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傳鎧俠明年將量產332層NAND Flash
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長江存儲對美國國防部和商務部提起訴訟
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SK海力士加速推進超300層V10 NAND閃存
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日本DNP開發(fā)出1.4nm級NIL納米壓印圖案化模板
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三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%
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NAND Flash合約價全面上漲
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消息稱鎧俠與閃迪考慮在美合作建設NAND晶圓廠
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三星研發(fā)新型NAND閃存技術 功耗暴降96%
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三星電子正啟動存儲芯片產能重大戰(zhàn)略調整
發(fā)表于：11/24/2025 9:28:52 AM
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NAND廠商切入DRAM市場面臨的現(xiàn)實困境
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閃迪計劃將NAND閃存產能外包給力積電
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存儲廠商不增產原因曝光
發(fā)表于：11/19/2025 9:16:00 AM
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消息稱閃迪尋求與力積電就NAND閃存制造展開合作
發(fā)表于：11/18/2025 1:11:47 PM
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存儲行業(yè)高光時刻鎧俠逆勢業(yè)績暴雷
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三星宣布計劃將FinFET制程導入NAND Flash
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存儲市場迎來數(shù)年超級周期 Q4全面漲價才只是開始
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三季度三星重回存儲市場第一
發(fā)表于：10/17/2025 10:12:23 AM
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三星Q3重奪全球存儲芯片市場霸主之位
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2025Q4全球NAND Flash價格將上漲5-10%
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SK海力士正與客戶協(xié)商調整存儲器價格
發(fā)表于：9/23/2025 1:06:26 PM
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預計整個2026年NAND閃存市場均將面臨供應不足
發(fā)表于：9/19/2025 10:00:12 AM
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SK海力士開始供應移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.1
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長江存儲等成立長存三期集成電路公司
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2025Q2全球NAND Flash營收季增逾20%
發(fā)表于：8/29/2025 8:50:07 AM
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SK海力士開始量產321層QLC NAND閃存
發(fā)表于：8/25/2025 10:50:18 AM
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美光將在全球范圍內停止未來移動NAND產品開發(fā)
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三星時隔多年要復活Z-NAND
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鎧俠宣布年內量產9代BiCS FLASH技術
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美光推出首款太空認證NAND閃存
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