2月12日，三星電子正式宣布，其業(yè)界領(lǐng)先的HBM4內(nèi)存已開始量產(chǎn)，并已向客戶交付商用產(chǎn)品。這一成就不僅開創(chuàng)了行業(yè)先河，也將鞏固三星在HBM4市場的早期領(lǐng)先地位。

三星電子自豪地表示，通過積極利用其最先進(jìn)的第六代 10 納米 (nm) 級 DRAM 工藝 (1c)，公司從量產(chǎn)之初就實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的良率和業(yè)界領(lǐng)先的性能，所有這些都是無縫完成的，無需任何額外的重新設(shè)計(jì)。

三星電子執(zhí)行副總裁兼存儲器開發(fā)負(fù)責(zé)人黃相俊稱：“三星沒有沿用傳統(tǒng)的成熟設(shè)計(jì)，而是大膽創(chuàng)新，采用了最先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)，例如用于HBM4的1c DRAM和4nm邏輯工藝。憑借我們在制程方面的優(yōu)勢和設(shè)計(jì)優(yōu)化，我們能夠確保巨大的性能提升空間，從而滿足客戶日益增長的高性能需求?！?/p>

據(jù)介紹，三星的HBM4顯存可提供高達(dá)11.7 Gbps的穩(wěn)定傳輸速率，相比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8Gbps提升了約46%，樹立了HBM4性能的新標(biāo)桿。這比其前代產(chǎn)品HBM3E的最高引腳速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能還可以進(jìn)一步提升至13Gbps，有效緩解隨著AI模型規(guī)模不斷擴(kuò)大而日益嚴(yán)重的數(shù)據(jù)瓶頸問題。

此外，與 HBM3E 相比，每個HBM4堆棧的總內(nèi)存帶寬提高了 2.7 倍，最高可達(dá)每秒 3.3 太字節(jié) (TB/s)。

三星的HBM4采用的是12層堆疊技術(shù)，提供容量從24GB到36GB的HBM4容量。三星還將通過采用16層堆疊技術(shù)，將容量選擇擴(kuò)展至最高48GB，以滿足客戶未來的需求。

為了應(yīng)對數(shù)據(jù)I/O引腳數(shù)量從1024個增加到2048個所帶來的功耗和散熱挑戰(zhàn)，三星在核心芯片中集成了先進(jìn)的低功耗設(shè)計(jì)方案。與HBM3E相比，HBM4通過采用低電壓硅通孔（TSV）技術(shù)和電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了40%的能效提升，同時熱阻降低了10%，散熱能力提高了30%。

三星表示，其HBM4 為未來的數(shù)據(jù)中心環(huán)境帶來卓越的性能、能源效率和高可靠性，使客戶能夠最大限度地提高 GPU 吞吐量并有效管理其總體擁有成本 (TCO)。

此外，三星還致力于通過其全面的制造資源（包括業(yè)內(nèi)最大的DRAM產(chǎn)能之一和專用基礎(chǔ)設(shè)施）推進(jìn)其HBM路線圖，以確保具有彈性的供應(yīng)鏈，以滿足預(yù)計(jì)的HBM4需求激增。

特別是對于HBM4及后續(xù)產(chǎn)品來說，還將引入邏輯制程的基底芯粒，能夠滿足客戶定制化的需求。三星表示，其晶圓代工和存儲器業(yè)務(wù)之間緊密整合的設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）機(jī)制，可以確保最高的質(zhì)量和良率標(biāo)準(zhǔn)。此外，公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域擁有豐富的內(nèi)部專業(yè)知識，從而簡化了生產(chǎn)流程，縮短了交貨周期。

三星還計(jì)劃擴(kuò)大與主要合作伙伴的技術(shù)合作范圍，這是基于與全球 GPU 制造商和專注于下一代 ASIC 開發(fā)的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商的密切討論而做出的。

三星預(yù)計(jì)其HBM產(chǎn)品銷量在2026年將比2025年增長3倍以上，并正積極擴(kuò)大HBM4的產(chǎn)能。在HBM4成功推向市場后，HBM4E的樣品預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始發(fā)放，而定制的HBM樣品將根據(jù)客戶的具體規(guī)格于2027年開始交付。