3 月 30 日消息，韓媒 ETNEWS 當?shù)貢r間 29 日報道稱，三星電子位于中國西安的 NAND 晶圓廠近期成功完成工藝制程升級，實現(xiàn)了 236 層堆疊的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量產(chǎn)。
西安晶圓廠是三星在韓國本土外重要的半導體生產(chǎn)基地。本次制程升級始于 2024 年，旨在改造原有的 V6 (128L) NAND，以提升產(chǎn)品性能與生產(chǎn)效率，增強產(chǎn)能競爭力，滿足 AI 時代對高性能存儲設備的需求。
在量產(chǎn) V8 NAND 后，三星西安晶圓廠的下一步瞄準了 286 層堆疊的 V9 NAND，相關(guān)生產(chǎn)線將位于 X2 工廠，計劃在 2026 年內(nèi)完成過渡并實現(xiàn)量產(chǎn)。
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