1月16日消息，知名投行摩根士丹利（Morgan Stanley）在最新的研究報(bào)告中指出，盡管市場(chǎng)對(duì)傳統(tǒng)存儲(chǔ)（Old Memory）仍存疑慮，但隨著供需缺口進(jìn)一步擴(kuò)大，2025 年第二季至2026 年將迎接新一波超級(jí)周期。報(bào)告強(qiáng)調(diào)，DDR4、DDR3、NOR Flash 以及SLC/MLC NAND 等產(chǎn)品的供給吃緊狀況正持續(xù)加劇，目前完全沒(méi)有理由轉(zhuǎn)向悲觀。

報(bào)告指出，由于先進(jìn)制程的存儲(chǔ)產(chǎn)品（如DDR5或HBM）產(chǎn)能需求強(qiáng)勁，持續(xù)排擠成熟制程的產(chǎn)能分配。第一梯隊(duì)的企業(yè)買(mǎi)家在2026年1月份對(duì)DDR4的采購(gòu)態(tài)度轉(zhuǎn)趨積極，試圖搶占額外的出貨額度。但是在供應(yīng)受限的情況下，預(yù)計(jì)第一季DDR4的價(jià)格漲幅可能高達(dá)50%，且這股漲勢(shì)將延續(xù)至第二季。此外，由于產(chǎn)能從DDR3轉(zhuǎn)向DDR4，導(dǎo)致高密度DDR3產(chǎn)品出現(xiàn)嚴(yán)重短缺，進(jìn)而帶動(dòng)DDR3供應(yīng)商的業(yè)績(jī)追趕。

至于在閃存芯片領(lǐng)域，供應(yīng)鏈的調(diào)整同樣引發(fā)了顯著的價(jià)格波動(dòng)。報(bào)告指出，預(yù)計(jì)第一季NOR Flash的報(bào)價(jià)將調(diào)升20-30%，且漲價(jià)趨勢(shì)有機(jī)會(huì)延續(xù)至2026年下半年。而常規(guī)NAND Flash由于供應(yīng)量的大幅縮減，第一季MLC與SLC NAND的價(jià)格漲幅預(yù)期將超過(guò)50%。摩根士丹利指出，某家美國(guó)主流供應(yīng)商可能會(huì)減少產(chǎn)能，這為中國(guó)臺(tái)灣供應(yīng)商提供了切入AI服務(wù)器供應(yīng)鏈的良機(jī)。此外，高密度SLC NAND的價(jià)格漲勢(shì)預(yù)計(jì)將在2026年第一季跟上。

除了傳統(tǒng)存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，部分成熟制程存儲(chǔ)供應(yīng)商正積極轉(zhuǎn)型，共享高帶寬內(nèi)存（HBM）與先進(jìn)封裝技術(shù)的成長(zhǎng)紅利。報(bào)告提到，力積電的P5晶圓廠具備WoW（晶圓堆疊）與混合鍵合（Hybrid Bonding）的充足產(chǎn)能，這在HBM4e標(biāo)準(zhǔn)下將變得至關(guān)重要。同時(shí)，愛(ài)普（AP Memory）有望受惠于主要美國(guó)客戶對(duì)CoWoS-S技術(shù)的需求，其硅電容（IPD）業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)在2026年展現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)。

最后，報(bào)告基于對(duì)2025至2026年獲利成長(zhǎng)及股東權(quán)益報(bào)酬率發(fā)展的預(yù)期，大摩全面調(diào)升了相關(guān)臺(tái)系存儲(chǔ)業(yè)者的目標(biāo)股價(jià)。其中，華邦電子被列為該領(lǐng)域的首選標(biāo)的，其目標(biāo)價(jià)由新臺(tái)幣88元大幅上調(diào)至130元。其他如力積電目標(biāo)價(jià)由新臺(tái)幣41元調(diào)升至56元。旺宏由新臺(tái)幣48元調(diào)升至72.5元。南亞科技由新臺(tái)幣198元調(diào)升至298元。愛(ài)普則由新臺(tái)幣475元調(diào)升至555元。

總結(jié)來(lái)說(shuō)，摩根士丹利認(rèn)為成熟制程存儲(chǔ)芯片的供應(yīng)短缺將比市場(chǎng)預(yù)期更為持久且劇烈。因此，隨著供給端持續(xù)緊縮與需求端積極拉貨，相關(guān)臺(tái)系半導(dǎo)體廠在未來(lái)兩年的營(yíng)運(yùn)展望極具想像空間。