3 月 31 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日援引業(yè)內(nèi)消息報(bào)道稱(chēng)，三星電子的晶圓代工業(yè)務(wù)已定下 2030 年前完成 1nm 級(jí)先進(jìn)制程工藝 SF1.0 開(kāi)發(fā)并轉(zhuǎn)移至量產(chǎn)階段的目標(biāo)。
報(bào)道指出，SF1.0 將采用 forksheet 叉片晶體管器件結(jié)構(gòu)，這是現(xiàn)有 nanosheet GAA 全環(huán)繞柵極晶體管的演化。其在標(biāo)準(zhǔn) GAA 的基礎(chǔ)上新增介質(zhì)壁，可進(jìn)一步提升晶體管密度與性能，該結(jié)構(gòu)又分為“內(nèi)壁”與“外壁”兩種類(lèi)型。
▲ 內(nèi)壁 forksheet，介質(zhì)壁位于 nMOS 與 pMOS 之間圖源：imec
▲ 外壁 forksheet，介質(zhì)壁位于 p-n 結(jié)外側(cè)圖源：imec
此外報(bào)道提到，三星電子計(jì)劃 2027 年實(shí)現(xiàn) SF2P+ 工藝的商業(yè)化投產(chǎn)，而特斯拉的 AI6 芯片則將以 SF2T 工藝于 2027 年量產(chǎn)。
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