3月6日消息，據(jù)Tom's Hardware報(bào)道，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DigiTimes近日發(fā)布的2026年2月存儲(chǔ)市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，全球存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格整體上行，其中NAND閃存晶圓價(jià)格單月飆升25%，成為當(dāng)月漲幅最大的品類。供需缺口持續(xù)擴(kuò)大的背景下，存儲(chǔ)行業(yè)價(jià)格波動(dòng)加劇，相關(guān)機(jī)構(gòu)警示，若此趨勢(shì)延續(xù)，行業(yè)或面臨周期性發(fā)展風(fēng)險(xiǎn)。

數(shù)據(jù)顯示，2月存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格呈現(xiàn)差異化上漲態(tài)勢(shì)。DRAM產(chǎn)品中，DDR5 16G（2Gx8）芯片平均價(jià)格漲至39美元，環(huán)比上漲7.4%；DDR4市場(chǎng)表現(xiàn)分化，16Gb（2Gx8）微漲0.26%至78.10美元，8Gb（1Gx8）上漲6.8%至33美元，相較1月DRAM產(chǎn)品普遍20%至30%的漲幅，DDR4漲勢(shì)明顯放緩；DDR3 4Gb（512Mx8）芯片價(jià)格也上漲7.5%，達(dá)到5.70美元。

NAND閃存市場(chǎng)價(jià)格漲幅更為顯著，1Tb TLC閃存晶圓價(jià)格單月上漲25%至25美元，成為本月漲幅最高的存儲(chǔ)產(chǎn)品。值得注意的是，這一上漲并非短期現(xiàn)象，自2025年10月以來(lái)，NAND閃存價(jià)格已出現(xiàn)大幅攀升，其中1Tb QLC/TLC閃存晶圓價(jià)格漲幅約三倍，512Gb TLC價(jià)格漲幅接近五倍。

春節(jié)假期曾讓2月中旬的存儲(chǔ)市場(chǎng)交易活動(dòng)有所降溫，但假期結(jié)束后，現(xiàn)貨市場(chǎng)迅速恢復(fù)活力，價(jià)格繼續(xù)保持上行趨勢(shì)。機(jī)構(gòu)分析認(rèn)為，當(dāng)前DDR4等產(chǎn)品漲幅放緩，更多是季節(jié)性因素導(dǎo)致，并非市場(chǎng)供需壓力得到緩解。

除現(xiàn)貨價(jià)格外，存儲(chǔ)合約價(jià)格的市場(chǎng)預(yù)期也大幅上調(diào)。TrendForce在2月初上調(diào)2026年第一季度存儲(chǔ)合約價(jià)格預(yù)測(cè)，傳統(tǒng)DRAM合約價(jià)格環(huán)比漲幅從此前預(yù)計(jì)的55%至60%提高至90%至95%，PC DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比翻倍以上，將創(chuàng)下季度漲幅新紀(jì)錄；NAND閃存合約價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比上漲55%至60%，同樣高于此前33%至38%的預(yù)測(cè)值。

業(yè)內(nèi)分析指出，本輪存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲的核心驅(qū)動(dòng)力，源于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)帶來(lái)的需求激增。服務(wù)器DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器的旺盛需求持續(xù)吸納行業(yè)產(chǎn)能，直接導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM和消費(fèi)級(jí)NAND市場(chǎng)供應(yīng)趨緊。自2025年末起，北美云服務(wù)提供商已提前鎖定大量存儲(chǔ)產(chǎn)品訂單和產(chǎn)能，使得其他買家的供應(yīng)優(yōu)先級(jí)不斷后移，即便頭部PC廠商，其庫(kù)存水平也在持續(xù)下降。

在NAND閃存市場(chǎng)，產(chǎn)能結(jié)構(gòu)調(diào)整進(jìn)一步加劇了供應(yīng)緊張。為追求更高利潤(rùn)，存儲(chǔ)廠商將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向企業(yè)級(jí)SSD產(chǎn)品，減少了面向模組廠商的晶圓供應(yīng)，這一產(chǎn)能分配變化持續(xù)推高了整個(gè)NAND市場(chǎng)的價(jià)格，也讓消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)面臨更大的供應(yīng)壓力。