)存上用上最先進的工藝，其中內(nèi)存工藝升級到1c等級，基底（base die）芯片則一步到位升級到2nm工藝。

作為對比，三星當(dāng)前的HBM4用的還是自家4nm工藝，SK海力士的HBM基底芯片甚至還在用臺積電的12nm工藝打造，可以看出三星有多激進。

升級到2nm工藝后，HBM4E內(nèi)存的發(fā)熱、能效及芯片利用率等指標(biāo)上預(yù)計會明顯改善，進一步提高三星的領(lǐng)先優(yōu)勢。

HBM4E內(nèi)存預(yù)計今年年中問世，定制版則會在下半年問世。

當(dāng)然，SK海力士也不會落后太多，定制版的HBM4E內(nèi)存也會計劃升級到臺積電的3nm工藝，具體表現(xiàn)可能比三星的2nm工藝還要好一點點。

對三星來說，隨著Exynos 2600的量產(chǎn)，自家的2nm工藝總算擺脫了以往拉跨的形象，不僅能大規(guī)模量產(chǎn)，性能、能效等方面至少也是合格了，特斯拉已經(jīng)開始追加訂單了，產(chǎn)能預(yù)計翻倍還多，達到月產(chǎn)4萬晶圓的水平。