1月12日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，存儲(chǔ)芯片缺貨、漲價(jià)熱潮，已經(jīng)蔓延至下游封測(cè)領(lǐng)域。

受益于DRAM與NAND Flash大廠加足馬力沖刺出貨，力成、華東、南茂等存儲(chǔ)器封測(cè)廠訂單涌進(jìn)，產(chǎn)能利用率直逼滿載，近期陸續(xù)調(diào)升封測(cè)價(jià)格，調(diào)幅最高達(dá)30%。 相關(guān)封測(cè)廠透露，訂單真的太滿，后續(xù)不排除啟動(dòng)第二波漲價(jià)。

力成、華東、南茂等存儲(chǔ)封測(cè)報(bào)價(jià)調(diào)漲后，漲價(jià)效益將從首季起逐步反映在財(cái)報(bào)數(shù)字，若后續(xù)再啟動(dòng)第二波漲價(jià)，今年將成為存儲(chǔ)器封測(cè)業(yè)價(jià)量齊揚(yáng)的一年，相關(guān)業(yè)者2026年業(yè)績(jī)將吞大補(bǔ)丸。

對(duì)于漲價(jià)議題，遭點(diǎn)名的存儲(chǔ)封測(cè)廠均相當(dāng)?shù)驼{(diào)，僅強(qiáng)調(diào)報(bào)價(jià)會(huì)依照市場(chǎng)需求，進(jìn)行彈性調(diào)整。

業(yè)界分析，隨著三星、SK海力士、美光等三大存儲(chǔ)芯片原廠全力擴(kuò)充AI用的HBM產(chǎn)能，資源集中在先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝，同步排擠標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片產(chǎn)出，使得舊規(guī)格產(chǎn)品供給轉(zhuǎn)趨吃緊。

伴隨云端、工控等需求回溫，DDR4、DDR5與NAND芯片拉貨動(dòng)能強(qiáng)勁，進(jìn)一步點(diǎn)火后段封測(cè)需求，中國(guó)臺(tái)灣主要存儲(chǔ)封測(cè)廠力成、南茂、華東產(chǎn)能利用率均已逼近滿載，因而順勢(shì)調(diào)升報(bào)價(jià)，漲幅最高30%，不排除后續(xù)視供需狀況，再啟動(dòng)第二波漲價(jià)。

力成為全球DRAM、NAND芯片封測(cè)龍頭。 供應(yīng)鏈透露，力成目前DRAM封測(cè)產(chǎn)能利用率幾近滿載，NAND產(chǎn)能利用率亦維持高檔，客戶多為國(guó)際一線內(nèi)存大廠，本波漲價(jià)效應(yīng)有望直接反映在毛利率與獲利，營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)堪稱族群指標(biāo)。

華東以利基型存儲(chǔ)封測(cè)為主，過去一年受工控與特殊應(yīng)用需求調(diào)整影響較深，不過現(xiàn)階段工控客戶已陸續(xù)恢復(fù)下單，庫存去化告一段落，需求回到正常水位以上。 在整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)邁入“景氣超級(jí)循環(huán)”大環(huán)境下，華東產(chǎn)能利用率明顯拉升，訂單能見度轉(zhuǎn)強(qiáng)，后市可期。

南茂則是此次傳統(tǒng)DRAM市況復(fù)蘇的代表性受益封測(cè)廠。南茂的NAND產(chǎn)品線于營(yíng)收比重相對(duì)較低，但在DRAM領(lǐng)域著墨甚深，目前營(yíng)收結(jié)構(gòu)中，DDR4約占七至八成，是支撐營(yíng)運(yùn)的核心產(chǎn)品。